光电二极管特性参数的测量及原理应用

上传人:公**** 文档编号:471963767 上传时间:2023-09-09 格式:DOC 页数:21 大小:836KB
返回 下载 相关 举报
光电二极管特性参数的测量及原理应用_第1页
第1页 / 共21页
光电二极管特性参数的测量及原理应用_第2页
第2页 / 共21页
光电二极管特性参数的测量及原理应用_第3页
第3页 / 共21页
光电二极管特性参数的测量及原理应用_第4页
第4页 / 共21页
光电二极管特性参数的测量及原理应用_第5页
第5页 / 共21页
点击查看更多>>
资源描述

《光电二极管特性参数的测量及原理应用》由会员分享,可在线阅读,更多相关《光电二极管特性参数的测量及原理应用(21页珍藏版)》请在金锄头文库上搜索。

1、h武汉搏盛科技有限公司WuhanBOSENTechnologyCo.,Ltd.工作总结实验报告光电池/光敏电阻/光电二极管特性参数的测量指导人:朱小姐实验类型:工作检验及年终总结实验地点:搏盛科技光电子半导体实验室实验目的:销售技能的考察,产品及相关知识的了解情况,年终总结实验日期:2011年12月26日姓名:陈帅职位:销售工稈师手机号:15926350413Email:概述光电效应是指入射光子与探测器材料中的束缚电子发生相互作用,使束缚电子变成为由电子的效应。光电效应分为内光电效应与外光电效应两类。入射光子引起探测器材料表而发射电子的效应称为外光电效应。入射光子激发的载流子(电子或空穴)仍保

2、留在材料内部的效应称为内光电效应。内光电效应器件有光电导探测器(例如光敏电阻)、光生伏特器件(光电池、光电二极管、光电三极管)。实验内容测量三种内光电效应器件(光敏电阻、光电池、光电二极管)的特性参数。注意事项a)做实验请关灯,以达到良好的测量效果。b)拆卸数据线时不要用力硬拽,拆不下來请转个角度拆。c)请在H己的实验桌上做实验,不要到别的实验桌旁干扰同事做实验,更不耍动他人的仪器。d)请龙触摸光学镜片的表面。e)测量时不要碰导线,否则数据不稳定。更不能用力拉扯导线,导致接头脱落。f)实验完毕关闭所有电源开关。实验报告报告开头请填入姓名、职位、手机号、实验日期。实验完成后,请将报告打印出來,在

3、有实验数据、图表的页脚签名,然后交到朱小姐办公桌上。Word文件请以“实验报告+姓名”命名,发到朱小姐邮箱。请在元旦节前完成。光敏电阻的特性曲线测量一.目的耍求测量CdS(硫化镉)光敏电阻的伏安特性和光照特性。实验耍求达到:1、使用Excel或绘图软件Origin绘制出伏安特性特性曲线2、绘制出光照特性曲线3、理解光敏电阻的光电特性二.实验原理某些物质吸收了光子的能量产生本征吸收或杂质吸收,从而改变了物质电导率的现象称为物质的光电导效应。光电导效应只发生在某些半导体材料中,金属没有光电导效应。光敏电阻是基于光电导效应工作的元件。光敏电阻具有体积小,坚固耐用,价格低廉,光谱响应范围宽等优点。广泛

4、应用丁微弱辐射信号的探测领域。由丁光敏电阻没有极性,纯粹是一个电阻器件,只要把它当作电阻值随光照度而变化的可变电阻器对待即可,使用时既可加H流电压,也可以加交流电压。因此光敏电阻在电子电路、仪器仪表、光电控制、计量分析以及光电制导、激光外差探测等领域中获得了十分广泛的应用。hvbdl(1)则光敏层单位时何所吸收的比彊J玫冷度N战为:光敏层每秒产生的电子数密度Ge为:Ge=riN(2)耳为有效量子效率,表示入射光子转换为光电子的效率。它定义为:_单位时间内光电转换产生的有效电子空穴对数V、乃单位时间内入射光量子数理想情况下,入射一个光量子产生一对电子空穴,】=1。实际上,nu光敏层内电子总产生率

