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1、泓域咨询/宜春光刻胶项目可行性研究报告宜春光刻胶项目可行性研究报告xx有限责任公司目录第一章 市场预测8一、 “半导体材料皇冠上的明珠”光刻胶8二、 光刻工艺的影响因素8三、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）10第二章 项目建设背景、必要性12一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力12二、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建，国产光刻胶企业迎来重大机遇15三、 扩大对外开放，着力打造赣西开放门户17四、 做活县域经济17五、 项目实施的必要性18第三章 项目绪论20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景22六、
2、结论分析23主要经济指标一览表25第四章 建筑技术方案说明27一、 项目工程设计总体要求27二、 建设方案29三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表33第五章 产品方案与建设规划35一、 建设规模及主要建设内容35二、 产品规划方案及生产纲领35产品规划方案一览表35第六章 法人治理结构38一、 股东权利及义务38二、 董事41三、 高级管理人员46四、 监事48第七章 运营管理模式50一、 公司经营宗旨50二、 公司的目标、主要职责50三、 各部门职责及权限51四、 财务会计制度55第八章 发展规划分析62一、 公司发展规划62二、 保障措施68第九章 安全生产70一、 编制依据70二
3、、 防范措施71三、 预期效果评价75第十章 原辅材料供应77一、 项目建设期原辅材料供应情况77二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理77第十一章 环境保护分析78一、 编制依据78二、 建设期大气环境影响分析78三、 建设期水环境影响分析79四、 建设期固体废弃物环境影响分析80五、 建设期声环境影响分析80六、 环境管理分析81七、 结论82八、 建议83第十二章 人力资源配置分析84一、 人力资源配置84劳动定员一览表84二、 员工技能培训84第十三章 节能说明86一、 项目节能概述86二、 能源消费种类和数量分析87能耗分析一览表87三、 项目节能措施88四、 节能综合评价90第十四
4、章 投资方案分析91一、 投资估算的依据和说明91二、 建设投资估算92建设投资估算表96三、 建设期利息96建设期利息估算表96固定资产投资估算表98四、 流动资金98流动资金估算表99五、 项目总投资100总投资及构成一览表100六、 资金筹措与投资计划101项目投资计划与资金筹措一览表101第十五章 项目经济效益评价103一、 经济评价财务测算103营业收入、税金及附加和增值税估算表103综合总成本费用估算表104固定资产折旧费估算表105无形资产和其他资产摊销估算表106利润及利润分配表108二、 项目盈利能力分析108项目投资现金流量表110三、 偿债能力分析111借款还本付息计划表
5、112第十六章 项目招标、投标分析114一、 项目招标依据114二、 项目招标范围114三、 招标要求115四、 招标组织方式115五、 招标信息发布115第十七章 风险防范116一、 项目风险分析116二、 项目风险对策118第十八章 总结分析121第十九章 补充表格123建设投资估算表123建设期利息估算表123固定资产投资估算表124流动资金估算表125总投资及构成一览表126项目投资计划与资金筹措一览表127营业收入、税金及附加和增值税估算表128综合总成本费用估算表129固定资产折旧费估算表130无形资产和其他资产摊销估算表131利润及利润分配表131项目投资现金流量表132第一章
6、市场预测一、 “半导体材料皇冠上的明珠”光刻胶伴随着光刻工艺的不断发展，光刻用化学品也在飞速发展，主要的光刻用化学品包括有光刻胶、抗反射层、溶剂、显影液、清洗液等。在这些化学品中，光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成具有最高的价值，也是整个半导体制造工艺中最为关键的材料之一，有着“半导体材料皇冠上的明珠”之称。组成成分：光刻胶主要由成膜树脂、溶剂、感光剂（光引发剂、光致产酸剂）、添加剂（表面活性剂、匀染剂等）等部分组成。典型的光刻胶成分中，50%90%是溶剂，10%40%是树脂，感光剂占1%8%，表面活性剂、匀染剂及其他添加剂占比则不到1%。分类标准：对于半导体光刻胶的分类有多种标准，常用的分类标
7、准包括有：（1）以曝光后光刻胶在显影液中的溶解度变化分为正性光刻胶和负性光刻胶；（2）针对正性光刻胶以是否使用化学放大（ChemicallyAmplified）机制可分为化学放大型光刻胶和非化学放大型光刻胶；（3）以所使用的光刻工艺可分为紫外宽谱光刻胶、g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光刻胶、ArF光刻胶、EUV光刻胶、电子束光刻胶等。二、 光刻工艺的影响因素在现代半导体光刻工艺中，光源从紫外宽谱（300-450nm）向特定波长光源发展，从436nm的汞灯g线可见光发展到365nm的汞灯i线中的紫外光，再发展到248nm的氟化氪（KrF）及193nm的氟化氩（ArF）准分子激光。在KrF和ArF
