南充负性光刻胶项目招商引资方案_范文模板

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1、泓域咨询/南充负性光刻胶项目招商引资方案报告说明从大基金一期的投资细分方向来看,一期主要侧重于晶圆代工、设计和封测等主要的产业大环节的投资布局,而对半导体材料和设备则投资较少。同时大基金关注产业链各环节龙头企业,优先帮助产业链龙头企业成长,加速国内半导体领先技术的孕育催化。大基金二期的投资方向主要集中于设备和材料,大基金总裁丁文武在2020年半导体集成电路零部件峰会表示,大基金二期将从3个方面重点支持国产设备与材料发展:(1)将对在刻蚀机、薄膜设备、测试设备和清洗设备等领域已布局的企业保持高强度的支持;(2)加快开展光刻机、化学机械研磨设备等核心设备以及关键零部件的投资布局;(3)督促制造企业

2、提高国产装备验证及采购比例,为更多国产设备、材料提供工艺验证条件。根据谨慎财务估算,项目总投资32642.09万元,其中:建设投资25715.84万元,占项目总投资的78.78%;建设期利息359.23万元,占项目总投资的1.10%;流动资金6567.02万元,占项目总投资的20.12%。项目正常运营每年营业收入72800.00万元,综合总成本费用61670.45万元,净利润8118.62万元,财务内部收益率18.06%,财务净现值10479.89万元,全部投资回收期5.97年。本期项目具有较强的财务盈利能力,其财务净现值良好,投资回收期合理。本项目符合国家产业发展政策和行业技术进步要求,符合

3、市场要求,受到国家技术经济政策的保护和扶持,适应本地区及临近地区的相关产品日益发展的要求。项目的各项外部条件齐备,交通运输及水电供应均有充分保证,有优越的建设条件。,企业经济和社会效益较好,能实现技术进步,产业结构调整,提高经济效益的目的。项目建设所采用的技术装备先进,成熟可靠,可以确保最终产品的质量要求。本报告为模板参考范文,不作为投资建议,仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息;项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。目录第一章 行业、市场分析8一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风,从中低端产品开始发

4、力8二、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建,国产光刻胶企业迎来重大机遇11第二章 项目基本情况14一、 项目名称及投资人14二、 编制原则14三、 编制依据15四、 编制范围及内容15五、 项目建设背景15六、 结论分析17主要经济指标一览表19第三章 建筑工程方案21一、 项目工程设计总体要求21二、 建设方案21三、 建筑工程建设指标22建筑工程投资一览表22第四章 选址可行性分析24一、 项目选址原则24二、 建设区基本情况24三、 建设创新发展动能强的科创中心27四、 打造融入国内国际市场的经济腹地29五、 项目选址综合评价31第五章 发展规划分析32一、 公司发展规划32二、 保障措施

5、36第六章 SWOT分析39一、 优势分析(S)39二、 劣势分析(W)41三、 机会分析(O)41四、 威胁分析(T)43第七章 运营管理48一、 公司经营宗旨48二、 公司的目标、主要职责48三、 各部门职责及权限49四、 财务会计制度52第八章 项目节能分析56一、 项目节能概述56二、 能源消费种类和数量分析57能耗分析一览表57三、 项目节能措施58四、 节能综合评价59第九章 项目环境保护61一、 编制依据61二、 环境影响合理性分析62三、 建设期大气环境影响分析63四、 建设期水环境影响分析66五、 建设期固体废弃物环境影响分析67六、 建设期声环境影响分析67七、 环境管理分

6、析68八、 结论及建议71第十章 原辅材料及成品分析73一、 项目建设期原辅材料供应情况73二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理73第十一章 劳动安全生产75一、 编制依据75二、 防范措施78三、 预期效果评价80第十二章 项目投资计划82一、 投资估算的依据和说明82二、 建设投资估算83建设投资估算表85三、 建设期利息85建设期利息估算表85四、 流动资金87流动资金估算表87五、 总投资88总投资及构成一览表88六、 资金筹措与投资计划89项目投资计划与资金筹措一览表90第十三章 经济效益及财务分析91一、 基本假设及基础参数选取91二、 经济评价财务测算91营业收入、税金及附加和

7、增值税估算表91综合总成本费用估算表93利润及利润分配表95三、 项目盈利能力分析95项目投资现金流量表97四、 财务生存能力分析98五、 偿债能力分析99借款还本付息计划表100六、 经济评价结论100第十四章 招投标方案102一、 项目招标依据102二、 项目招标范围102三、 招标要求102四、 招标组织方式103五、 招标信息发布103第十五章 项目风险防范分析104一、 项目风险分析104二、 项目风险对策106第十六章 项目综合评价说明109第十七章 附表附录111主要经济指标一览表111建设投资估算表112建设期利息估算表113固定资产投资估算表114流动资金估算表115总投资及

8、构成一览表116项目投资计划与资金筹措一览表117营业收入、税金及附加和增值税估算表118综合总成本费用估算表118固定资产折旧费估算表119无形资产和其他资产摊销估算表120利润及利润分配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表123建筑工程投资一览表124项目实施进度计划一览表125主要设备购置一览表126能耗分析一览表126第一章 行业、市场分析一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风,从中低端产品开始发力晶圆制造材料市场规模稳步提升,中国大陆市场增速全球最高。半导体制造所需材料种类繁多,按前后端工艺分为晶圆制造材料和组装与封测所需材料。根据SEMI数据,2007-2021年,晶

