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1、1按光调制方式分类， 光束调制分为 强度调制，相位调制，频率调制，波长调制和偏振调制。 2利用外界因素，对光纤中光波相位的变化来探测各种物理量的探测器称为相位干涉型探测器。3半导体激光发光是由 能带之间的电子空穴对负荷产生的。4固体激光器发光是以 掺杂型离子 绝缘晶体 或玻璃为工作物质的激光器。5对光探测器的要求包括线性度好，灵敏度高，性能稳定。6光纤传送中常用的光电探测器有 光电二极管，光电倍增 管，光敏电阻7红外探测器的响应波长范围或光谱范围是表示电压响应率与入射红波长响应率。8光子探测是利用半导体材料在入射光照射下产生光子效应。9当红外辐射照在半导体表面时，电子空穴由束缚态变为自由态使半
2、导体电性能现象称为光电导现象。10利用温差电势现象制成的红外探测器称为热电耦型。11. 任何物质只要温度高于 0K就会向外辐射红外线。12. 红外无损检测是通过测量 热流或热量 来检测金属内部损耗。13. 内光电探测器分为 光电导，光伏特和光磁电探测器。14. 红外探测器的性能参数主要包括 电压响应率，噪声等效功率和时间参数。15. 以下应用采用了红外技术的有 裂纹探测，焊接，军事侦察，夜视。16. 波长在1-1000微米的电磁波被物体吸收时可以显著转化为热能。17. 红外线，可见光，紫外射线，x射线，微波以及无线电波构成电磁波谱。（错）Y射线18. 红外辐射在大气辐射时由于大气中的气体，液体
3、产生散射受到衰减。19. 辐射出射度是辐射体单位面积向半空间发射的辐射通量（辐射功率）。（对）20. 光电池是利用 光生伏特效应 产生电能。21. 简述外光电效应，内光电效应和光生伏特效应。光照射到金属上，引起物质的电性质发生变化。这类光变致电的现象被人们统称为光电效应.光电效应分为光电子发射、光电导效应和光生伏特效应。前一种现象发生在物体表面， 又称外光电效应。后两种现象发生在物体内部，称为内光电效应。光生伏特效应： 在光的作用下，产生一定方向一定大小的电动势的现象，叫作光生伏特效应。|22. 简述光敏电阻的主要参数。（三种即可）光敏电阻器的主要参数有暗电流（ID）、时间常数、温度系数、灵敏
4、度等。1 暗电流 暗电流是指在无光照射时，光敏电阻器在规定的外加电压下通过的电流。2时间常数 时间常数是指光敏电阻器从光照跃变开始到稳定亮电流的63%时所需的时间。3 电阻温度系数 温度系数是指光敏电阻器在环境温度改变1C时，其电阻值的相对变化。4 灵敏度 灵敏度是指光敏电阻器在有光照射和无光照射时电阻值的相对变化。 23简述光电池的工作原理。在一块N形硅片表面，用扩散的方法掺入一些P型杂质，形成PN结，光这就是一块硅光电池。当照射在PN上时，如光子能量hv大于硅的禁带宽度 E时，则价带中的电子跃迁到 导带，产生电子空穴对。因为PN结阻挡层的电场方向指向P区，所以，任阻挡层电场的作用下，被光激
5、发的电子移向N区外侧，被光激发的空穴移向P区外侧，从而在硅光电池与PN结平行的两外表而形成电势差，P区带正电，为光电池的正极，N区带负电，为光电池的负极。照在PN结上的光强增加，就有更多的空穴流向P区，更多的电子流向 N区，从而硅光电池两外侧的电势差增加。如上所述，在光的作用下，产生一定方向一定大小的电动势的现象，叫作光生伏特效应。24. 请比较光电二极管和光电池的类同点。相同：都是利用利用内光电效应，光照射PN结产生光生电子，光生空穴对；不同：光电二极管的PN结需要反向偏置，而光电池的PN结不需要反向偏置即可工作。25. 简述什么是光电导的弛豫现象。光电流的变化对光在时间上有一个滞后，光电导材料从光照开始到获得稳定的光电流是要经过一定时间的。同样光照停止后光电流也是逐渐消失的。这些现象称为弛豫过程或惰性。26. 热辐射光纤温度探测器是利用光纤内产生的热辐射来探测温度的一种器件。（对）27. 当红外辐射照射在热敏电阻上时，其温度升高，电阻升高。（错）电阻变小28. 当恒定的红外辐射照射在热释电探测器上时探测器才有电信号输出。（错）不需要恒定
