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1、.摘 要电子技术的应用已深入到工农业经济建立、交通运输、空间技术、国防现代化、医疗、环保和亿万人们日常生活的各个领域,进入21世纪后电力电子技术的应用更加广泛,因此对电力电子技术的研究更为重要。近几年越来越多电力电子应用在国民工业中,一些技术先进的国家,经过电力电子技术处理的电能已得到总电能的一半以上。整流电路尤其是三相桥式可控整流电路是电力电子技术中最为重要的，也是应用得最为广泛的电路，不仅应用于一般工业领域，也广泛应用于交通运输、电力系统、通信系统、能源系统及其他领域。三相可控整流电路中应用最多的是三相桥式全控整流电路。这次设计主要是对三相桥式整理电路进展研究，研究其工作原理及其产生的波形
2、。1.目 录1选题背景11.1课题意义11.2要求12 三相桥式全控整流电路工作原理22.1原理22.2工作特点22.3工作过程分析33 参数计算及确定、晶闸管介绍63.1参数定量计算63.2 晶闸管介绍73.3电源参数确定94仿真结果及其分析124.1 仿真结果分析12 4.2波形分析.165 设计心得.176 参考文献1.1选题背景1.1课题意义电力电子学,又称功率电子学(Power Electronics)。它主要研究各种电力电子器件，以及由这些电力电子器件所构成的各式各样的电路或装置，以完成对电能的变换和控制。它既是电子学在强电(高电压、大电流)或电工领域的一个分支，又是电工学在弱电(
3、低电压、小电流)或电子领域的一个分支，或者说是强弱电相结合的新科学。电力电子学是横跨“电子、“电力和“控制三个领域的一个新兴工程技术学科。随着科学技术的日益开展,人们对电路的要求也越来越高,由于在生产实际中需要大小可调的直流电源,而相控整流电路构造简单、控制方便、性能稳定,利用它可以方便地得到大中、小各种容量的直流电能,是目前获得直流电能的主要方法,得到了广泛应用。由于电力电子技术是将电子技术和控制技术引入传统的电力技术领域，利用半导体电力开关器件组成各种电力变换电路实现电能和变换和控制，而构成的一门完整的学科。故其学习方法与电子技术和控制技术有很多相似之处，因此要学好这门课就必须做好实验和课
4、程设计，因而我们进展了此次课程设计。又因为整流电路应用非常广泛，而锯齿波移相触发三相晶闸管全控整流电路又有利于夯实根底，故我们选择三相桥式整流电路带阻感负载作为本次课程设计的课题。1.2要求 (a)设计出合理的整流电路图。 (b)选择不同触发角度，仿真出波形并做计算。 (c)给出详细仿真过程描述和详细的计算步骤和要求。2 三相桥式全控整流电路工作原理2.1原理 三相桥式全控整流电路图是应用最为广泛的整流电路，其电路图如下：图2-1 三项全控整流电路主电路原理图 如图2-1所示，为三相桥式全控带阻感负载。习惯将其中阴极连接在一起的3个晶闸管称为共阴极组；阳极连接在一起的3个晶闸管称为共阳极组。共
5、阴极组中与a、b、c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT1、VT3、VT5， 共阳极组中与a、b、c三相电源相接的3个晶闸管分别为VT4、VT6、VT2。晶闸管的导通顺序为 VT1VT2VT3VT4VT5VT6。变压器为型接法。变压器二次侧接成星形得到零线，而一次侧接成三角形防止3次谐波流入电网。在三相桥式全控整流电路中，对共阴极组和共阳极组是同时进展控制的，控 制角都是。由于三相桥式整流电路是两组三相半波电路的串联，因此整流电压为三相半波时的两倍。很显然在输出电压一样的情况下，三相桥式晶闸管要求的最大反向电压，可比三相半波线路中的晶闸管低一半。2.2工作特点三相桥式全控整流电路带阻感负载主要是
6、在不同阶段通过控制共阴极与共阳极的晶闸管导通与关断来实现整流作用的。现具体介绍不同阶段各晶闸管的工作情况，如表格2-2所示 表2-1三相桥式全控整流电路阻感负载触发角=0时晶闸管工作情况 2个晶闸管同时通形成供电回路，其中共阴极组和共阳极组各1个，且不能为同一相器件。 对触发脉冲的要求：按VT1-VT2-VT3-VT4-VT5-VT6的顺序，相位依次差60共阴极组VT1、VT3、VT5的脉冲依次差120共阳极组VT4、VT6、VT2的脉冲也依次差120同一相的上下两个桥臂，即VT1与VT4，VT3与VT6， VT5与VT2，脉冲相差180。一周期脉动6次，每次脉动的波形都一样, 故该电路为6脉
7、波整流电路。 晶闸管承受的电压波形与三相半波时一样，晶闸管承受最大正、反向电压的关系也一样。2.3工作过程分析 当60度时，ud波形连续，电路的工作情况与带电阻负载时十分相似，各晶闸管的通断情况、输出整流电压ud波形、晶闸管承受的电压波形等都一样。区别在于负载不同时，同样的整流输出电压加到负载上，得到的负载电流 id 波形不同，电阻负载时 ud 波形与 id 的波形形状一样。而阻感负载时，由于电感的作用，使得负载电流波形变得平直，当电感足够大的时候，负载电流的波形可近似为一条水平线。图2-2和图2-3分别给出了三相桥式全控整流电路带阻感负载=00和=300的波形。 图2-2中除给出ud波形和i
