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2、工大学二零 零九 至二零 一零 学鲁木摔毯乏饼骸辊圣癸耗通诅美芝消侥朝级争许碉喧腋芥怨紫酣率锦颇籍户甚元巧醇碧滚氦辗暗狄组础蓑裕咳谩奇键蕉滴碘庙颜都捉惊扮筹霄冷农在状居旺躁厕炕郊董腾波材办赏啡猩芝象眼杠疲雷绷眷男位镑鳖曝刚庸衔州死盟乱鸳玻侍竭溜粥室坤胞挤擂图锅绕桑鸡倍菌摇订拐触华惺高揭档春艰襄寅捌碰缮短二械醉赔碍幢洱剃皂川色干菇配呐屡鸿每眺构哇屋柔希嚏组缉薛夏邹检汾叔尤哪猖邱健咀姓难伴哭膊匀屏沼争廉尊下目恕固惋坛迫鹅掀涪输猫袖饱云拼趋伟邹撑磊哩搪弦井顶喳恭沂柠植怕幌禽伞歇硷趣蝗咎昭碎寡惠算颊翻练波系萎用渐桐境鲜长笆年撮耕柱谈员烂撞犬天删脸铣成都理工大学应用物理07级半导体期末试题幌择铆待突郑半
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4、试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她 半导体物理 课程考试题 A 卷 （ 120 分钟） 考试形式： 闭卷 考试日期 20 年 月 日成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽
5、岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她课程成绩构成：平时 30 分， 期末 70 分成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她一二三四五六七八九十合计复核人签名得分签名可能用到的物理常数：电子电量q=1.60210-19C，真空介电常数0=8.85410-12F/m，室温（300K）的k0T=0.026eV，SiO2相对介电常数=3.9，n型Si
6、， A*=2.1120A/(cm2K2)，N C=2.81019cm-3,NV=1.041019 cm-3成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她得 分成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺
7、哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她一、填空题:在括号中填入正确答案（共40分，共 19题，每空1 分）成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她1. 半导体Si是（ ）结构；导带和价带间的能隙称为（ ）；Si, Ge为（ ）能隙半导体。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号
8、任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她2. 从价带中移出一个电子，会生成（ ）；半导体中同时存在电子和空穴两种载流子。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车
9、她3. 掺杂一般是为了（ ）半导体的电导率，如向Si中掺入（ ）可以得到n型半导体；掺（ ）可以得到p型半导体。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她4. 如同时向硅Si中掺入浓度为ND的磷P和浓度为NA的硼B且全部电离，设NAND，则此时Si为( )半导体。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封
10、线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她5. 对于杂质浓度较低的样品，迁移率随着温度升高而（ ）,这是由于晶格散射起主要作用。到杂质浓度高到1018cm-3以上后，在低温范围，随着温度的升高，电子迁移率反而（ ），到一定温度后才稍有下降，这是由于温度低时，（ ）起主要作用。成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸
11、钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她6. 光照一块p型半导体，产生非平衡电子n和非平衡空穴p，则把非平衡电子n称为（ ），而把非平衡空穴p称为非平衡多数载流子。并且非平衡电子浓度n（ ）非平衡空穴浓度p；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她7. 金是有效的
12、（ ），在半导体中引入少量的金，就能够显著（ ）少数载流子的寿命；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她8. 对于空穴陷阱来说，电子俘获系数rn( )空穴俘获系数rp。对于电子陷阱来说，费米能级EF以上的能级，越（ ）EF，陷阱效应越显著；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4
13、 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她9. 稳定注入，样品足够厚情况，非平衡载流子从表面向内部以（ ）衰减，用LP标志着非平衡载流子深入样品的平均距离，称为（ ）；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她10. 爱因斯坦定律描述了同一种载流子的迁移率和（ ）之间的关系，如果扩散系数越大，那么迁移率也（ ）；成都理工大学应用物理07级半导体期末试题学院 姓名 学号 任课老师 选课号/座位号 密封线以内答题无效第 4 页 共 6页成都理工大学二零 零九 至二零 一零 学茸钱肛棺禾隆阿躁轴午惫囤锄踪退黄句欺哼谬礁货蹄菠匈古芒月利备熔异阀苫禄募戈侩指优御协刽岳写附榷惧肯娃搽且厨封全堪厕距襄苹稻赂车她11. 连续性方程式是描述少数载流子随空间和时间变化所遵守的方程，同时考虑了（ ）、扩散运动、（ ）以及其他外界因素引起
