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1、模拟电 子技术胡宴如（第 3 版）自测题第 1 章 半导体二极管及其基本应用1 1填空题1半导体中有空穴和 自由电子两种载流子参与导电。2本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N 型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P型半导体，其多数载流子是空穴。3 PN 结在正偏 时导通反偏 时截止，这种特性称为4当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大单向导电性。，正向压降将减小。5整流电路是利用二极管的单向导电性，将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7光电二极管能将光信号转变为电信号，它工
2、作时需加反向偏置电压。8测得某二极管的正向电流为 1 mA，正向压降为 V，该二极管的直流电阻等于 650 ，交流电阻等于 26 。1 2单选题1杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于( C)。A温度B掺杂工艺C掺杂浓度D晶格缺陷2 PN 结形成后，空间电荷区由 ( D )构成。A价电子B自由电子C空穴D杂质离子3硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而(B)。A减小B基本不变C增大4流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将( C)。A增大B基本不变C减小5变容二极管在电路中主要用作 ( D )。、A整流B稳压C发光D可变电容器1 3 是非题1在 N 型半导体中如果掺人足够量的三价元素
3、，可将其改型为 P 型半导体。( )2因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( )3二极管在工作电流大于最大整流电流IF 时会损坏。 ( )4只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。( )1 4 分析计算题1电路如图 T11 所示，设二极管的导通电压UD(on)=，试写出各电路的输出电压 Uo 值。解： (a)二极管正向导通，所以输出电压U0 (6V V。(b)令二极管断开，可得 UP 6 V、UN 10 V， UPUpUN2，故 V1 优先导通后， V2 截止，所以输出电压 U0 V。2电路如图 T12 所示，二极管具有理想特性，已知 ui (sint)V，试对应画出 ui、
4、 u0、iD 的波形。解：输入电压 ui 为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零，即 u00，而流过二极管的电流iD uiR，为半波正弦波，其最大值IDm10 V 1 k10 mA；当 ui 为负半周时，二极管反偏截止， i D 0，u0 ui 为半波正弦波。因此可画出电压 u0 电流 iD 的波形如图 (b)所示。3稳压二极管电路如图T13 所示，已知 UZ 5 V，IZ5 mA，电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关s 断开和闭合时，电压表V和电流表、 读A1A2数分别为多大解：当开关 S断开， R2 支路不通， IA2 0，此时 R1 与稳压二极管 V 相串联，因此由图可得U
5、 1U 2(18 5)V6.5mAI ZI A1R12K可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5 V。当开关 S 闭合，令稳压二极管开路，可求得R2 两端压降为R2U 10.518 3.6U ZU R22 0.5R1R2故稳压二极管不能被反向击穿而处于反向截止状态，因此， R1、R2 构成串联电路，电流表 A1、A2 的读数相同，即U 118VIA1 IA2R2 （27.2mAR10.5）K而电压表的读数，即R2 两端压降为V。第 2 章 半导体三极管及其基本应用2 1填空题1晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型，它工作时有2 种载流子参与导电。2晶体管具有电流放大作用的外部条
6、件是发射结正偏，集电结反偏。3晶体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是 放大、饱和、截止。4当温度升高时，晶体管的参数增大 ，ICBO增大，导通电压 UBE减小。5某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10A 变化到 20A 时，集电极电流从 1mA 变为 mA，则交流电流放大系数约为99。6某晶体管的极限参数 I=20mA、P=100mW、 U=30V，因此，当工作电压 UCECMCM(BR)CEOCE时，时，工作电流IC 不得超过10mA；当工作电压=10VU=1VIC 不得超过20mA；当工作电流 IC=2 mA 时， UCE不得超过 30V。7场效应管从结构上可分为两大类：结型、MO
7、S；根据导电沟道的不同又可分为N 沟道、 P沟道两类；对于 MOSFET，根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，又可分为两种：耗尽型、增强型。8UGS(off)表示 夹断 电压，IDSS表示饱和漏极电流，它们是耗尽 型场效应管的参数。22单选题1某 NPN 型管电路中，测得 UBE=0 V，UBC= 5 V，则可知管子工作于 (C )状态。A放大B饱和C截止D不能确定2根据国产半导体器件型号的命名方法可知，3DG6 为(B)。A NPN 型低频小功率硅晶体管BNPN 型高频小功率硅晶体管CPNP 型低频小功率锗晶体管DNPN 型低频大功率硅晶体管3输入 (C)时，可利用 H 参数小信号电路模型对
8、放大电路进行交流分析。A正弦小信号B低频大信号C低频小信号D高频小信号4 (D)具有不同的低频小信号电路模型。A NPN 型管和 PNP 型管B增强型场效应管和耗尽型场效应管CN 沟道场效应管和P 沟道场效应管D晶体管和场效应管5当 UGS0 时， (B)管不可能工作在恒流区。A JFETB增强型 MOS 管C耗尽型 MOS 管DNMOS 管6下列场效应管中，无原始导电沟道的为(BA N 沟道 JFETB增强 AI PMOS管C耗尽型 NMOS 管D耗尽型 PMOS管2 3是非题)。1可以采用小信号电路模型进行静态工作点的分析。( )2MOSFET具有输入阻抗非常高、噪声低、热稳定性好等优点。
9、( )3EMOS管存在导电沟道时，栅源之间的电压必定大于零。( )4结型场效应管外加的栅源电压应使栅源间的PN 结反偏。 ( )5场效应管用于放大电路时，应工作于饱和区。( )2 4分析计算题1图 T21 所示电路中的晶体管为硅管，试判断其工作状态。解： (a)UBE=UBUE 0，发射结正偏；UBC=UBUC 3 V，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。(b) UBE=UBUE 2 3 1V，发射结反偏；UBC=UBUC 2 5 3 V，集电结反偏因此晶体管工作在截止状态。(c) UBE=UBUE 3，发射结正偏；UBC=UBUC 3，集电结正偏因此晶体管工作在饱和状态。(d)该管为 PNP
10、 型晶体管UEB=UE UB (2)(，发射结正偏；UCB=UCUB (5) (，集电结反偏因此晶体管工作在放大状态。2图 T22 所示电路中，晶体管均为硅管， =100，试判断各晶体管工作状态，并求各管的 IB、 IC、 UCE。解： (a)方法一：I B(60.7)V0.053mA100K设晶体管工作在放大状态，则有ICIB100UCE 12 3V0说明上述假设不成立，晶体管已工作在饱和区。令晶体管的饱和压降UCE(Sat) V，则集电极电流为I CSVCCU CE ( sat )12 0.33.9mARC1因此可得晶体管的 mA、I I mA、UU VIBCCSCECE(Sat)方法二：I B(60.7)V0.053mA100KI CSVCCU CE ( sat)12 0.33.9mARC1
