cdse聚苯胺纳米复合材料的电化学制备及表征

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1、应用化学专业毕业论文 精品论文 CdSe/聚苯胺纳米复合材料的电化学制备及表征关键词:聚苯胺 电沉积 脉冲电位 复合薄膜 电致发光 纳米复合材料摘要:有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,

2、其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和

3、CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。正文内容 有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验

4、结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯

5、胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪

6、器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基

7、础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、

8、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度

9、明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描

10、电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致

11、密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位

12、阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直

13、径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了

14、基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒

15、电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和CdSe两种成分的晶体,SEM测试表明,在聚苯胺薄膜上沉积出CdSe颗粒,粒径约80-150nm。荧光光谱显示,与单纯的CdSe薄膜相比,复合材料的发光波长明显红移,且发光强度显著提高。有机/无机复合电致发光器件集纳米、有机等各方面的性能于一体,因此被认为是一种实现高效电致发光的新途径。论文通过电化学方法制备了聚苯胺薄膜,进而制备出聚苯胺/CdSe复合薄膜,为以后封装聚合

16、物/纳米半导体复合电致发光器件奠定了基础。 论文用控电位沉积法和脉冲电位阶跃法分别制备出聚苯胺薄膜。采用扫描电镜(SEM)、红外光谱仪(IR)、X射线衍射(XRD)、荧光光谱仪等仪器对所制备的薄膜进行比较与表征。实验结果表明,采用恒电位法可制备出聚苯胺晶体薄膜,其表面形貌因沉积时间不同而有所差异,另外,保护剂PVP的存在可以有效的减小颗粒直径。荧光光谱分析表明,聚苯胺薄膜具有光致发光性能,且发光强度随沉积时间的增加而增强。采用脉冲电位阶跃制备的聚苯胺薄膜中,聚苯胺粒径约90-150 nm,脉冲周期和脉冲时间对薄膜表面形貌影响不大。荧光光谱显示,脉冲沉积的聚苯胺薄膜发射峰位置在520nm左右,且发光强度随占空比的增加而增大。较之恒电位沉积,脉冲沉积的聚苯胺薄膜颗粒直径要小约5-10 nm,且薄膜更加致密,发光位置没有太大变化,但发光强度明显增强。 在电化学方法制备聚苯胺基础上,采用双槽法制备出CdSe/聚苯胺复合薄膜。XRD分析表明,薄膜中含有聚苯胺和Cd

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