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1、Isc偏低的原因：1、绒面较差 光反射率较大；2、扩散方块电阻偏低 磷掺杂过多；3、丝网印刷第三道出现虚印、断线或者副栅线宽度过宽 等现象 电流不能被有效地收集；4、烧结炉温度出现较大波动；1. 容易理解。2. 重掺杂会加大表面复合3. 容易理解4. 烧结不好引起欧姆接触不好，致使串联电阻增大Voc 偏低的原因：1、绒面较差扩散 pn 结不均匀；2 、扩散方块电阻偏高无法形成有效的电势差；铝浆型号用错；3 、丝网印刷第二道铝浆搅拌不均匀；印刷重量偏低；4 、烧结温度出现波动；1. 方块电阻不均匀，结深高低不一致，烧结 Ag 电极渗透中，有的地方接触不好，有的地方可能过 烧2. 即掺杂太少3.R
2、s偏高的原因：1、绒面较差 电极接触不均匀；2、 扩散方块电阻偏高接触电阻增大；3、 丝网印刷第三道出现虚印、断线接触电阻增大；4、烧结炉温度出现较大波动；Rsh偏低的原因：1、 绒面较差扩散pn结不均匀；2、 扩散方块电阻偏高pn结过浅;3、刻蚀未完全刻蚀过度刻蚀边缘漏电；pn结被破坏;4、丝网印刷pn结被破坏;硅片表面被浆料污染（尤其是铝浆污染） 漏浆 上下电极发生短路，产生漏电；5、烧结温度过高pn结被破坏;2扩散方块电阻偏高，即扩散掺杂浓度低，导致内建电场偏低，耗尽区电阻变小3. 未完全刻蚀必然导致边缘漏电，容易理解；过度刻蚀导致并联电阻降低，是因为PN结所占的横截面积变小，所以耗尽层总电阻变小。4. 铝浆在N区的扩散会破环PN结，因为它是受主杂质。正面滴落的铝浆，有可能在烧结过程中扩散 穿过PN结，导致PN结被破环发生短路。如果硅片边缘附有漏浆，可直接引起边缘漏电。5. 烧结温度太高，可导致 Ag的扩散太大，以致穿过PN结，直接导致短路FF偏低的原因：1、Rs偏高（参考Rs偏高的产生原因）；2、Rsh偏低（参考Rsh偏低的产生原因）；
