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1、-第一章 逻辑代数根底1.1 、用布尔代数的根本公式和规则证明以下等式。1.2 、求以下函数的反函数。1.3 、写出以下函数的对偶式。1.4 、证明函数 F 为自对偶函数。1.5 、用公式将以下函数化简为最简 与或式。1.6 、逻辑函数。假设 A 、 B 、 C 、 D 、的输入波形如下图，画出逻辑函数 F 的波形。 1.7 、逻辑函数 F 1 、 F 2 、 F 3 的逻辑图如图 2 35 所示，证明 F 1 =F 2 =F 3 。1.8 、给出与非门、或非门及异或门逻辑符号如图 2 36 a 所示，假设 A 、 B 的波形如图 2 36 b ，画出 F 1 、 F 2 、 F 3 波形图。
2、1.9 、用卡诺图将以下函数化为最简与或式。1.10 、将以下具有无关最小项的函数化为最简与或式； 1.11 、用卡诺图将以下函数化为最简与或式；1.12 用卡诺图化简以下带有约束条件的逻辑函数 1.13 、用最少的与非门画出以下多输出逻辑函数的逻辑图。第二章 门电路 2.1 由 TTL 门组成的电路如图 2.1 所示，它们的输入短路电流为 I is =1.6mA ，高电平输入漏电流 I iH = 40。试问：当 A=B=1 时， G 1 的 灌 电流拉，灌为 3.2mA ； A=0 时， G 1 的 拉 电流拉，灌为120。 2.2 图 2.2 中示出了*门电路的特性曲线，试据此确定它的以下
3、参数：输出高电平 U OH = 3V ；输出低电平 U OL = 0.3V ；输入短路电流 I iS = 1.4mA ；高电平输入漏电流 I iH = 0.02mA ；阈值电平 U T = 1.5V ；开门电平 U ON = 1.5V ；关门电平 U OFF = 1.5V ；低电平噪声容限 U NL = 1.2V ；高电平噪声容限 U NH = 1.5V ；最大灌电流 I OLma* = 15mA ；扇出系数 N= 10 . 2.3 TTL 门电路输入端悬空时，应视为 高电平 ；高电平，低电平，不定此时如用万用表测量其电压，读数约为 1.4V 3.6V ， 0V ， 1.4V 。 2.4 CT
4、74 、 CT74H 、 CT74S 、 CT74LS 四个系列的 TTL 集成电路，其中功耗最小的为 CT74LS ；速度最快的为 CT74S ；综合性能指标最好的为 CT74LS 。 2.5 CMOS 门电路的特点：静态功耗 极低 很大，极低；而动态功耗随着工作频率的提高而 增加 增加，减小，不变；输入电阻 很大 很大，很小；噪声容限 高 高，低，等于 TTL 门。 2.6 集电极开路门 OC 门在使用时须在 输出与电源 之间接一电阻输出与地，输出与输入，输出与电源。2.7 假设 G 2 的悬空的输入端接至 0.3V ，结果如下表2.9 输入悬空时为高电平， M= 0 ， V M =0.2
5、V , 三态门输出为高阻， M 点电位由后面与或非门的输入状态决定，后面与门中有一输入为 0 ，所以 V M =0V 。 2.10 2.11 上图中门 1 的输出端断了，门 2 、 3 、 4 为高电平输入，此时 V M =1.6V 左右。 2.12 不能正常工作，因为 不能同时有效，即不能同时为低电平。 2.13 图为由 TTL 与非门组成的电路，输入 A 、 B 的波形如下图，试画出 V 0 的波形。2.14 图中门 1 、 2 、 3 均为 TTL 门电路，平均延迟时间为 20ns ，画出 V O 的波形。 2-8 1 、 Y 1 =ABCDE Y 2 =A+B+C+D+E 2 、该扩展
6、方法不适用于 TTL 门电路。对与门而言，当扩展端 C=0.3V 时，其输入电压约为 1V ，已大于 U iLma* (0.8V) ；对或门而言，当扩展端 C=U OHmin =2.4V 时，其输入电压约为 1.7V ，已小于 U iHmin (2V) ； 2-9 2-10 乙的说确，因为该点的电压有可能是变化的，此时万用表测得的是电压的平均值， 1.8V 的读数完全正常。 3.6 结果如下表： 3.7 1. 真值表 : 3. 表达式： F 2 =M ， 3.8 1 、真值表 3.93.11 3.12 把 BCD 8421 码 转换为 BCD 5421 码 ，前五个数码不需改变，后五个数码加
7、3 。据此可得加数低两位的卡诺图，所以 3.14 1 、 2 、用八选一数据选择器和门电路实现。 3.15 用 8 选 1 数据选择器实现以下函数： 第四章 触发器和定时器4.1 4.2 1 特性表 (CP=0 时，保持； CP=1 时如下表 )(2) 特性方程 (3) 该电路为锁存器时钟型 D 触发器。 CP=0 时，不接收 D 的数据； CP=1 时，把数据锁存。 ( 但该电路有空翻 ) 4.3 (1) 、 C=0 时该电路属于组合电路； C=1 时是时序电路。 (2) 、 (3) 、输出 Q 的波形如以下图。 4.4 4.5 4.6 4.7 1 、 CP 作用下的输出 Q 1 Q 2 和
8、 Z 的波形如以下图； 2 、 Z 对 CP 三分频。 4.8 由得 D 触发器转换为 J-K 触发器的逻辑图如下面的左图；而将 J-K 触发器转换为 D 触发器的逻辑图如下面的右图。 4.11 1 、 555 定时器构成多谐振荡器。 2 、 u c, u o 1 , u o 2 的波形 3 、 u o 1 的频率 ,u o 2 的频率 f 2 =158H z 4 、如果在 555 定时器的第 5 脚接入 4V 的电压源，则 u o 1 的频率变为 4.12 图 (a) 是由 555 定时器构成的单稳态触发电路。 1 、工作原理略； 2 、暂稳态维持时间 t w =1.1RC=10ms(C 改