5、应为热电子产生率G与光电子产生率Ge之和:Ge+Gt=rjN+rt(4)在热平衡状态下,半导体的热电子产生率G与热电子复合率“相平衡。导带中的电子与价带中的空穴的总复合率R应为:R=Kf(M+njp+pj(5)式中,Kf为载流子的复合儿率,Ail为导带中的光生电子浓度,Ap为导带中的光生空穴浓度,皿与P,分别为热激发电子与空穴的浓度。同样,热电子复合率与导带内热电子浓度口及价带内空穴浓度P,的乘积成正比。即签名:第2页珥=KER(6)(8)在热平衡状态载流子的产生率应与复合率相等。即rjN+Kfnipi=Kf(An+n,.)(Ap+p)(7)在非平衡状态下,载流子的时间变化率应等丁载流子的总产

6、生率与总复合率的差:dAndt=rjN+Kfn1p1一Kf(n+n2)(Ap+pj=r/-V一KzXnAp+Apnf+AnpJ珥=KER(6)(8)珥=KER(6)(8)下而分为弱光与强光照射两种情况讨论式(8):在弱光照射下光生载流子浓度An远小丁热激发电子浓度11,光生空穴浓度Ap远小丁热激发空穴的浓度P”并考虑到本征吸收的特点,An=Ap,式(8)可简化为-=rjN-KfAn(ni+p,)(9)dt利用初始条件t=0时,A11=0,解微分方程得:=耳试(1-J%)(10)式中t=1衣血汁pj,称为载流子的平均寿命。由式(10)可见,光激发载流子浓度随时间按指数规律上升,当tT时,载流子浓

7、度An达到稳态值Ano,即达到动态平衡状态:心=(11)光激发载流子引起半导体电导率的变化为:Ab=叩“=VjgpN(12)式中,U为电子迁移率Un与空穴迁移率Up之和。光敏电阻受光照后阻值会变小也可以这么定性理解:当内光电效应发生时,固体材料吸收的能量使部分价带电子迁移到导带,同时在价带中留下空穴。这样材料中的载流子数目增加,材料的电导率也就增加。当光敏电阻两端加上电压U后,光电流为:Iph=GU(13)A为与电流垂氏的截而积,d为电极间的距离。入射光金属电极|光电导材料由式(12)与式(13)可知:在一定照度下,光敏电阻两端所加电压与光电流为线性关系,伏安特性Illi线符合欧姆定律。光敏电

8、阻具有与普通电阻相似的伏安特性,但它的电阻值是随入射光照度变化的。可以测出在不同光照下加在光敏电阻两端的电压与流过它的电流的关系曲签名:第3页线,即光敏电阻的伏安特性曲线,伏安特性曲线过零点,其斜率为某光照度下的电阻值。(3曙第4贞第4贞图1不同光照下光敏电阻的伏安特性曲线弱光照射下半导体材料的光电导g为:g=Act=巴坐竺n=兽戸(14)11hvl-可以看出,弱光照下的半导体材料的电导与光功率P成线性关系。光照度越大,电导越大,电阻的阻值越小。将式(14)两边微分得:dg=怦dP(15)hvr由此可得半导体材料在弱光照射下的光电导灵敏度:Sg=比=迥站(16)dPher可见,在弱光照射下的半

9、导体材料的光电导灵敏度与光电导材料两电极间的长度/的平方成反比,为与材料性质有关的常数。电导随光照量变化越大的光敏电阻就越灵敏。在一定外加电压下,光敏电阻的光电流与光通量之间的关系称为光照特性。光敏电阻阻值随光照的增加而减小。当照度很低时,光敏电阻的光照特性近似为线性关系,斜率大致相同。随光照度的增高,光照特性从线性渐变到非线性。当照度变得很高时,曲线近似为抛物线性。第4贞第4贞图2光敏电阻的光照特性曲线签名:第4贞在强光照射下JAAnii!,Appi,式(8)可以简化为:一=帀V叔一Kfn2(17)dt(n,Vt利用初始条件t=0时,411=0,解微分方程得:An=上丛tanh-(18)Kf

10、T式中I=1为强光照作用下载流子的平均寿命。在强光照情况下,半导体材料的光电导与光功率为抛物线关系:两边微分得:(TbdrjbdP2(19)hvKfl3)P2dP(20)半导体材料在强光照射下的光电导灵敏:S,=詈1=2(21)在强光照射下半导体材料的光电导灵敏度不仅与材料的性质有关而且与光照度有关,是非线性的。从图2可以看出,光照度越高,光电导灵敏度越低。三实验装置仪器设备主要有:导轨、光具座、LED光源、CdS光敏电阻、电源箱、数字检流计、硬纸片。光源为发光二极管,它具有效率高、体积小、耗电少、寿命长等优点,且改变电源电压可以改变LED灯亮度。为了充分利用光源,在光源后放置了透镜L】,这样

