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1、-第 一 讲教学章节：第一章 电路和电路元件 1.11.2 电路与电路模型，电路的根本物理量教学要求：1、熟悉强电和弱电电路；2、掌握电路元件及其模型；3、掌握电流、电压及其参考方向；4、了解功率正负的含义；5、掌握电阻、电感和电容元件的伏安特性。教学重点：电路元件及其模型，电流、电压及其参考方向，电阻、电感和电容元件的伏安特性。教学难点：电流、电压及其参考方向；电感和电容元件的伏安特性。教学方法与手段：启发式讲授，讨论发言，多媒体，板书。教学内容与进程：一、引入：电路1. 电路及其组成电源 中间环节 负载 传输、分配、转换电能；-能量领域-强电电路 传送、处理、储存信号。-信息领域-弱电电路
2、二、电路元件和电路模型电路模型：从实际电路中抽象出来的、由理想元件组成的电路。理想元件是假想元件，具有单一的电磁性质，具有准确的定义与相应的数学模型。理想电阻、理想电感、理想电容三、电流、电压及其参考方向1、电流及其参考方向 电流的定义：单位时间内通过导体横截面的电荷量。直流电流和交流电流 电流的实际方向与参考方向：正电荷移动的方向为电流的实际方向。为计算而假设的方向，称为参考方向。参考方向可以任意设定。参考方向可以用箭头表示，也可以用双下标表示，如 Iab。电流的参考方向与实际方向一样，电流为正值；与实际方向相反则为负值。例：设下列图电流表达式为判断t 为和时的电流实际方向。2、电压及其参考
3、方向1电压的定义：电场力把单位正电荷从a点移动倒b点所做的功，称为a、b两点之间的电压，即dW 0时，u 0，说明a点电位高于b点电位，正电荷在移动过程中失去能量；dW 0时，u 0，元件或电路在吸收功率，等效为负载；假设p 0，元件或电路在发出功率，等效为电源。1.2 电阻、电感和电容元件 五、电阻元件伏安特性在任一时刻，电阻上的电压只取决于这一时刻流过的电流，与以前的电流大小无关。功率电阻是一个纯耗能元件。实际电阻元件是有额定功率的。消耗的功率不允许超过额定值，否则元件有损坏的危险。有线性电阻和非线性电阻。六、电感元件伏安特性电感元件为动态元件，只有变化的电流才会产生电压。在直流电路中，电
4、感相当于短路线。功率 电感不耗能可以储能，但不产生能量。电感是一个无源元件。七、电容元件伏安特性电容是一个动态元件，直流电路中电容相当于开路。功率电容不耗能可以储能，但不产生能量。电容是一个无源元件。八、实际元件的主要参数及电路模型作业：第 二 讲教学章节：第一章 电路和电路元件 1.31.4 独立电源元件，二极管教学要求：1、熟悉电压源和电流源；2、掌握两种电源模型的等效；3、熟练掌握二极管的特性；4、掌握稳压二极管、发光二极管和光电二极管的特点。教学重点：两种电源模型的等效，二极管的特性，稳压二极管、发光二极管和光电二极管的特点。教学难点：两种电源模型的等效；二极管的特性；稳压二极管工作状
5、态。教学方法与手段：启发式讲授，联系实际，多媒体，板书。教学内容与进程：一、引入：电压源和电流源1、电压源两端的电压仅由自身决定，与流过的电流及外电路无关。流过的电流由外电路决定。电压源置零，等效于两端短路。电压源不允许外电路短路。2、电流源电流源的电流仅由自身决定，与两端的电压无关。两端的电压由外电路决定。电流源置零，等效于两端开路。电流源不允许外电路开路。二、实际电源的模型1、电压源模型2、电流源模型3、两种电源模型的等效1.4 二极管 三、PN结及其单相导电性二极管的构造和电路符号如下图，VD是文字符号。 PN结加正向电压四、二极管的主要特性和主要参数1正偏导通2反偏截止3二极管的伏安特
