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1、刘忠立， 1940年生，武汉市人，1964年毕业于清华大学无线电电子学系半导体材料及器件专业。历任中国科学院半导体研究所微电子研究及发展中心主任、研究员、博士生导师、博士后合作导师、所学术委员会副主任、学位委员会委员、国家传感技术重点实验室副主任，创新重大项目“特种半导体器件及电路”负责人等。现任中国科学院微电子研究所特聘研究员，传感技术国家重点实验室学术委员会委员、北京市传感技术实验室学术委员会委员、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会委员、中国国际工程咨询公司项目评估专家等职，微电子学杂志编委会委员，科学出版社“半导体科学与技术丛书” 编委会委员。 已在国内外重要刊物上发表论文120余篇，撰写
2、专著4本，译著2本，拥有国家发明专利8项，指导已毕业的博士生12名，博士后1名，指导已毕业的硕士生12名。 工作经历： 1964年毕业于清华大学半导材料及器件专业。 1964-2010年在中科院半导体研究所工作，2011年起被中科院微电子研究所 聘为教授继续工作。 1980-1982年作为访问学者在联邦德国多特蒙德大学从事新CMOS器件研究。 1990-1991年在联邦德国HMI研究任客座教授所事MOS器件辐射加固物理研究。 学术兼职： 1、传感技术国家重点实验室学术委员会顾问。 2、北京市传感技术国家重点实验室学术委员会委员。 3、中国电子学会核辐射电磁脉冲专委会专家委员。 4、中科院军工项
3、目监理部监理。 5、“微电子学 ”杂志编委会委员。 6、科学出版社半导体技术书籍编委会委员。 7、中电集团SOICMOS技术研发中心专家委员会专家。 研究方向： 主要从事从事半导体器件、电路、微传感器的设计、制造及辐射加固研究，近年来重点研究抗辐射SOICMOS SRAM、抗辐射SOICMOS FPGA及宽带隙半导体SiC 功率器件。 承担的科研项目情况： 长期从事辐射加固集成电路、微传感器及半导体功率器件研究，是我国最早研制成功MOSFET及JFET器件的主要研究人员之一。20世纪60年代后期至70年代中期，在高质量SiO2 生长、检测以及MOS器件稳定性和可靠性方面，做出了很多有意义的开拓
4、性研究成果，1974年负责研制成功CMOS指针式电子手表电路，荣获北京市科技二等奖。19801982年，作为访问学者在德国多特蒙德大学电子系从事新CMOS器件研究，首创性地提出并负责研制成功离子注入氮形成隐埋Si3N4的CMOS/SOI器件，得到国际同行的认可。1990-1991年，在德国HMI核研究所任客座教授从事MOS器件辐射物理研究，取得有意义的成果。1982年-1989年，负责研制成功“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星抗辐射集成电路”，电路的抗辐射指标达到国际上相应电路的最好水平，分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖；1992年获国防科工委光华基金二等奖；19
5、93年获国家政府特殊津贴及中科院优秀教师称号； 1995负责研制成功重点工程CMOS/SOS抗辐射CMOS/SOS集成电路，获中科院科技进步三等奖。“八五” 、“九五”及“十五”期间，负责多项国家重大研究课题，均已通过验收，其中同中科院微电子所合作完成的”64K抗辐射CMOS/SOI SRAM”院重点创新项目，同中电集团58所合作完成的十五预研项目”128K抗辐射CMOS/SOI SRAM”,开拓了我国抗辐射CMOS/SOI辐射加固集成电路的研究领域。此外，“九五”至“十五”期间还负责研制成功高反压SiC二极管、SiC肖特基二极管、SiC MOS管等国内一流的研究成果，十一五责研制成功5万门抗
6、辐射CMOS/SOI FPGA电路已通过验收，辐射指标达国际先进水平。 科研成果： 1、1974年负责研制成功我国第一个CMOS指针式电子手表电路，获北京市科技二等奖。 2、1980年提出并研制成功的离子注入氮形成隐埋的Si3N4层不用处延硅的CMOS/SOI器件是国际上开创性的工作。 3、负责的“抗辐射CMOS/SOS集成电路”及“长寿命卫星用抗辐射集成电路”研究项目分别获1987年及1991年中科院科技进步二等奖。 4、负责的国防重点工程抗辐射加固CMOS/SOS集成电路1995年获中科院科技进步三等奖。 发明专利： 1、集成电路的保护结构， 刘忠立，刘荣环， 和致经， 中国科学院半导体研
7、究所， 1990-01-31。 2、一种功率MOSFET驱动电路， 高峰， 李春寄，刘忠立，于芳 ，中国科学院半导体研究所， 2007-10-17。 3、一种幅度调制隔离反馈控制电路，高峰， 李春寄， 刘忠立，于芳，中国科学院半导体研究所 ，2007-10-17。 4 、一种可重构的乘法器， 余洪敏， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所， 2010-01-13。 5、针对多模式逻辑单元可编程门阵列的工艺映射方法， 张琨，周华兵， 陈陵都， 刘忠立，中国科学院半导体研究所， 2010-02-24。 6、全集成高线性三角波发生器， 李霄鹍， 石寅， 刘忠立， 中国科学院半导体研究所 ，200
8、6-06-21。 7、形成于PD SOI 衬底上的静态随机存储器及其制作方法，赵凯， 刘忠立， 姜凡， 中国科学院半导体研究所， 2007-07-04。 8、改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元， 赵凯， 刘忠立， 于芳， 中国科学院半导体研究所， 2009-05-27 。出版专著： 1. CMOS集成电路原理制造及应用，刘忠立，电子工业出版社，1990年。 2. 研究生专业参考教程第一卷，本书共六章，刘忠立著第六章：“微电子学中的半导体器件”，1995年，中科院半导体所内部发行。 3. 电子器件抗辐射加固技术，本书共九章，刘忠立著第七章：“CMOS/SOS 及 CMOS/SOI 集