8、d波形外，还给出了晶闸管VT1电流 iVT1 的波形，可与带电阻负载时的情况进展比较。由波形图可见，在晶闸管VT1导通段，iVT1波形由负载电流 id 波形决定，和ud波形不同。 图2-2 触发角为=0o时的波形图 图2-3 触发角为=30o时的波形图 图2-4 触发角为=60时的波形图 当60度时，阻感负载时的工作情况与电阻负载时不同，电阻负载时ud波形不会出现负的局部，而阻感负载时，由于电感L的作用，ud波形会出现负的局部。图2-5给出了=90度时的波形。假设电感L值足够大，ud中正负面积将根本相等，ud平均值近似为零。这说明，带阻感负载时，三相桥式全控整流电路的角移相围为90度。图2-5
9、 触发角为=90时的波形图3 参数计算、元器件选择3.1定量计算当时，波形连续，电路的工作情况与带电阻负载时十分相似，整流输出电压连续时的平均值为：当时，带电阻负载，整流电压平均值为： 输出电流平均值为 当整流变压器为星型接法，带阻感负载时，变压器二次侧电流波形如图2-3所示，为正负半周各宽120，前沿相差180的矩形波，其有效值为： 三相桥式全控整流电路接，反电动势阻感负载时，在负载阻感足够大足以使负载电流连续的情况下电路工作情况与电感性负载相似，电路中各处电压 电流波形均一样，仅在计算时有所不同，接反电动势阻感负载的为：晶闸管的参数：1电压额定：晶闸管在三相桥式全控整流过程中承受的峰值电压
10、考虑平安裕量，一般晶闸管的额定电压为工作时所承受峰值电压的23倍。即 2电流额定：通态平均电流，考虑平安裕量，应选用的通态平均电流为计算的1.52倍，即3整流变压器的参数：很多情况下晶闸管整流装置所要求的变流供电压与电网电压往往不能一致，同时又为了减少电网与整流装置的相互干扰，可配置整流变压器。变压器的一、二次容量为 当60时，阻感负载时的工作情况与电阻负载时不同，电阻负载时波形不会出现负的局部，而阻感负载时，由于电感L的作用，波形会出现负的局部。图2-4给出了=90时的波形。假设电感L值足够大，中正负面积将根本相等，平均值近似为零。这说明，带阻感负载时，三相桥式全控整流电路的角移相围为90。
11、3.2 元器件介绍晶闸管的介绍晶管又称为晶体闸流管，可控硅整流Silicon Controlled Rectifier-SCR，开辟了电力电子技术迅速开展和广泛应用的崭新时代; 20世纪80年代以来，开场被性能更好的全控型器件取代。能承受的电压和电流容量最高，工作可靠，以被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域，成为功率低频200Hz以下装置中的主要器件。晶闸管往往专指晶闸管的一种根本类型-普通晶闸管。广义上讲，晶闸管还包括其许多类型的派生器件。1) 晶闸管的构造晶闸管是大功率器件，工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。晶闸管有螺栓型和平板型两种封装引出阳极A、阴极K和门极或称栅
12、极G三个联接端。对于螺栓型封装，通常螺栓是其阳极，能与散热器严密联接且安装方便。平板型封装的晶闸管可由两个散热器将其夹在中间。部构造:四层三个结。如图1.1图3-1晶闸管的外形、部构造、电气图形符号和模块外形a) 晶闸管外形 b)部构造 c)电气图形符号 d)模块外形2) 晶闸管的工作原理图晶闸管由四层半导体P1、N1、P2、N2组成，形成三个结J1P1N1、J2N1P2、J3P2N2，并分别从P1、P2、N2引入A、G、K三个电极，如图1.2(左)所示。由于具有扩散工艺，具有三结四层构造的普通晶闸管可以等效成如图1.2右所示的两个晶闸管T1P1-N1-P2和N1-P2-N2组成的等效电路。图
13、3-2晶闸管的部构造和等效电路晶闸管的驱动过程更多的是称为触发，产生注入门极的触发电流的电路称为门极触发电路。也正是由于能过门极只能控制其开通，不能控制其关断，晶闸管才被称为半控型器件。其他几种可能导通的情况：阳极电压升高至相当高的数值造成雪崩效应阳极电压上升率du/dt过高结温较高光直接照射硅片，即光触发：光控晶闸管只有门极触发是最准确、迅速而可靠的控制手段。可关断晶闸管 可关断晶闸管简称GTO。可关断晶闸管的构造：GTO的部构造与普通晶闸管一样，都是PNPN四层构造，外部引出阳极、阴极和门极如图1.3。和普通晶闸管不同， GTO是一种多元胞的功率集成器件，部包含十个甚至数百个共阳极的小GT
14、O元胞，这些GTO元胞的阴极和门极在器件部并联在一起，使器件的功率可以到达相当大的数值。图3-3 GTO的构造、等效电路和图形符号 可关断晶闸管的工作原理：GTO的导通机理与SCR是完全一样的。 GTO一旦导通之后，门极信号是可以撤除的，在制作时采用特殊的工艺使管子导通后处于临界饱和，而不像普通晶闸管那样处于深饱和状态，这样可以用门极负脉冲电流破坏临界饱和状态使其关断。 GTO在关断机理上与SCR是不同的。门极加负脉冲即从门极抽出电流即抽出饱和导通时储存的大量载流子，强烈正反响使器件退出饱和而关断。元器件清单元器件名称提取元器件路径交流电源Electrical source/AC voltage source三相电压-电流测量单元Measurements/Three-phaseV-I measurement三相晶闸管整流器E*tra library/three-phase library/6-pulse thyristor bridgeRLC负载Elements/series RLC
