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1、填空题1.在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V;楮二极管的门槛电压约为 _01_v,导通后在较大电流下的正向压降约为_02_v。2、二极管的正向电小；反向电阻大。3、二极管的最主要特性是单向导电性。PN结外加正向电压时,扩散电流大于 漂移电流,耗尽层变窄。4、二极管最主要的电特性是单向导电性 ，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入二一二5、电子技术分为模拟电子技术和数字电字技术两天部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为 模拟电子技术。6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强
2、 。PN具有具有单向导电特性。7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变,典型值为0.7 伏；其门坎电压Vh约为0.5 伏。一8、二极管正向偏置时,其正向导通电流由多数 载流子的 扩散 运动形成。9、P型半导体的多子为空穴 、N型半导体的多子为自由电子 、本征半导体的载流子为电子一空穴对。10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P） 半导体和 电子（N）半导体两大类。11、二极管的最主要特性是单向导电性，它的两个主要参数是反映正向特性的一最大整流电流 和反映反向特性的反向击穿电乐一1 12、在常温下，硅二极管的开启电压约为0.5 V,导通后在较大电流下的正向压降约为0.7 V
3、。13、频率响应是指在输入正弦信号的情况下，一输出随频率连续变化的稳态响应。一 一15、N型半导体中的多数载流子是电子 ，少数载流子是 空穴 。一16、按一个周期内一只三极管的导通角区分，功率放大电路可分为甲类、乙类、甲乙类三种基本类型。17、在阻容耦合多级放大电路中，影响低频信号放大的是耦合和旁路电容,影响高频信号放大的是 结 电容。18、在NPNE极管组成的基本共射放大电路中,如果电路的其它参数不变，三极管的0增加，则I bq增玄, I CQ 增大 ，UCeQ 减小 。19极管的三个工作区域是截止,饱和，放大。集成运算放大器是一种采用直接耦合方式的放大电路。20、某放大电路中的三极管，在工
4、作状态中测得它的管脚电压Va = 1.2V , Vb = 0.5V, V c = 3.6V, 试问该三极管是硅管 管（材料），NPN型的三极管,该管的集电极是a、b、c中的 C 。21、已知某两级放大电路中第一、第二级的对数增益分别为 60dB和20dB,则该放大电路总的对数增益为 80 dB，总的电压放大倍数为10000 。22、三极管实现放大作用的外部条件皂一爰射结正偏、集电结反偏。某放大电路中的三极管，测得管脚电压 = -1V , M=-3.2V, V c =-3.9V, 这是 硅 管（硅、楮）， NPN 型，集 电极管脚是a 。23、三种不同耦合方式的放大电路分别为:阻容（R。耦合 、
5、直接耦合 和一变压器耦合 其中直接耦合能够放大缓慢变化的信号。24、在多级放大电路中,后级的输入电阻是前级的负载 ，而前级的输出电阻可视为后级的信号源的内阻 。多级放大电路总的通频带比其中每一级的通频带要窄 。25、某放大电路在负载开H时的输出电压为4V,接入12k Q的负载电阻后，输出电压降为3V,这说明放大电路的输出电阻为4 k Q 。26、为了保证三极管工作筱大区，系录：发射结正向 偏置,集电结 反向 偏置。对于NPN型三极管， 应使Vbc185、正弦波振荡电路必须由放大电路、反馈网络、选频网络、稳幅环节四部分组成丁 广一 彳86、RC正弦波振荡电路达到稳定平衡状态时有：av= 3、Fv=_3_、缶=80=_RC 。AF =1 邛 +中，=2nn87、正弦波自激振荡电路振荡的平衡条件是_、_ a f 2nn为整数。88、正弦波振荡电路起振的条件是AF 1和_/ +% =土2ml n为整数。89、有用信号频率高于1000Hz,可选用 高通滤波器。文氏电桥振荡器中的放大电路电压放大倍数 A-3,才能满足起振条件。90、为了稳定电路的输出信号，电路应采用交流负反馈。为了产生一个正弦波信号，电路应采用_jE 反馈。91、直流电
