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1、第一部分 半导体的基本知识二极管、三极管的结构、特性及主要参数；掌握饱和、放大、截止的基本概念和条件。1、 导体导电和本征半导体导电的区别：导体导电只有一种载流子：自由电子导电 半导体导电有两种载流子：自由电子和空穴均参与导电 自由电子和空穴成对出现，数目相等，所带电荷极性不同，故运动方向相反。2、 本征半导体的导电性很差，但与环境温度密切相关。3、 杂质半导体（1）N型半导体掺入五价元素 （2）P型半导体掺入三价元素 4、 PN结P型半导体和N型半导体的交界面反向电压超过一定值时，就会反向击穿，称之为反向击穿电压在交界面处两种载流子的浓度差很大；空间电荷区又称为耗尽层 5、 PN结的单向导电
2、性外加电压 正向偏置 反向偏置6、 二极管的结构、特性及主要参数（1）P区引出的电极阳极；N区引出的电极阴极温度升高时，二极管的正向特性曲线将左移，反向特性曲线下移。二极管的特性对温度很敏感。其中，Is为反向电流，Uon为开启电压，硅的开启电压0.5V，导通电压为0.60.8V，反向饱和电流0.1A，锗的开启电压0.1V，导通电压为0.10.3V，反向饱和电流几十A。 （2）主要参数 1）最大整流电流I：最大正向平均电流 2）最高反向工作电流U：允许外加的最大反向电流，通常为击穿电压U的一半 3）反向电流I：二极管未击穿时的反向电流，其值越小，二极管的单向导电性越好，对温度越敏感 4）最高工作
3、频率f：二极管工作的上限频率，超过此值二极管不能很好的体现单向导电性 7、稳压二极管 在反向击穿时在一定的电流范围内（或在一定的功率耗损范围内），端电压几乎不变，表现出稳压特性，广泛应用于稳压电源和限幅电路中。（1） 稳压管的伏安特性 （2）主要参数 1）稳定电压U：规定电流下稳压管的反向击穿电压 2）稳定电流I：稳压管工作在稳定状态时的参考电流。电流低于此值时稳压效果变坏，甚至根本不稳压，只要不超过稳压管的额定功率，电流越大稳压效果越好。 【附加】限流电阻：由于稳压管的反向电流小于I时不稳定，大于最大稳定电流时会因超过额定功率而烧坏，故要串联一个限流电阻保证稳压管正常工作。3）额定功率P：等
4、于稳定电压U与最大稳定电流I的乘积。超过此值时稳压管会因为结温度过高而损坏。4）动态电阻r：在稳压区，端电压变化量与电流变化量之比。r越小，说明电流变化时稳定电压的变化越小，稳压特性越好。5）温度系数：表示电流不变时，温度每变化1稳压值的变化量，即=U/T。 U7V时，为正值，即温度升高时稳定电压值上升； 4U7V时，很小，近似为零，性能稳定。7、 双极型晶体管晶体三极管半导体三极管晶体管的结构、特性及主要参数主要以NPN型硅管为例讲解放大作用、特性曲线和主要参数放大是对模拟信号最基本的处理。晶体管是放大电路的核心元件，它能控制能量的转换，将输入的任何微小变化不失真地放大输出，放大的对象是变化
5、量。 Ie：发射区杂质浓度高，基区杂质浓度低，大量自由电子越过发射结到达基区。Ib：基区很薄，杂质浓度低Ic：集电结外加反向电压且结面积较大，基区的非平衡少子越过集电结到达集电区，形成漂移电流。可见，在Vcc的作用下，漂移运动形成集电极电流Ic。 P区很薄且杂质浓度很低，发射区-上层的N区杂质浓度很高，集电区-下层的N区面积很大上述三个区域的特点与晶体管的外特性紧密相关。 （2）特性曲线 （3）主要参数 1)直流参数 共射直流电流系数 共基直流电流放大系数 极间反向电流硅管的温度稳定性比锗管的好 发射极开路时集电结的反向饱和电流Icbo 基极开路时集电极与发射极间的穿透电流Iceo 2）交流参
6、数 共射交流电流系数 共基交流电流放大系数 特征频率fT使下降到1的信号频率称为特征频率 3）极限参数为使晶体管安全工作对它的电压、电流和功率耗损的限制 最大集电极耗散功率P是一个确定的值 决定于晶体管的温升。P=iu=常数最大集电极电流I 使明显减小的i即为I极间反向击穿电压 第二部分 基本放大电路及多级放大电路晶体管放大电路的组成和工作原理。掌握图解分析法和等效模型分析法。掌握放大电路的三种组态及性能特点。电路的三种耦合方式及特点，动态和静态的分析方法。1、 放大的概念放大的前提是不失真，即只有在不失真的情况下放大才有意义。晶体管和场效应管是放大电路的核心元件。任何稳态信号都可以分解为若干