9、成电路的辐射效应及加固技术”，装备部出版, 2001年。 4. 特高频射频识别技术及应用，李全圣，刘忠立，吴里江，国防工业出版社，2010年。 出版译著： 1. 半导体辐射探测器，刘忠立译，国防工业出版社， 2004年。 2. 先进半导体材料及器件的辐射效应，刘忠立译，国防工业出版社， 2008年。3. 模拟电路中的ESD 设计，刘忠立,王东辉, 洪缨 译, 国防工业出版社， 2014年。发表论文： 1. 刘忠立，论N沟道增强型MOS晶体管，半导体通讯，1973，No.3, pp1-7. 2. 刘忠立，用于钝化钠离子的掺HCL氧化方法，全国半导体表面钝化会议，1975，pp126-130. 3
10、. 刘忠立，P沟Si栅N沟Al栅CMOS手表电路，半导体通讯，1976, No.3, pp1-10. 4. 刘忠立，一种简易的监控Si-SiO2界面质量的水银探针，物理学报，1977, Vol.26, No.3, pp281-284. 5. 刘忠立，用于MOS器件阈值电压设计的诺摸图，无线电技术，1977, pp44-45. 6. Liu Zhongli, et al, CMOS Devices Buried Silicon Nitride Formed by Nitrogen Implantation, Proceeding of 12th ESSDERC, Sept.1982, pp172
11、. 7. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, Buried Silicon-Nitride Layers Formed by Nitrogen-Ion Implantation and High-Temperature Annealing, Ion Implantation Equipment and Technology (H.Ryssel and H.Glawishs), 1983, pp426-432. 8. Zimmer G, Neubert E, Zetzmann, W, Liu, Z, CMOS-DEVICES ISOLATED BY ION-IMPLANT
12、ED BURIED SILICON NITRIDE, Technical Digest - International Electron Devices Meeting, 1982, pp 789-790. 9. G.Zimmer, Liu Zhongli, et al, CMOS Technologie auf Vergrabennen Ziliziumnitrid, MTG-Fachtagung Grossintegration, 1982, pp130-133. 10. 刘忠立等，离子注入氮化硅隔离的CMOS器件，半导体学报，1983, Vol.4，No.6，pp601-605. 11.
13、 刘忠立，N阱全离子注入硅栅CMOS工艺中短和窄沟MOS晶体管的某些实验特性，第三届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，1983, pp282-283. 12. Liu Zhongli, et al, High Performance Radiation Tolerant CMOS/SOS ICs, Institute of Semiconductors, Academy Sinica,Research Progress Report, 1985-1986, Vol.5, pp38-40. 13. 刘忠立等， SOS/CMOS集成电路的研制及其在存储电路中的应用展望，第五届信息存储技术学
14、会论文集， 1986. 14. 刘忠立等，加固至抗总剂量达107 Rad(Si)的SOS/CMOS ICs，抗核加固，1987, Vol.4, No.1. 15. 刘忠立等，高水平抗辐射SOS/CMOS集成电路，第五届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，pp139-141. 16. 刘忠立等，CMOS/SOS集成电路输入保护电路设计，“抗核辐射电子学会论文集”，1987. 17. Liu Zhongli, et al, An Excellent High Voltage NMOS/SOS Driver, the Proceeding of the Second International
15、 Conference on Solid-State and Integrated Circuit Technology, Oct. 1989, pp 449-451. 18. 刘忠立等，一种优良的NMOS/SOS驱动器，第六届全国半导体集成电路和硅材料学术会议论文集，1989, pp216-217. 19. 刘忠立等，用于通信卫星上的CMOS/SOS集成电路， 抗核加固，1990, No.3. 20. 刘荣寰，刘忠立等，加固的CMOS/SOS集成电路抗瞬态辐射的最新结果，抗核加固，1990, No.3. 21. 刘忠立等，多晶硅掺杂方式对MOS电容器电离辐射特性的影响，抗核加固技术研究，19
16、92年部分成果集，国防预研抗辐射加固项目办公室编，1992, pp 130-132. 22. 和致经，刘忠立等，SOS 结构条形栅MOS管岛边效应的加固技术，第五届全国抗辐射电子学学术会议，1993，pp 72-75. 23. 刘忠立，MOS电容器中电离辐射产生的界面态同SiO2内被陷阱俘获的空穴电荷之间的关系， 第五届全国抗辐射电子学学术会议，1993, pp69-71. 24. 刘忠立，军用CMOS/ SOS的可靠性及发展动态，军用电子元器件可靠性论文选，国防科工委军用电子元器件可靠性专业组编，1994, pp32-36. 25. Zhongli Liu, et al, Improvement of CMOS/SOS Devices Characteristics by a Mod
