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1、-模拟电子技术复习资料总结第一章半导体二极管一.半导体的根底知识1.半导体-导电能力介于导体和绝缘体之间的物质(如硅Si、锗Ge)。2.特性-光敏、热敏和掺杂特性。3.本征半导体-纯洁的具有单晶体构造的半导体。4. 两种载流子-带有正、负电荷的可移动的空穴和电子统称为载流子。5.杂质半导体-在本征半导体中掺入微量杂质形成的半导体。表达的是半导体的掺杂特性。 *P型半导体:在本征半导体中掺入微量的三价元素多子是空穴，少子是电子。 *N型半导体: 在本征半导体中掺入微量的五价元素多子是电子，少子是空穴。6. 杂质半导体的特性*载流子的浓度-多子浓度决定于杂质浓度，少子浓度与温度有关。*体电阻-通常
2、把杂质半导体自身的电阻称为体电阻。*转型-通过改变掺杂浓度，一种杂质半导体可以改型为另外一种杂质半导体。7. PN结 * PN结的接触电位差-硅材料约为0.60.8V，锗材料约为0.20.3V。 * PN结的单向导电性-正偏导通，反偏截止。 8. PN结的伏安特性二. 半导体二极管 *单向导电性-正向导通，反向截止。 *二极管伏安特性-同结。 *正向导通压降-硅管0.60.7V，锗管0.20.3V。 *死区电压-硅管0.5V，锗管0.1V。3.分析方法-将二极管断开，分析二极管两端电位的上下:假设 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 V阴( 正偏 )，二极管导通(短路);假设 V阳 u-时，uo=+Uom 当u+u-时，uo=-Uom 两输入端的输入电流为零: i+=i-=0 第七章放大电路中的反应一. 反应概念的建立开环放大倍数闭环放大倍数反应深度