7、频率正弦信号的叠加，所以放大电路以正弦波为测试信号。2、 基本共射放大电路的工作原理（1）设置静态工作点的必要性 1）静态工作点I 、I 、U 2）原因 不设置静态工作点会使输出电压严重失真，输出电压也毫无变化。 Q点不仅会影响电路是否会产生是真，还会影响着放大电路几乎所有的动态系数。（2） 工作原理及波形分析 所以选择合适的静态工作点才不会使输出波形产生非线性失真。基本共射放大电路的电压放大作用是利用晶体管的电流放大作用，并依靠Rc将电流的变化转化成电压的变化来实现。3、 放大电路的组成原则（1）组成原则 1） 必须根据所用放大管的类型提供直流电源，以便设置合适的静态工作点并做为输出的能源。
8、 2）电阻取值适当，与电源配合，使放大管有合适的静态工作电流。3）输入信号必须能够作用于放大管的输入回路。4）当负载接入时，必须保证放大管输出回路的动态电流能够作用于负载，从而使负载获得比输入信号大得多的信号电流或信号电压。 （2）常见的两种共射放大电路 1）直接耦合共射放大电路电路中信号源与放大电路，放大电路与负载电阻均直接相连，故称其为“直接耦合”。 2）阻容耦合共射放大电路 由于C1用于连接信号源与放大电路，电容C2用于连接放大电路与负载，在电子电路中起连接作用的电容就称为耦合阻容。4、 放大电路的分析方法求静态工作点和各项动态参数（1）直流通路与交流通路 直流通路研究静态工作点：电容视
9、为开路；电感线圈视为短路；信号源视为短路，但要保留其内阻。 交流通路研究动态参数：容量大的电容（如耦合电容）视为短路；无内阻的直流电源（如+Vcc）视为短路。（2）图解法多分析Q点位置、最大不失真电压和失真情况 （3）等效电路法 1）晶体管的直流模型及静态工作点的估算法 直流模型 2）晶体管共射h参数等效模型只能用于放大电路动态小信号参数的分析 共射h参数等效模型（4）静态工作点稳定的必要性 1）影响Q点不稳定的因素中温度对晶体管参数的影响最大。 2）稳定静态工作点的措施利用负反馈或温度补偿5、晶体管单管放大电路的三种基本接法及性能特点 接法的判断：输入电压和输出电压的公共端 组态性能共射组态
10、共集组态共基组态.Ai大大小.Au大小小Ri中rbe大rbe+(1+)Re小rbe/(1+)Ro中rce小(rbe+Rs)/(1+)大(1+)rce频率响应差较好好6、 多级放大电路的耦合方式、特点，动态和静态分析方法（1）三种：直接耦合、阻容耦合、变压耦合1）直接耦合 前一级的输出端直接连接到后一级的输入端。 直接耦合多级放大电路常采用的是NPN和PNP型管混合使用的方法，在图（d）中，为使T2工作在放大区，T2管的集电极电位应该低于T1管的集电极电位。优点：具有良好的低频特性，可以放大变化缓慢的信号；没有大容量的电容，便于集成。缺点：静态工作点相互影响，带来一定困难；有零点漂移现象。 【附
11、加】零点漂移：输入电压为零时而输出电压不为零且有缓慢变化。，温度是主要原因，故又称其为温度漂移。 2）阻容耦合 前一级的输出端通过电容连接到后一级的输入端T1：共射T2：共集 优点：各级静态工作点相互独立；适合于信号频率较高的电路。 缺点：低频性能差，不能放大变化缓慢的信号，不易于集成。3）变压器耦合 将前一级的输出端通过变压器接入到后一级的输入端或负载电阻上。 优点：各级静态工作点相互独立，可实现阻抗变换。 缺点：低频性能差，不能放大变化缓慢的信号，不易于集成。（2）多级放大电路的动态分析 上式即为多级放大电路的电压放大倍数 输入电阻为第一级的输入电阻：Ri=Ri1 输出电阻为最后一级的输出电阻：Ro=Ron 【注意】 当共集放大电路做为第一级时，它的输入电阻与其负载，即第二级的输入电阻有关；当共集放大电路作为最后一级时，它的输出电阻与其信号源内阻，即倒数第二级的输出电阻有关。 当多级放大电路的输出波形产生失真时，首先确定是哪一级失真，再判断是饱和失真还是截止失真。第三部分 反馈和反馈放大电路反馈的基本概念：正、负反馈；电压、电流、串联、并联负反馈；掌握反馈类型和极性判断，引入负反馈对放大性能的影响。估算深度负反馈电路的输出、输入间的关系。第四部分 运算电路 比例、
