《振荡器DRO的HFSS和ADS联合仿真总结》由会员分享，可在线阅读，更多相关《振荡器DRO的HFSS和ADS联合仿真总结（17页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、第1章预备知识21.1振荡器分为两种：反射式和反馈式 21.2DRO 分为两种：反射式和反馈式 2第2章HFSS11产生S2P文件并在ADS中进行仿真42.1 HFSS11 导出 S2P 文件 42.2 在 ADS2008 中对产生的 S2P 文件仿真 5第3章放大管ATF36077的直流扫描和直流仿真63.1 直流扫描（目的：确定直流工作点VDs，Vgs，ID，为设计偏置电路提供依据）63.2 直流仿真（目的：根据 3.1 确定的偏置点设计和仿真偏置电路）8第4章S参数仿真10第1章预备知识1.1 振荡器分为两种：反射式和反馈式判断这两种形式振荡器是否能振荡的方法分别如下(1) 反射式(VC
2、O也属于这一种)2) 反馈式1.2 DRO 分为两种：反射式和反馈式本文介绍反馈式 DRO 的设计方法，其电路框图和大致的 autoCAD 版图如下：轴 RFOUT： G C IHFSS11产生S2P文件并在ADS中进行仿真概述：ADS中模型库中自带有一个介质和单根微带线耦合的模型，但是没有一个 介质和两根微带线耦合，所以必须在HFSS中建立一个介质和两根微带线耦合的模 型，并仿真出S曲线，导出S2P文件，最后导入ADS中进行联合仿真。21 HFSS11导出S2P文件HFSSResults-Solution DATAMatrix Data-Export Matrix Data 就是默认的格式不
3、用改，导出来就是s2p文件了2.2在ADS2008中对产生的S2P文件仿真概述：由第一章的预备知识可知，反馈式振荡器产生振荡必须同时满足幅度条件 和相位条件，具体判断这个11.78GDRO是否能振荡的条件就是：（1）放大器的增益大于谐振网络（DRO组成的窄带滤波器）的损耗（一般大10dB比较 稳当）。（2）放大器的相位和谐振网络、电路其他元件的相位相加必须为0（同相相加才能产 生振荡）。仿真这个反馈式11.78GDRO的大概步骤如下：（1）在ADS中仿真一个介质和两根微带线耦合模型（谐振网络）的S2P文件，通过 S21得到谐振网络在11.78G处的插损和相位。（2）设计放大器，使放大器的增益大
4、于谐振网络的插损；使放大器的相位和谐振网 络、电路其他元件的相位相加为0。下面就先进行第（1）步，从而得到谐振网络在11.78G处的插损和相位。ml.-* _仝-II1 1 40 IIrrrn19 llrrrrr7Q IIIllin 11iiii x 11 1 11 11 B5 11W IIIll19 IH血nj(i_21J1 一一-1-wwJZ一-ii1111111111 11111111111111Z IliM 11 ?i 1175 ni 11阂ii:7ai- . llfcl-.- .Az*含dtda5 sdz：nts:dtmsIttihH s- 由!4：aDiTfaWF1e4 Typ J
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6、R41由仿真结果可以看出：谐振网络的损耗只有0.4dB，相位为+152度。那么接下来的任务就是设计放大器，使放大器的增益大于0.4（一般要大10dB左右, 即10.4dB）；使放大器和电路其他元件的相位总和为-152度（即核心始终是：幅度条 件和相位条件）。放大管ATF36077的直流扫描和直流仿真31直流扫描（目的：确定直流工作点VDS,VGS,ID,为设计偏置电路提供 依据）首先分析ATF36077的datasheet,如下图，可见VDS不能超过+3V, ID不能超过45mA（典型值为25mA），否则可能损坏器件。初步选择VDS=2.5V，ID=25mAoATF-36077 A la e
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8、 of t.hiahnvo nmy fiif tticsc pEiratK-cRr may poirtn 泗 damsgo.2. Measured dL 1和* j 】H MW and l：d|! = HMM：.；1rate at JC.7 mW/XrTr % 1；J的匕ATF-36077 EleEttital Sp仞ifloarions,E = 2X2,Z(j = 5012,= 1.5 V, IOriAh (unlcastjCht mirft! iurtt?d)JSymbolPttraiTielers nd Test Coni di lionsUnitsMill.Typ-Mas,NHNMSp
9、Figiirl1(=li(K；HzdRAB偽Gmd.NFl1!r=ClH11012j0MjilTraniycnducta.nceV-LSV.-DVmSsoS5J 11亦pSaturated Drain CurrentV-LSV.-DVmA1EVpiOOfeI* inch-o if VcJtageV-.jU-OBB下面在ADS2008中对ATF36077管进行直流扫描。 放入ATF36077管的模型竺豊竺士團直it 藏|舉日理 y1E4Ej7ScLi!.ttLaE 1Ji L* Ech h Vi i* DptL-n.T Ie4Le Ha j曰劇討凸瞎I BUB聞匸ar阿er1 7DbICE41A
10、TF.fflEMTrMdmFstVcb-tSSld-liWiFstVcb-tSSld-liWiFET CtTi巴 IratirR1 -E-BVS=PV.4 . / .uu7t_SflC2Jph|ptflKiS：i7Tja27XI I -PARAMETER SVEEP了皿冲忤g ”EimlnslancENsfTHi rj-CCI* 1, 盘酊国畅规田= .BlnlnirtainrelilanHfi-.EiminslancEMsmefJpEihdfiii頁打工話an前首j- 盘削时isn国鮭帕|国= 511=-2.3StopDStep-D 5I -=2.0 / !Etep-n.j-r .3: dr
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12、忤梭咕吋少LT： 1严;严丄ii:以沖；沁的井多数模H只祜 供-卜说三分竽汶甲噩过匚玉務右前也-当然选择非线性模型放入直流仿真模板。Insert-Template-FET_curve_tracer。（3）连接好，并仿真。注：（A）根据PDF,初步选择VDs=25V, ID=25mA（B）FET需要D极（正电）和G极（负电）供电，但在某条件下如果G极需要的 电压为0则可直接把G极接地，从而只用给D极单电源供电，可简化设计。VDS以上两图是对VDS进行扫描。V OC 三豆U 1I_RY a 口丘IOSGEu. I I -曰戸ONa rt!；I-八.I 八-I.-Il_ I l_H：尸曰vym 曰P
13、S wc c p _1-SI nriI ri atari c e pja rne l i j = 口 u S i ml n d七口 n ccNamc2 SI ml m stan c&Msrae3 SI ml ri s1zsr)c 三 Ma me 斗= SI ml n stam ceMsme5 =ill li ijtnri 匚:uhlDEDi 白 1 =愿一2G-22沁vss=irntfr VGS-Q.Q2D VG5-Q.Q3D VCSO.DiD VGS-D.D5DYGS 是皿 7.-18 :迢，可 丁 w丄为(), 匚逬 W Aiii:. I 心吸!:汕何LD C -1swe &ar- /Ej S Start=-2 _q Stop 2.6 .Step 0.1.set ciralrn anm pmtm volt=age .sweep. I Irm jt& mm t de ci.Sts rt-O . O 5S to p = .0 5 曰匸耳口 = 口 .0.1 SO
