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DRAM 与NAND闪存等未来五年最看俏内存市场日益扩大，研调机构IC Insights最新报告预测，DRAM 与NAND 闪存等，未来 5年年均复合增长率（CAGR ）可达7.3%，产值将从去年的 773亿美元扩增至 1，099亿美元。报告将半导体区分成逻辑、内存，模拟与微组件 （microcomponents） IC 等4种类型，在 5年的预测区间 内，以内存成长力道最为强劲，模拟IC以5.2%次之，微组件为4.4%，至于台积电擅长代工的逻辑IC则仅有2.9%。IC Insights指出智能手机等移动设备对低功耗内存需求 激增，是驱动 DRAM 与NAND闪存成长的主要动能。除 此之外，使用 NAND闪存的固态硬盘（SSD）在数据中心、 笔电的应用也日趋吃重。三星6日公布2016年第四季财报，在Note 7自燃召 回的状况下，营益竟然还能逆势跳增近 80%，就是因为受惠 于内存价格大涨，将利润空间拉大。
