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1、电子科技大学21春电子技术基础离线作业2参考答案1. 集成运放一般由哪几部分组成( )。集成运放一般由哪几部分组成( )。A.输入级B.输出级C.中间级D.偏置电路参考答案：ABCD2. 三端集成稳压器W7800系列3端为( )。三端集成稳压器W7800系列3端为( )。A.输出端B.输入端C.公共端参考答案：C3. 放大电路中，己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V，则该三极管是( )。放大电路中，己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V，则该三极管是( )。A.PNP锗管B.PNP硅管C.NPN锗管参考答案：A4. P型
2、半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。( )P型半导体的多数载流子为空穴，故它带正电。( )A.正确B.错误参考答案：B5. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管被击穿。( )如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM，则该管被击穿。( )A.正确B.错误参考答案：B6. 在线性区运用时，集成运放工作在( )状态 。在线性区运用时，集成运放工作在( )状态 。A.负反馈B.正反馈C.极限D.开环参考答案：A7. 对于正弦波振荡电路而言，只要不满足相位平衡条件，即使放大电路的放大倍数很大，它也不能产生正弦波振荡。( )对于正弦波振荡电路而言，只要不满足相位平衡条件，即使
3、放大电路的放大倍数很大，它也不能产生正弦波振荡。( )A.正确B.错误参考答案：A8. 由理想运放构成的线性应用电路，其电路的放大倍数与运放本身的参数有关。( )由理想运放构成的线性应用电路，其电路的放大倍数与运放本身的参数有关。( )A.正确B.错误参考答案：A9. D触发器的特性方程为Qn+1=D，与Qn无关，所以它没有记忆功能。( )D触发器的特性方程为Qn+1=D，与Qn无关，所以它没有记忆功能。( )A.正确B.错误参考答案：B10. PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。PN结加正向电压时，空间电荷区将( )。A.基本不变B.变窄C.变宽参考答案：B11. 有一OTL功率放大电路
4、，其电源电压Vcc=16V，RL=8，在理想情况下可得到最大输出功率为( )。有一OTL功率放大电路，其电源电压Vcc=16V，RL=8，在理想情况下可得到最大输出功率为( )。A.32WB.16WC.4W参考答案：C12. 下列电路中，是时序电路的是( )。下列电路中，是时序电路的是( )。A.编码器B.移位寄存器C.数值比较器D.二进制译码器参考答案：B13. 在多级直流放大器中，零点漂移影响最严重的是( )。A.输入级B.中间级C.输出级参考答案：A14. 一位8421BCD码计数器至少需要( ) 个触发器。一位8421BCD码计数器至少需要( ) 个触发器。A.5B.4C.3D.10参
5、考答案：B15. 射极输出器的特点有( )。射极输出器的特点有( )。A.电压放大倍数接近于1B.输出电压与输入电压基本相同C.输入电阻高D.输出电阻低参考答案：ABCD16. 桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压的有效值为20V，当RLC(35)T/2时，输出电压为( )。桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压的有效值为20V，当RLC(35)T/2时，输出电压为( )。A.24VB.18VC.10V参考答案：A17. 直流稳压电源一般是由( )、( )、滤波、稳压四部分组成。直流稳压电源一般是由( )、( )、滤波、稳压四部分组成。A.整流B.变频C.变压参考答案：AC18. 场效应晶体管的
6、控制方式是( )。场效应晶体管的控制方式是( )。A.输入电流控制输出电流B.输入电流控制输出电压C.输入电压控制输出电流D.输入电压控制输出电压参考答案：C19. 用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏，已知机械万用表表头正极(红色)是内部电池的负极，而表头的负极(黑色)是电池的正极，下面表述正确的是( )。用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏，已知机械万用表表头正极(红色)是内部电池的负极，而表头的负极(黑色)是电池的正极，下面表述正确的是( )。A.若测得二极管为正向较小电阻，则黑笔所触及的是二极管正极，红笔所触及的是二极管的负极B.若测得正向电阻较小，而反向电阻很大，则该
7、二极管是好的C.若测得正、反向电阻均接近于0，则二极管已经击穿损坏D.若正、反向电阻均为，则二极管已断路参考答案：ABCD20. 因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( )因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。( )A.正确B.错误参考答案：B21. 集成运放的KCMR越大，集成运放对温漂的抑制作用越好。( )集成运放的KCMR越大，集成运放对温漂的抑制作用越好。( )A.错误B.正确参考答案：B22. 对半导体而言，其正确的说法是( )。对半导体而言，其正确的说法是( )。A.P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负