9、圆制造材料与封装材料的市场规模总体上都呈现出上升态势,并且前者增速更高。根据SEMI数据,2015年晶圆制造材料的市场规模约为240亿美元,晶圆封装材料的市场规模为192亿美元。根据SEMI预测,2021年全球晶圆制造材料市场规模升至344亿美元,2015-2021年CAGR为6.2%;全球晶圆封装材料的市场规模将达215亿美元,2015-2021年CAGR为1.9%。根据SEMI数据及预测,从全球不同地区的半导体材料市场来看,亚洲地区占据了大部分市场份额,其中又以中国台湾的市场规模最大。2021年中国台湾半导体材料市场规模预计将达到127亿美元,占比达22.2%。增长率方面,各地区2016-

10、2021年半导体材料市场的年均复合增长率在3.9%至8.4%之间,其中受益于下游晶圆代工产能快速增长的中国大陆晶圆制造材料市场规模年均增长率最高达8.4%。根据SEMI预测,2021年全球晶圆制造材料市场中半导体光刻胶及其配套试剂的总体市场规模占比将达到12.9%,仅次于硅片与电子特气位列第三;预计2021年全球半导体光刻胶市场规模将达到19.8亿美元,2016年至2021年的半导体光刻胶全球市场规模CAGR约为5.7%。而国内市场方面,根据彤程新材数据,2021年国内半导体光刻胶市场规模预计可达32.3亿元,同比增速高达45%。此外,根据彤程新材预测,伴随着国内晶圆代工产能的不断提升,202

11、5年国内半导体光刻胶市场规模有望达到100亿元,2021-2025年间半导体光刻胶的市场规模CAGR将达到32.6%。先进制程的发展并不意味着中低端产品的淘汰。芯片是由很多层结构有机地堆砌而成的,根据芯片结构设计,每一层的结构与沟槽尺寸各有区别。在芯片的制造过程中,特别是先进制程芯片的制造过程中,如果每一层都使用最先进光刻工艺、设备、材料来进行制造的话,对于晶圆制造厂商而言其建设芯片生产线的资本开支、后期设备的维护成本以及原材料成本将会过高。因此在芯片中,有很多层的结构其实是可以使用前一代或者更早期的光刻工艺来完成的,这就使得KrF光刻胶、i线光刻胶和g线光刻胶等半导体光刻胶中相对中低端的产品

12、在先进制程中也仍有用武之地。也正因如此,全球最顶级的光刻机厂商ASML在拥有了大量ArF和EUV光刻机的产品下,也仍然对外出售KrF光刻机和iLine光刻机等中低端产品。目前全球晶圆代工产能绝大部分都集中在东亚地区,截至2019年,中国台湾、韩国、日本和中国大陆的合计晶圆代工产能占比高达73%(折算8英寸片产能),然而10nm及以下节点逻辑芯片的先进制程产能由中国台湾的台积电和韩国的三星所垄断,而中国大陆的产能结构则几乎全以28nm及以上的成熟制程为主。截至2019年,在28nm及以上节点的逻辑芯片成熟制程产能中,中国大陆的产能占比达到22.0%,仅次于中国台湾(35.9%),位列全球第二。从

13、全部半导体晶圆代工总产能角度来看,根据ICInsights数据,截至2020年年底,在全部折算为8英寸片的数据口径下,中国大陆的晶圆代工月产能达到330万片/月,产能总量与日本相当,其中相对高端的12英寸片月产能占比达到63.6%。2017至2020年间,全球投产的晶圆厂约为62座,其中26座设于中国大陆。而根据BCG的统计数据,截至2020年9月全球在建晶圆代工产能达到540万片/月,其中中国大陆的在建产能占比最高,达42%。根据BCG的预测,2020至2030年期间,全球晶圆代工产能复合增长率约为4.6%,其中中国大陆的晶圆代工产能增速最快,预计2030年中国大陆的晶圆代工产能的全球占比将

14、达到24%,位居全球第一。同时在这十年期间,中国大陆的新增产能占比约为30%。而根据SIA的预测,2019至2030期间,中国大陆的晶圆代工产能复合增速达到10.7%,2019至2025年期间CAGR高达14.3%,到2030年中国大陆的晶圆代工产能的全球占比将由2019年的16%提升至29%。不论是从哪一种预测口径来看,中国大陆的晶圆代工产能增速都领先于其他国家或地区,到2030年中国大陆的晶圆代工产能占比将达到全球第一的位置,中国大陆半导体产业未来的高速发展可以预期。同时,在新增产能的制程结构方面,由于先进制程技术禁运以及高技术壁垒等原因,中短期内中国大陆的新增晶圆代工产能绝大部分仍将为成

15、熟制程产能。二、 大陆晶圆代工厂成熟制程快速扩建,国产光刻胶企业迎来重大机遇半导体工业沿摩尔定律向前发展,光刻技术是基石。摩尔定律的延续离不开光刻技术的进步,目前全球最为顶尖且实现量产的光刻工艺为台积电的5nm制程工艺(2020年),3nm制程工艺预计将于2022年正式投产。而大陆方面,最为领先的晶圆代工企业中芯国际已于2021年实现7nm制程工艺的突破,但仍与世界顶尖水平存在着约2代技术的差距,对应的技术研发周期约为3-4年。半导体光刻胶为晶圆制造核心材料,大陆产品仍存较大技术差距。在所有的晶圆制造材料中,半导体光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成要求而具有最高的价值含量。半导体光刻胶产品由低端到高端可分为g线、i线、KrF、ArF和EUV光刻胶,最高端的EUV光刻胶基本被日本和美国企业所垄断。大陆方面目前仅实现了KrF光刻胶的量产,ArF光刻胶产品仍处于下游客户验证阶段并未形成实际性的量产产能,而最高端的EUV光刻胶的技术储备近乎空白。

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