《第一章电力半导体器件基础教育》由会员分享，可在线阅读，更多相关《第一章电力半导体器件基础教育（11页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、电力电子变流技术试题汇总（第一章 电力半导体器件）一、 填空题1. 晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是，阳极、门极和_阴_极。2. 晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，是晶闸管允许连续通过_工频_正弦半波电流的最大平均值。3. 处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极承受正向电压，且_门极加上正向电压 _时，才能使其开通。4. 晶闸管额定通态平均电流IVEAR是在规定条件下定义的，条件要求环境温度为_+400_。5. 对同一只晶闸管，断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上有UDSM_小于_UBO。6. .对同一只晶闸管，维持电流IH与擎住电流IL在数值大小上有IL_（24
2、）_IH。7. .晶闸管反向重复峰值电压等于反向不重复峰值电压的_90%_。8. 普通逆阻型晶闸管的管芯是一种大功率_四_层结构的半导体元件。9. 可关断晶闸管（GTO）的电流关断增益off的定义式为。10. 晶闸管门极触发刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为_擎住电流IL_。11. .晶闸管的额定电压为断态重复峰值电压UDRm和反向重复峰值电压URRm中较_小_的规化值。12. 普通晶闸管的额定电流用通态平均电流值标定，双向晶闸管的额定电流用_有效值_标定。13. 普通晶闸管属于_半控型_器件，在整流电路中，门极的触发信号控制晶闸管的开通，晶闸管的关断由交流电
3、源电压实现。14. IGBT的功率模块由IGBT和_快速二极管_芯片集成而成。15. 对于同一个晶闸管，其维持电流IH_ 小于_擎住电流IL。16. 2.可用于斩波和高频逆变电路，关断时间为数十微秒的晶闸管派生器件是_快速晶闸管_。17. 功率集成电路PIC分为二大类，一类是高压集成电路，另一类是_智能功率集成电路（SPIC）。18. 晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压UBO数值大小上应为，UDSM_90% UBO。19. 功率晶体管缓冲保护电路中的二极管要求采用_快速_型二极管，以便与功率晶体管的开关时间相配合。20. 晶闸管串联时，给每只管子并联相同阻值的电阻R是_解决静态不均压_措施
4、。21. 晶闸管断态不重复峰值电压UDSM与断态重复峰值电压UDRM数值大小上应有UDSM_小于_UDRM。22. 波形系数可以用来衡量具有相同的平均值，而波形不同的电流有效值_的大小程度。23. 当晶闸管_阳极加反向电压_时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在关断状态。24. 逆导型晶闸管是将逆阻型晶闸管和_大功率二极管_集成在一个管芯上组成的。25. 当晶闸管阳极承受_反向电压_时，不论门极加何种极性的触发信号，管子都处于断态。26. 使已导通的晶闸管关断的条件是使流过晶闸管的电流减小至_维持电流IH_以下。27. 在双向晶闸管的4种触发方式中，_+_方式的触发灵敏度最低。28.
5、在晶闸管的两端并联阻容元件，可抑制晶闸管关断_。29. 当晶闸管承受反向电压时，不论门极是否有触发电流，晶闸管都将工作在_关断_状态。30. 晶闸管工作过程中，管子本身产生的损耗等于流过管子的电流乘以管子_两端的电压_。31. 维持电流IH是指晶闸管维持通态所需的_最小阳极_电流。32. 对于普通晶闸管，在没有门极触发脉冲的情况下，有两种因素会使其导通，一是正向阳极电压UA过高，二是_反向阳极电压UA过高_。33. 为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过 不触发区。34. 由逆阻型晶闸管和整流管集成的晶闸管称为_逆导型晶闸管_。35. 反向重复峰值电压URRM等于反向不重复峰值电压URSM的
6、90% 。36. 按照控制信号的性质来分，晶闸管是属于_电流_驱动型电力电子器件。37. 晶体管开通时间ton=_td+tr_。38. 擎住电流IL是指使晶闸管刚刚从断态转入通态，并在移去触发信号之后，能维持通态所需的 最小阳极 电流。39. 晶闸管通态(峰值)电压UTm是_ 晶闸管以倍或规定倍数的额定通态平均电流时的瞬时峰值电压值 _40. IGBT是一种_MOSSEFE_驱动的电子器件。41. 电力晶体管的安全工作区由_四_条曲线限定。42. 晶闸管的通态平均电流IVEAR的波形系数Kf= 。43. 波形系数可以用来衡量具有相同电流平均值_，而波形不同的电流有效值的大小程度。二、 选择题。