8、电C.P型半导体和N型半导体本身都不带电D.P、N型半导体都带负电参考答案：C23. 对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作在( )。对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE0，UBC0，UCE0，则此管工作在( )。A.饱和区B.放大区C.截止区参考答案：A24. 放大器有两种不同性质的失真，分别是( )。A.线性失真和非线性失真B.频率失真和相位失真C.截止失真和饱和失真参考答案：A25. 由555定时器构成的多谐振荡器，其振荡周期取决于所使用的电源电压。( )由555定时器构成的多谐振荡器，其振荡周期取决于所使用的电源电压。( )A.正确B.错误参
9、考答案：B26. 二进制数(101010)2可转换为十进制数( )二进制数(101010)2可转换为十进制数( )A.42B.84C.52D.43参考答案：A27. 三态逻辑门输出的状态包括( )。三态逻辑门输出的状态包括( )。A.高电平B.低电平C.低阻态D.高阻态参考答案：ABD28. 三极管工作在放大区时，发射结和集电结分别处于( )。A.正偏B.反偏C.零偏参考答案：AB29. 在放大电路中，为了稳定静态工作点，可引入( )；若要稳定放大倍数，应引入( )。在放大电路中，为了稳定静态工作点，可引入( )；若要稳定放大倍数，应引入( )。A.直流负反馈B.直流正反馈C.交流负反馈D.交
10、流正反馈参考答案：AC30. 甲乙类功率放大电路中，放大管的导通角( )。甲乙类功率放大电路中，放大管的导通角( )。A.等于360度B.等于180度C.小于180度D.大于180度，小于360度参考答案：D31. 当输入信号为失真的正弦波时，加入负反馈后能使失真得到改善。( )A.错误B.正确参考答案：A32. 当温度升高时，三极管的Icbo、增加，Vbe减小。( )当温度升高时，三极管的Icbo、增加，Vbe减小。( )A.错误B.正确参考答案：B33. 晶体管的控制方式为输入电流控制输出电流。( )晶体管的控制方式为输入电流控制输出电流。( )A.正确B.错误参考答案：A34. 温度升高
11、时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。( )温度升高时，杂质半导体中的多子浓度明显增加。( )A.正确B.错误参考答案：B35. 串联反馈可以提高输入电阻，并联反馈可以减小输入电阻。( )A.错误B.正确参考答案：A36. 使用串联反馈可以提高输入电阻，并联反馈可以减小输入电阻。( )A.错误B.正确参考答案：A37. 仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫( )。仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫( )。A.JK触发器B.RS触发器C.D触发器D.T触发器参考答案：C38. 放大电路的主要动态性能指标有( )。A.IBB.RiC.RoD.Av参考答案：BCD39. 半导体的导电能力随着温度
12、的升高而降低。( )半导体的导电能力随着温度的升高而降低。( )A.正确B.错误参考答案：B40. 稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。( )稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。( )A.正确B.错误参考答案：A41. 单相半波整流电路只利用了电源的半个周期。( )单相半波整流电路只利用了电源的半个周期。( )A.正确B.错误参考答案：A42. 与TTL门电路比较，CMOS逻辑电路的特点( )。与TTL门电路比较，CMOS逻辑电路的特点( )。A.集成度高B.静态功耗低C.带负载能力强D.带负载能力弱参考答案：ABC43. 二极管两端加上正向电压就一定会导通。( )二极管两端加上正向电压就一定会导
13、通。( )A.正确B.错误参考答案：A44. 若Y=A+AC=1则( )。若Y=A+AC=1则( )。A.ABC=001B.ABC=110C.ABC=100D.ABC=101参考答案：C45. 单相桥式整流电路利用了电源的整个周期。( )单相桥式整流电路利用了电源的整个周期。( )A.正确B.错误参考答案：A46. 放大电路一般采用的反馈形式为负反馈。( )放大电路一般采用的反馈形式为负反馈。( )A.正确B.错误参考答案：A47. 稳压二极管与限流电阻配合能起到稳压作用，在电路中稳压管的阳极接电源的负极。( )稳压二极管与限流电阻配合能起到稳压作用，在电路中稳压管的阳极接电源的负极。( )A.正确B.错误参考答案：A48. 晶体管的反向和饱ICBO电流越小，说明晶体管的稳定性越好。( )晶体管的反向和饱ICBO电流越小，说明晶体管的稳定性越好。( )A.正确B.错误参考答案：A49. 硅二极管两端正向偏置电压大于多少时，二极管才能导通( )。A.0VB.0.5V