6、性正向特性：二极管正向电压超过*一数值时电流开场快速增长，对应的电压称为死区电压，也称阈值电压或开启电压，记作UT，二极管导通时的正向电压称为二极管导通电压或管压降，记作UD。方向特性：二极管反向电流一般很小，小功率硅管为几mA，锗管为几十mA。反向击穿特性：反向电压增高到一定数值U(BR)时，二极管反向电流急剧增大，这种现象称为反向击穿。五、二极管的工作点和理想特性六、稳压二极管稳压二极管是应用在反向击穿区的特殊硅二极管。稳压二极管的符号、伏安特性和典型应用电路。七、发光二极管和光电二极管发光二极管工作在正向偏置状态。光电二极管又称光敏二极管，它工作在反向偏置状态。作业：第 三 讲教学章节：
7、第一章 电路和电路元件 1.5 双极性晶体管教学要求：1、了解双极性晶体管的构造；2、熟练掌握三极管的三种工作状态及相应PN结的偏置状况；3、熟悉晶体管的输入输出特性曲线及分区情况；4、掌握晶体管简化小信号模型。5、了解绝缘栅场效应管的构造和特性曲线。教学重点：三极管的三种工作状态及相应PN结的偏置状况，晶体管的输入输出特性曲线及分区情况，晶体管简化小信号模型。教学难点：晶体管的输入输出特性曲线及分区情况；晶体管简化小信号模型。教学方法与手段：启发式讲授，多媒体，板书。教学内容与进程：一、引入：根本构造和电流放大作用1、晶体管构造2、三极管分类按构造分为NPN和PNP管，按用途分为放大管、开关
8、管和功率管，按管芯材料分为硅管、锗管和化合物管3、三极管用于放大的条件三极管用于放大的条件是：发射结正向偏置，集电结反向偏置。NPN管：UCUBUE；PNP管：UCUBUE。 电流放大作用：小的基极电流变化量大的集电极电流变化量，具有电流放大作用，电流控制作用电流控制型器件。4、三极管内部载流子运动规律以NPN管为例，给三极管加上适宜的偏置电压。(1)发射区向基区注入电子，形成发射极电流。2电子在基区扩散与复合，形成基极电流。3集电区收集电子形成集电极电流。iEiBiC，二、晶体三极管的特性曲线和主要参数1、共发射极输入和输出特性曲线输入特性曲线分：死区、非线性区、线性区。常用UCE1V的一条
9、曲线来代表所有输入特性曲线。通常输出特性曲线分为3个区域：饱和区发射结、集电结均正向偏置；IC受UCE显著控制的区域，UCE的数值较小，一般UCEUGS(th)开启电压时形成导电沟道反型层。2UGS对漏极电流ID的控制作用UDS恒定3漏源电压UDS对漏极ID电流的控制作用UGS恒定，且大于UT二、特性曲线和主要参数1、特性曲线耗尽型NMOS管的特性曲线NMOS管 PMOS管 增强型MOS管的转移特性输出特性分为3个区：可变电阻区、恒流区和截止区。输出特性：转移特性：2、主要参数三、简化的小信号模型栅源电阻很大，栅极电流栅源电压控制漏极电流电压控制电流源模型四、第一章局部习题讲解作业：第一章习题
10、复习第 五 讲教学章节：第二章 电路分析根底 2.1 基尔霍夫定律教学要求：1、熟练掌握基尔霍夫定律；2、掌握支路电流法及其使用条件。 教学重点：基尔霍夫定律、支路电流法。教学难点：根据实际电路如何灵活应用上述定理。教学方法与手段：启发式讲授，讨论发言，多媒体，板书。教学内容与进程：一、引入：基尔霍夫定律有关的电路名词：支路、节点、回路、网孔。1、基尔霍夫电流定律KCL任一时刻，流入一个节点的电流之和等于从该节点流出的电流之和。对节点a应用KCL可写i1+i3+i4=i2+i5或i1-i2+i3+i4-i5=0写成一般形式即 i=0KCL的推广 i1+i2+i3=02、基尔霍夫电压定律KVL任何时刻，在任一闭合回路上的所有支路电压的代数和恒等于零。写成表示式为u=0。对图示电路，有即写成一般形式 二、支路电流法利用支路电流法解题的步骤：1任意标定各支路电流的参考方向和网孔绕行方向。(2用基尔霍夫电流定律列出节点电流方程。有n个节点，就可以列出n-1个独立电流方程。3用基尔霍夫电压定律列出L=b-n-1个网孔方程。说明：L指的是网孔数，b指是支路数，n指的是节点数。4代入数据求解方程组，确定各支路电流及方向。对于节点A有：I1+I2=I电路中共有二个网孔，分别对左、右两个网孔列电压方程：