7、1.造成在不加门极触发控制信号即使晶闸管从阻断状态转为导通状态的非正常转折有二种因素，一是阳极的电压上升率du/dt太快，二是( C )A.阳极电流上升太快 B.阳极电流过大C.阳极电压过高 D.电阻过大2.在IVEAR定义条件下的波形系数kfe为( B )A. B.C. D.23.晶闸管的额定电压是这样规定的，即取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并经如下处理( D )A.乘以1.5倍 B.乘以2倍C.加100 D.规化为标准电压等级4.晶闸管不具有自关断能力，常称为( B )A.全控型器件 B.半控型器件C.触发型器件 D.自然型器件5.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加
8、何种极性触发电压，晶闸管都将工作在( D )A.导通状态 B.不定C.饱和状态 D.关断状态6.功率晶体管的安全工作区范围由几条曲线限定( A )A.4条 B.3条C.5条 D.2条7.晶闸管的伏安特性是指( C )A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系8.晶闸管电流的波形系数定义为( A )A.B.C.Kf =IVARIVD.Kf =IVAR-IV9.取断态重复峰值电压和反向重复峰值电压中较小的一个，并规化为标准电压等级后，定为该晶闸管的( D )A.转折电压B.反向击穿电压C.阈值电压D.额定电压10.具有自关断能力
9、的电力半导体器件称为( A )A.全控型器件B.半控型器件C.不控型器件D.触发型器件11.晶闸管的三个引出电极分别是（A）A.阳极、阴极、门极B.阳极、阴极、栅极C.栅极、漏极、源极D.发射极、基极、集电极12.当晶闸管承受反向阳极电压且门极施加正向脉冲时，正常情况下晶闸管都将工作在（B） A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定13.处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作何处理才能使其开通（C）A.并联一电容B.串联一电感C.加正向触发电压D.加反向触发电压14.晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（A）A.阳极电流B.门极电流C.阳
10、极电流与门极电流之差D.阳极电流与门极电流之和15.功率晶体管（GTR）的安全工作区由几条曲线所限定（D）A.3条B.2条C.5条D.4条16.由门极控制导通的晶闸管导通后，门极信号( A )。A.失去作用B.需维持原值C.需降低D.需提高17.逆导晶闸管是一种集成功率器件，将逆阻型晶闸管和( A )反并联在一个管芯上的。A.二极管B.晶闸管C.晶体管D.场效应管18.GTO的电流关断增益of=( A )。A.B.C.D.19.晶闸管门极触发信号刚从断态转入通态即移去触发信号，能维持通态所需要的最小阳极电流，称为（B）。A.维持电流B.擎住电流C.浪涌电流D.额定电流20.与普通晶闸管不同，双
11、向晶闸管的额定电流的标定用（C）。A.平均电流值B.通态平均电流值C.有效值D.最大电流值21.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是（B）。A.GTOB.IGBTC.GTRD.MCT22.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为( B )A.一次击穿 B.二次击穿 C.临界饱和 D.反向截止23.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成( B )A.大功率三极管 B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管 D.可关断晶闸管24.在晶闸管应用电路中，为了防止误触发应将幅值限制在不触发区的信号是( A )A.干扰信号 B.触发电压信号C.触发电流信号 D.干扰信号和触发
12、信号25.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在( B )A.导通状态 B.关断状态 C.饱和状态 D.不定26.按器件的可控性分类，普通晶闸管属于（B）A全控型器件B半控型器件C不控型器件D电压型器件27.下列4种电力电子器件,哪种是半控型电力电子器件。( C )A.电力二极管B.门极可关断晶闸管C.晶闸管D.电力晶体管28.功率晶体管的二次击穿现象表现为( A )A.从高电压小电流向低电压大电流跃变B.从低电压大电流向高电压小电流跃变C.从高电压大电流向低电压小电流跃变D.从低电压小电流向高电压大电流跃变29.普通晶闸管不具备自关断能力，常被称为（B）A全控制器件B半控型器件C不控制器件D触发型器件30.决定触发脉冲最小宽度一个重要因素是( B ) A. 维持电流IH B. 擎住电流IL C. 浪涌电流ITSm D. 额定电流32.为防止晶闸管误触发，应使干扰信号不超过( B ) A. 安全区 B. 不触发区 C. 可靠触发区 D. 可触发区33. 要关断GTO，则需( B ) A. 在门极加正脉冲信号 B. 在门极加负脉冲信号 C. 加强迫关断电