11、点光源经透镜Li为出射平行光,再经棱镜L2聚焦到光敏电阻上。为了减少环境光的影响,将光敏电阻置丁遮光筒内,遮光筒开有一小孔,供发光二极管的光照入。光照度的变化通过转动偏振片Pi和P2的夹角达到减光效果,由马吕斯定律:Z=/)cos2a(22)Io为当两偏振片平行时的出射光强。当两偏振片之间有夹角a时,光强就按式(22)减小,也就是起到减光效果。I为通过偏振片后的光强。实验所用光敏电阻为最常见的Cds(硫化镉)光敏电阻。它的光谱响应特性最接近人眼光谱光视效率,峰值响应波长为0.52Um,在可见光波段范围内的灵敏度最高,因此,被广泛三种光敏电阻的光谱响应特性四.实验步骤、测量内容(1)将发光二极管

12、的底座锁定螺丝顺时针拧紧,固定在滑轨上。打开发光二极管的电源盒背面的开关,将电源盒面板上的旋钮顺时针旋到底(即光照度开到最大)。将透镜L】滑动到距离发光二极管9厘米处(Li透镜的焦距),将底座的锁定螺丝顺时针拧紧在滑轨上。(2)光路同轴等高调节:将所有的器件调到同一高度,光束穿过各器件的中心。(3)在光敏电阻前立一张硬纸片。一边滑动透镜L2,边观察纸上的光斑,使光斑聚成尽可能小的光点。如果聚光效果仍不够好,可以在滑动透镜L2的同时,稍微滑动透镜Li,以达到良好的聚光效果。(4)撤掉硬纸片,将光敏电阻的黑色扇形挡板转开,露出光敏电阻黄色转盘上的小孔,观察光是否照进小孔。将导线的一端插入转盘上“光

13、敏电阻”背面的插口。背面有三个插口,耍插入到“光敏电阻”正背后的那个插口。插入即可,不必旋转。导线另一端连接到“LM07光电池光敏电阻综合实验仪”电控箱面板上的“光电阻”接口,将“MT数字检流计”电控箱背面的导线接到“LM07光电池光敏电阻综合实验仪”电控箱面板上的“光电流”接口,将电控箱上面板上的光电阻开关拨到开”的位置。(5)打开“LM07光电池光敏电阻综合实验仪”的电源开关。面板右上角的“电压调节”旋钮可调节“供给电压”(对光敏电阻施加的外部电压)。(6)将两只偏振片Pi、P2转盘上的0刻度线与标线对齐。打开“MT数字检流计”的电源开关。面板上显示的是光电流数值。如果光电流显示为1,表示

14、数值溢出了,请将增益旋钮逆时针旋到最小。将“供给电压”从10J8J6J4J2J01依次递减,把相应的光电流数值填入表1中。(7)旋转两偏振片中的一只,每次转15,宜到两偏振片的光轴夹角为90。每次转角度后,将“供给电压”从10J8J6J4J2J0V依次递减,把相应的光电流数值填入表1中。注意:由丁经常旋转偏振器的转盘,螺丝可能脱扣。即使两只转盘上的0。刻度线与标线对齐.并不代表真实情况是这样。可以转动其中一只偏振器的刻度盘,当光电流最大时,视作两偏振片的光轴夹角为0,然后再依次转15o签名:第#贞签名:五数据记录与绘图表1不同光照下加在光敏电阻两端的电压与流过它的电流的关系acos2aI(UA)u=ovU=2VU=4VU=6VU=8VU=10V900750.07600.25450.5300.75150.9301根据表1中的数据,使用Excel或绘图软件Origin绘制出如图1所示的光敏电阻伏安特性曲线。1UA=1x106a对表1中的数据进行线性拟合,电脑算出氏线的斜率,将斜率填入表2中。斜率的倒数即光敏电阻在不同光照度下的电阻值,将计算出的电阻值也填入表2中。1心=10勺表2光敏电阻阻值与光照度的关系acos2a伏安特性曲线的斜率k

展开阅读全文
相关资源
相关搜索

当前位置:首页 > 办公文档 > 解决方案

电脑版 |金锄头文库版权所有
经营许可证:蜀ICP备13022795号 | 川公网安备 51140202000112号