大连理工大学21秋《机械精度设计与检测技术》在线作业二答案参考5

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1、大连理工大学21秋机械精度设计与检测技术在线作业二答案参考1. 车削时,从刀具传散的热量最多,其次依次是切屑、工件、周围介质等。( )车削时,从刀具传散的热量最多,其次依次是切屑、工件、周围介质等。()错误车削加工时,切削热传出的大致比例为:切屑占50%86%,刀具占40%10%,工件占9%3%,周围介质占1%左右。2. 在下列铸铁中可采用调质、等温淬火工艺方法以提高力学性能的是( )。 A灰铸铁 B球墨铸铁 C可锻铸铁 D在下列铸铁中可采用调质、等温淬火工艺方法以提高力学性能的是()。A灰铸铁B球墨铸铁C可锻铸铁D蠕墨铸铁B3. 有一个额定值为220V、500W的电炉,接在220V的交流电源

2、上,求通过电阻炉的电流和它的阻值。如果连有一个额定值为220V、500W的电炉,接在220V的交流电源上,求通过电阻炉的电流和它的阻值。如果连续使用一个小时,所消耗的电能是多少?参考答案:I=P/U-=500/220=2.273AR=U2/P=2202/500=96.8W=Pt=500W1h=0.5Kw1h=0.5度4. 金属表面转化膜有哪些主要用途?金属表面转化膜有哪些主要用途?金属表面转化膜能提高金属表面的耐蚀性、减摩性、耐磨性和装饰性,还能提高有机涂层的附着性和抗老化性,用作涂装底层。此外,有些表面转化膜还可提高金属表面的绝缘性和防爆性。5. 程序段G94 X30 Z-5 F0.3中,(

3、 )的含义是端面车削的终点。 AX30 BX30 Z-5 CZ-5 DF0.3程序段G94 X30 Z-5 F0.3中,()的含义是端面车削的终点。AX30BX30 Z-5CZ-5DF0.3B6. 刀具返回参考点的指令有几个?各在什么情况下使用?刀具返回参考点的指令有几个?各在什么情况下使用?刀具返回参考点的指令有两个。G28指令可以使刀具从任何位置以快速定位方式经中间点返回参考点,常用语刀具自动换刀的程序段。G29指令使刀具从参考点经由一个中间点而定位于定位终点。它通常紧跟在G28指令之后。用G29使所有的被指令的轴以快速进给经由以前G28指令定义的中间点,然后到达指定点。7. 若一个动态环

4、节的传递函数乘以1s,说明对该系统串联了一个_环节。若一个动态环节的传递函数乘以1/s,说明对该系统串联了一个_环节。参考答案:积分8. 过盈配合,允许孔轴间有相对运动,也便于装配。( )A.正确B.错误参考答案:B9. 最小实体状态的理想形状的包容面,称为( )。A.最小实体实效边界B.最小实体边界C.最小实效边界D.最小边界参考答案:B10. 回火索氏体与索氏体相比,其综合力学性能( ) (A)好些 (B)差不多 (C)差些回火索氏体与索氏体相比,其综合力学性能()(A)好些(B)差不多(C)差些A11. 标准GB/T是指( )。A.推荐性国家标准B.国际标准C.强制国家标准D.一般性规范

5、参考答案:A12. 30F7中,F代表( )。A.基本偏差代号B.公差大小C.公差等级D.以上选项都不对参考答案:A13. 绝对式脉冲发生器的码道数越多,则其绝对分辨率( )。 A越低 B越高 C不变 D可能高,也可能低绝对式脉冲发生器的码道数越多,则其绝对分辨率()。A越低B越高C不变D可能高,也可能低B绝对式脉冲发生器分辨率取决于码道数的多少,码道数越多则分辨路越高。14. 被磁化后,去掉外加磁场后不容易退磁的材料是_。 A软磁材料 B永磁材料 C半硬磁材料 D超导材料被磁化后,去掉外加磁场后不容易退磁的材料是_。A软磁材料B永磁材料C半硬磁材料D超导材料B15. 有一车床主轴调速系统,由

6、直流电动机拖动,电动机的额定数据为:UN=220V,IN=40A,PN=7.5KW,nN=1500r/min。采用三有一车床主轴调速系统,由直流电动机拖动,电动机的额定数据为:UN=220V,IN=40A,PN=7.5KW,nN=1500r/min。采用三相半控桥式可控整流电路,交流电源由380V电网经A/Y接变压器降压供电。试求:(1)变压器副边相电压、相电流的有效值和容量;(2)选择晶闸管。(1)输出电压的平均值Ud=2.34U2pcos 因电动机负载有滤波电抗器L,电流波形近似一水平线,且控制角=0时Ud=220V为最大,故 考虑到变压器、电抗器和晶闸管的内压降等,取变压器副边相电压有效

7、值U2=1.1U2p=1.194V=103V 变压器副边电流有效值 则S=3U2I2=310332.8VA=10.1KVA (2)每只晶闸管的导通角=120,允许的电流平均值 考虑安全系数,则选晶闸管的额定电流IT=(1.52)IT=(1.52)14.7A=(2229.4)A取IT为30A。 晶闸管承受的最大反向电压 考虑安全系数,则选晶闸管的额定电压UDRM=URRM=(23)Um=(23)252V=(504756)V 取UDRM为700V。 故选取3CT30700型晶闸管。 16. G00 X50 Z120;中X和Z后面的数值是目标位置在( )的坐标。 A机械坐标系 B工件坐标系 C增量坐