8、准分子激光光源后，还曾有对于以氟气分子（F2）为激光媒介的准分子激光器作为光源的探究，该光源的波长为157nm，但由于浸没式193nm光刻技术研发的成功，157nm光刻技术很快就被抛弃。在通过浸没式光刻和多重曝光技术将193nm光刻推向极致后，13.5nm极紫外（EUV）光刻技术的到来又进一步使得更高的分辨率成为可能。另外除可见光及紫外光以外，电子束、X射线、离子束等也都可作为曝光光源进行使用，目前利用X射线和离子束作为曝光光源的技术还处于研究阶段，未能得到商用。电子束光刻虽然能够得到极高的分辨率，但是该技术由于自身工艺的限制等原因无法高效地进行大规模量产，因而通常被用来制作光刻工艺中所需的掩
9、膜版。在传统的干法光刻工艺中，光在光刻镜头与光刻胶之间的传播介质是空气，因此最大的数值孔径为1.0，也就是光线和光轴的最大张角为90，分辨率在NA=1.0时就达到了极限。而浸没式光刻（也称为湿法光刻）其光刻镜头和光刻胶之间被填充了水（折射率大于空气），因此光能够以更大角度在光刻胶中成像，也就是等效于更加大的数值孔径，由此进一步提高了光刻工艺的分辨率。其实浸没式成像技术最早于19世纪就被提出来了，其目的是提高光学显微镜的分辨率。而这项技术真正大规模应用到现代光刻工艺中是在2007-2009年间，随着荷兰ASML公司推出数值孔径为1.35NA的XT1900i系列光刻机，193nm浸没式光刻才真正地
10、接替193nm干法光刻。随后，再叠加一些辅助的光刻技术，比如分辨率增强技术（RET）、偏振照明、自定义照明、双/多重曝光（多重图案化技术）、自对准空间频率倍增、单方向布线设计等技术，一同推动193nm浸没式光刻技术一直延续到了10nm、7nm的半导体工艺节点。三、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）聚4-羟基苯乙烯（PHOST）因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势，成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。通过引入不同的酸致脱保护基团，在光致产酸剂的配合下就可以使得KrF光刻胶拥有一定的光响应性，从而在光照条件下发生聚合物的溶解度变化。常见的酸致脱保护基团包括4-叔丁基氧基羰
11、基（t-BOC）类、酯类和乙缩醛类三种。目前主流的KrF化学放大型正性光刻胶往往是具有多种取代基团的共聚物，通过调节聚合物整体的分子量和带有不同取代基团单体的配比来调节光刻胶的性能。根据KrF光刻胶的活化能，可以将KrF光刻胶分为高活化能胶（俗称高温胶，如ESCAP）和低活化能胶（低温胶，如乙缩醛类）。高温胶和低温胶因脱保护的温度差异，导致了比较明显的性能差异。此外，由于空气中存在有一定量的碱性分子，在KrF光刻胶曝光后，光刻胶会接触空气导致曝光后所产生的光酸会被空气中的碱性成分中和掉，最终会造成光刻胶灵敏度的大幅度变化，这一现象被称为曝光到显影的时间延迟问题（PED）。为了解决这一问题，工业
12、界除了采取在洁净室、光刻机等关键地方安装化学成分过滤器以外，还可以通过在光刻胶表面涂布一层保护层来隔绝空气中的碱性物质。第二章 项目建设背景、必要性一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力晶圆制造材料市场规模稳步提升，中国大陆市场增速全球最高。半导体制造所需材料种类繁多，按前后端工艺分为晶圆制造材料和组装与封测所需材料。根据SEMI数据，2007-2021年，晶圆制造材料与封装材料的市场规模总体上都呈现出上升态势，并且前者增速更高。根据SEMI数据，2015年晶圆制造材料的市场规模约为240亿美元，晶圆封装材料的市场规模为192亿美元。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制
13、造材料市场规模升至344亿美元，2015-2021年CAGR为6.2%；全球晶圆封装材料的市场规模将达215亿美元，2015-2021年CAGR为1.9%。根据SEMI数据及预测，从全球不同地区的半导体材料市场来看，亚洲地区占据了大部分市场份额，其中又以中国台湾的市场规模最大。2021年中国台湾半导体材料市场规模预计将达到127亿美元，占比达22.2%。增长率方面，各地区2016-2021年半导体材料市场的年均复合增长率在3.9%至8.4%之间，其中受益于下游晶圆代工产能快速增长的中国大陆晶圆制造材料市场规模年均增长率最高达8.4%。根据SEMI预测，2021年全球晶圆制造材料市场中半导体光刻
14、胶及其配套试剂的总体市场规模占比将达到12.9%，仅次于硅片与电子特气位列第三；预计2021年全球半导体光刻胶市场规模将达到19.8亿美元，2016年至2021年的半导体光刻胶全球市场规模CAGR约为5.7%。而国内市场方面，根据彤程新材数据，2021年国内半导体光刻胶市场规模预计可达32.3亿元，同比增速高达45%。此外，根据彤程新材预测，伴随着国内晶圆代工产能的不断提升，2025年国内半导体光刻胶市场规模有望达到100亿元，2021-2025年间半导体光刻胶的市场规模CAGR将达到32.6%。先进制程的发展并不意味着中低端产品的淘汰。芯片是由很多层结构有机地堆砌而成的，根据芯片结构设计，每
15、一层的结构与沟槽尺寸各有区别。在芯片的制造过程中，特别是先进制程芯片的制造过程中，如果每一层都使用最先进光刻工艺、设备、材料来进行制造的话，对于晶圆制造厂商而言其建设芯片生产线的资本开支、后期设备的维护成本以及原材料成本将会过高。因此在芯片中，有很多层的结构其实是可以使用前一代或者更早期的光刻工艺来完成的，这就使得KrF光刻胶、i线光刻胶和g线光刻胶等半导体光刻胶中相对中低端的产品在先进制程中也仍有用武之地。也正因如此，全球最顶级的光刻机厂商ASML在拥有了大量ArF和EUV光刻机的产品下，也仍然对外出售KrF光刻机和iLine光刻机等中低端产品。目前全球晶圆代工产能绝大部分都集中在东亚地区，截至2019年，中国台湾、韩国、日本和中国大陆的合计晶圆代工产能占比高达73%（折算8英寸片产能），然而10nm及以下节点逻辑芯片