9、为 1) ； 3 、 u c 和 u o 的波形如以下图： 4 、假设 u i 的低电平维持时间为 15m s ，要求暂稳态维持时间 t w 不变，可参加微分电路 4.13 由 555 定时器构成的施密特触发器如图 (a) 所示 1 、电路的电压传输特性曲线如左以下图； 2 、 u o 的波形如右以下图； 3 、为使电路能识别出 u i 中的第二个尖峰，应降低 555 定时器 5 脚的电压至 3V 左右。 4 、在 555 定时器的 7 脚能得到与 3 脚一样的信号，只需在 7 脚与电源之间接一电阻。 4.14 延迟时间 t d =1.1 1 10=11s 扬声器发出声音的频率 。第五章 时序
10、数字电路5.1 解： 5.2 解： 5.3 解： 逻辑功能：可自启动的同步五进制加法计数器。5.4 逻辑功能：移位存放器型四进制计数器。 5.55.6 解： 1 当 * 1 * 2 = 00 ；初始状态为 00 时：逻辑功能： 电路实现 2 分频。( 2 )当 * 1 * 2 = 01 ；初始状态为 00 时逻辑功能： 电路实现 3 分频。 3 当 * 1 * 2 = 11 ；初始状态为 00 时：逻辑功能： 电路实现 4 分频。5.75.8 (1) 根本 R-S 触发器 ( ) ； (2) 同步 R-S 触发器 ； (3) 主从 J-K 触发器 ( 能 ； (4) 维持阻塞 D 触发器 (
11、能 ； (5) 边沿 J-K 触发器 ( 能 ) ； (6) CMOS 主从 D 触发器能 。 5.9 根据题意，很容易画出下面的逻辑图： 5.10 解：四种状态应使用 2 个触发器。设： Q 1 =Y 1 ， Q 0 =Y 0用 D 触发器设计； 5.11 解：用 J K 触发器设计一个 4 进制计数器， Q 1 Q 0 为变量译码器的输入。 5.12 解： 5.13 解：设 S 0 ：初始及检测成功状态； S 1 ：输入一个 1 状态； S 2 ：输入 10 状态； S 3 ：输入 101 状态； * ：输入； Z ：输出。 从 JK 的卡诺图可以看出电路的 简化结果相似，以方案三画逻辑电
12、路 5.14 解：从时序图可得出状态图为： 5.15 解：方法一：从时序图中可以看出将 Y 1 、 Y 2 、 Z 为输出时，每经过 8 个时钟为一个循环。同理，从卡诺图可以求出： 方法二：从时序图中可以看出 Y 1 Y 2 的状态为 00 11 01 10 00 。 设：则状态图、状态表为： 显然，方法二的结果比方法一的结果要简单得多。其逻辑图为： 5.16 解： ZW 的状态为 00 、 01 、 10 、 11 ，所以设： 输出 Z=Q 1 ； W=Q 0 ；输入： * 5.17 解： 1 、状态转换图 2.Qd 对 CP 十分频， Qd 的占空比是 50% 。 5.18 答案： 图 (
13、a) 是七进制计数器，图 (b) 是十进制计数器，图 (c) 是十进制计数器 (6 7 . 15 6) 1 、假设将图 (a) 中与非门 G 的输出改接至 C r 端，而令 L D =1 ，电路变为六进制 2 、图 (b) 电路的输出采用的是余 三码 。 5.19 答案：方法是用 90 16=5 10 ，高位用 0101 作译码状态 , 低位用 1010 作译码状态，由此得到了置数端 L D 的连接方式。5.20 答案：图 (a) 为三进制，图 (b) 为四进制，图 (c) 为七进制，图 (d) 为十二进制，图 (e) 为三十七进制 5.21 解： 1. 对应 CP 的输出 Q a Q d Q
14、 c 和 Qb 的波形和状态转换图如以下图： 2 、按 Q a Q d Q c Qb 顺序电路给出的是 BCD 5421 码 3 、按 Q d Q c QbQ a 顺序电路给出的编码如以下图： 5.22 答案： 当 MN 为各种不同输入时，可组成四种不同进制的计数器 第六章 大规模集成电路6.1 填空 1 、按构成材料的不同，存储器可分为磁芯和半导体存储器两种。磁芯存储器利用 正负剩磁 来存储数据；而半导体存储器利用 器件的开关状态 来存储数据。两者相比，前者一般容量较 大 ；而后者具有速度 快 的特点。 2 、半导体存储器按功能分有 ROM 和 RAM 两种。 3 、 ROM 主要由 地址译
15、码器 和 存储矩阵 两局部组成。按照工作方式的不同进展分类， ROM 可分为 固定容的 ROM 、 PROM 和 EPROM 三种。 4 、* EPROM 有 8 数据线， 13 位地址线，则其存储容量为 2 13 8 。 5 、 PLA 一般由 与 ROM 、 或 ROM 和 反应逻辑网络 三局部组成。 6.2 6.36.46.56.6第七章 数模与模数转换器7.1 填空 1 、 8 位 D/A 转换器当输入数字量只有最高位为高电平时输出电压为 5V, 假设只有最低位为高电平，则输出电压为 40mV 。假设输入为 10001000 ，则输出电压为 5.32V 。 2 、 A/D 转换的一般步骤包括 采样 、 保持 、 量化 和 编码 。 3 、被转换信号的上限频率为 10kH Z ，则 A/D 转换器的采