8、标系 D三G00 X50 Z120;中X和Z后面的数值是目标位置在()的坐标。A机械坐标系B工件坐标系C增量坐标系D三维坐标系B17. 在下列条件中,( )是单件生产的工艺特征。 A广泛使用专用设备 B有详细的工艺文件 C广泛采用夹具进行安在下列条件中,()是单件生产的工艺特征。A广泛使用专用设备B有详细的工艺文件C广泛采用夹具进行安装定位D使用通用刀具和万能量具D单件生产多采用通用夹具、刀具和量具,靠直接找正进行安装定位。18. ( )是检验工件最大实体极限尺寸的量规。A.通规B.止规C.塞规D.卡规参考答案:A19. 60g9以下偏差ei为基本偏差。( )A.正确B.错误参考答案:B20.

9、 某化肥厂由国外进口的30万吨氨合成塔,在吊装时吊耳与塔体连接的12个螺栓全部突然断裂。经检验,螺栓材料为与某化肥厂由国外进口的30万吨氨合成塔,在吊装时吊耳与塔体连接的12个螺栓全部突然断裂。经检验,螺栓材料为与热轧20钢相近的碳钢,强度不高。显然,事故是由()引起的,原因乃()错误(A)塑性断裂(B)脆性断裂(C)选材(D)热处理A$C21. 在变应力中,如果周期、应力幅和平均应力中有一个不同,则称该应力为_。 A稳定变应力 B非稳定变应力在变应力中,如果周期、应力幅和平均应力中有一个不同,则称该应力为_。A稳定变应力B非稳定变应力C非对称循环变应力D脉动循环应力B22. 简述铝及铝合金阳

10、极氧化膜的结构。简述铝及铝合金阳极氧化膜的结构。铝及铝合金的阳极氧化膜表面是多孔蜂窝状的,具有二层结构,靠近基本的是一层厚度为0.010.05m、致密的纯Al2O3膜,硬度高,此层为阻挡层;外层为多孔氧化膜层,由带结晶水的Al2O3组成,硬度较低。23. 齿轮副侧隙用什么方法获得?齿轮副侧隙用什么方法获得?把轮齿切薄或(和)调整齿轮副的中心距。24. 过渡配合的同轴性比间隙配合好。( )A.正确B.错误参考答案:A25. 调质处理是指_和_相结合的工艺。调质处理是指_和_相结合的工艺。淬火$高温回火26. 设计非液体摩擦滑动轴承时,应合理地选定宽径比,值过小会造成( ) A边缘摩擦 B轴承温升

11、增大 C油膜容设计非液体摩擦滑动轴承时,应合理地选定宽径比,值过小会造成()A边缘摩擦B轴承温升增大C油膜容易形成,承载能力提高D润滑油从两端流失,导致润滑不良,使磨损加剧D27. 表面粗糙度的常用的检测方法包括( )。A.粗糙度样板比较法B.针描法C.光切法D.以上选项都对参考答案:D28. 箱体加工时一般可考虑采用箱体上重要的孔作为( )。 A工件的夹紧面 B精基准 C粗基准 D测量基准面箱体加工时一般可考虑采用箱体上重要的孔作为()。A工件的夹紧面B精基准C粗基准D测量基准面C29. 封闭环一般在零件图上不进行标注。( )A.正确B.错误参考答案:A30. 下列不属于丝杠精度的是( )A

12、.螺旋线轴向公差B.大径、中经和小径的极限偏差C.中径尺寸非一致性公差D.牙型半角极限偏差参考答案:C31. 止规是检验工件最小实体极限尺寸的量规。( )A.正确B.错误参考答案:A32. 确定液体动压轴承轴颈在轴承中的位置的两个参数是_。确定液体动压轴承轴颈在轴承中的位置的两个参数是_。偏心距e和最小油膜厚度hmin。33. 在FANUC15系统中所采用的高分辨率绝对脉冲编码器,若每转输出脉冲数为100万个,最高允许转速10000rmin。如果在FANUC15系统中所采用的高分辨率绝对脉冲编码器,若每转输出脉冲数为100万个,最高允许转速10000r/min。如果将它和导程为10mm的进给滚

13、珠丝杠相连接,那么理论上可以达到的最小位移检测单位是()。A0.001umB0.01umC0.1umD1umB34. 下列是几何要素按存在的状态分类的是( )。A.轮廓要素B.中心要素C.被测要素D.理想要素参考答案:D35. 采用包容要求的尺寸要素对应的实际轮廓应遵守( )A.其体外作用尺寸不得超过最大实体尺寸,且其局部实际尺寸不得超出最小实体尺寸B.其体外作用尺寸不得超过最小实体尺寸,且其局部实际尺寸不得超出最小实体尺寸C.其体外作用尺寸需超过最大实体尺寸,且其局部实际尺寸需超出最小实体尺寸D.其体外作用尺寸需超过最小实体尺寸,且其局部实际尺寸需超出最大实体尺寸参考答案:A36. 试画出用一条高位地址线控制片选二片2K8位存储器芯片连接线路。试画出用一条高位地址线控制片选二片2K8位存储器芯片连接线路。可用一条高位地址线加一个非门,对两片存储器芯片实现片选。如图7-5所示,当A11为低电平时选通芯片,A11为高电平时选通芯片。在上述方式下,二片存储芯片的地址空间分别为: 芯片:0000H07FFH;芯片:0800H0FFFH。

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