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1、 .本科毕业设计（论文）格式模板本彩页封面仅为电子稿样本，文本装订时请以班为单位到学院办公室领取纸质封面与资料袋后再装订毕业设计（论文）诚信声明本人重声明：所呈交的毕业设计（论文）是我个人在导师指导下进行的研究工作与取得的研究成果。就我所知，除了文中特别加以标注和致的地方外，论文中不包含其他人已经发表和撰写的研究成果，也不包含为获得华东交通大学或其他教育机构的学位或证书所使用过的材料。如在文中涉与抄袭或剽窃行为，本人愿承当由此而造成的一切后果与责任。本人签名_ 导师签名_年 月 日华东交通大学毕业设计任务书学号毕业届别专 业毕业设计（论文）题目指导教师学 历职 称具体要求：进度安排： 指导教师
2、签字： 年 月 日教研室意见： 教研室主任签字： 年 月 日题目发出日期设计（论文）起止时间附注：华东交通大学毕业论文开题报告书课题名称课题来源课题类型导 师学生学 号专 业开题报告容： 方法与预期目的： 指导教师签名： 日期：课题类型：（1）A工程设计；B技术开发；C软件工程；D理论研究； （2）X真实课题；Y模拟课题；Z虚拟课题 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(1)学号专业毕业设计(论文)题目指导教师评语：得分指导教师签字：年 月 日评阅人评语：得分评阅人签字：年 月 日等级华东交通大学毕业设计(论文)评阅书(2)学号专业毕业设计(论文)题目答辩小
3、组评语：等级 组长签字：年 月 日答辩委员会意见： 等级 答辩委员会主任签字：年 月 日（学院公章）注：答辩小组根据评阅人的评阅签署意见、初步评定成绩，交答辩委员会审定，盖学院公章。“等级”用优、良、中、与、不与五级制（可按学院制定的毕业设计(论文)成绩评定方法评定最后成绩）。华东交通大学毕业设计（论文）答辩记录学号毕业届别专业题目答辩时间答辩组成员（签字）：答辩记录：记录人（签字）：年 月 日 答辩小组组长（签字）：年 月 日附注： / 中文摘要：独占一页；论文题目用小2号黑体字、居中页眉：中文宋体，小五号，居中III-族氮化物与其高亮度蓝光宋体，5号，对齐居中LED外延片的MOCVD生长和
4、性质研究摘要用3号黑体字、居中专 业： _ 指导 摘要正文用小4号宋体字 宽禁带III族氮化物半导体材料在短波长高亮度发光器件、短波长激光器、光探测器以与高频和大功率电子器件等方面有着广泛的应用前景。自1994年日本日亚化学工业公司率先在国际上突破了GaN基蓝光LED外延材料生长技术以来，美、日等国十余家公司相继报导掌握了这项关键技术，并分别实现了批量或小批量生产GaN基LED。尽管如此，这项高技术仍处于高度状态，材料生长的关键思想与核心技术仍未公开，还无法从参考文献与专利公报中获取最重要的材料生长信息。本论文就是在这种情况下立题的，旨在研究GaN基材料生长中的物理与化学问题，为生长可商品化的
5、高亮度GaN基LED外延材料提供科学依据。本文在自制常压MOCVD和英国进口MOCVD系统上对III族氮化物的生长机理进行了研究，对材料的性能进行了表征。通过设计并优化外延片多层结构，生长的蓝光LED外延片质量达到了目前国际上商品化的中高档水平。并获得了如下有创新和有意义的研究结果：1首次提出了采用偏离化学计量比的缓冲层在大晶格失配的衬底上生长单晶膜的思想，并在GaN外延生长上得以实现。采用这种缓冲层，显著改善了GaN外延膜的结晶性能，使GaN基蓝光LED器件整体性能大幅度提高，大大降低了GaN基蓝光LED的反向漏电流，降低了正向工作电压，提高了光输出功率。本文得到了国家863计划、国家自然科
6、学基金以与教育部发光材料与器件工程研究中心项目的资助。关键词用小4号黑体字、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔 关键词：氮化物； MOCVD； LED；卢瑟福背散射沟道；光致发光；光透射谱 页眉：外文Times New Roman字体，五号，居中的居中英文摘要：独占一页；论文题目用Times New Roman字体小2号加粗、居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness blue LED wafers ABSTRACT用Times New Roman字体3号加粗、居中Abstract正
7、文用Times New Roman字体小4号 GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technologies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.Mo
8、re than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical
9、 vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 62” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materi
10、als growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling s
11、pectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.This work was supported by 863 program in China.关键词用Times New Roman小4号加粗、居左顶格、单独占行，关键词之间用分号间隔 Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption页眉：中文宋体，小五号，居中目录目录用小2号黑体字、居中摘要Abstract第一章 GaN基半导体材料与器件进展（多数文章为“绪论”）11 .1III族氮化物材料与其器件的进展与应用11. 2III族氮化物的基本结构和性质41. 3掺杂和杂质特性121. 4 氮化物材料的制备131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料与其
