微电子学概论

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1、微电子学概论复习大纲第一章绪论1. 集成电路设计与制造的主要流程步骤。2. 集成电路分类情况如何,有哪几种划分方法。3. 微电子学的特点是什么?基础电路的特点是什么,有哪些优点。4. 用你自己的话解释微电子学、集成电路的概念。5. 简单叙述微电子学对人类社会的作用。6. 器件特征尺寸的概念。7. 微电子及集成电路工业的特点-摩尔定律。第二章半导体物理和器件物理基础1. 能带、导带、价带、禁带的概念,常见材料的典型能带特点。2. 什么是半导体(概念),和其他材料如导体、绝缘体有什么差异?3. 常用半导体衬底材料有哪些、掺杂材料有哪些,结合后能形成的半导体类型。4. 半导体中的载流子、迁移率的概念

2、,电荷移动形成电流(载流子输运)的两种物理机制。5. PN结的构成(结构图),正反向特性,PN结击穿种类划分。6. 双极晶体管工作原理,基本结构(图),直流特性。7. 双极晶体管的常用的三种偏置方式和对应直流传输特性。8. MOS晶体管基本结构、工作原理(沟道及夹断的概念)。9. MOS晶体管I-V方程、传输特性中三个工作区的划分和特性。10. MOS晶体管分类及其划分依据(增强和耗尽型的直流输出特性差异)。第三章 大规模集成电路基础1. 大规模集成电路基础:区分芯片和硅片(晶圆)概念上的差异。2. 双极逻辑门电路类型(几种主要的):RTL、DTL、TTL、I2L、ECL (知道中文名称)。3

3、. 集成电路的制造流程主要四步:设计、工艺加工、测试、封装。4. 集成电路的性能指标:(集成度、速度及功耗、特征尺寸、可靠性等)5. 集成电路的发展(原动力、途径、关键技术等)。6. CMOS的概念,CMOS集成电路特点(主要与双极型比较)。7. MOS开关、CMOS传输门、反相器特性(了解)。第四章集成电路制造工艺1. 集成电路主要工艺步骤(CVD、Lithography、Ion implant等),明白各工艺的主要作用。2. 光刻的目的、三要素、主要工作流程(涂胶、爆光、显影、刻蚀、去胶)、常用光刻方法。3. 常用的腐蚀方法分类(湿法、干法)及各自特点。4. 扩散、离子注入、退火的作用。5

4、. 化学气相淀积(CVD)的主要工艺种类(常压、低压、离子增强等)及其特点。6. 氧化硅层的作用(隔离层、介质材料)及作用产生机理。第六章集成电路设计1. 层次化、结构化设计概念,集成电路设计域和设计层次2. 集成电路主要设计流程和步骤(功能、逻辑、版图三层设计)3. 模拟电路和数字电路设计各自的特点和流程4. 版图验证和检查包括的内容(DRC、ERC、LVS、LPE、POSTSIM),知道中文名称,该步骤的意义。5. 集成电路设计方法分类(全定制、半定制、PLD)6. 标准单元/门阵列的概念,优点/缺点,设计流程7. PLD设计方法的特点,FPGA/CPLD的概念8. 集成电路的可测性设计的

5、概念。第七章 集成电路设计的EDA系统1. EDA系统的主要作用2. 常用高层级硬件描述语言(两种)。3. 综合的概念。4. 电路模拟的概念,其在IC设计中的作用。SPICE电路仿真提供的分析类型有哪些?5. 逻辑模拟中的主要延迟模型,及其作用。6. 试述器件模拟和工艺模拟的基本概念。两者间差异在哪里。第九、十章几种重要微电子器件、MEMS系统1. 固体中光电作用原理(三种机制及粒子的能带位置变化)。2. 光电器件主要包括哪几类?3. 半导体发光器件的基本原理是什么?4. MEMS英文全名,中文全名。MEMS工艺与微电子工艺技术有哪些区别。5. 列举几种你所知道的MEMS器件(力学及惯导、光学、生物等),并简述其用途。第十二章微电子技术发展的规律及趋势1. Moore定律解释。2. 等比例缩小定律解释。

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