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1、word第1章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共25分）1、N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的五价元素组成的。这种半导体的多数载流子为自由电子，少数载流子为空穴，不能移动的杂质离子带正电。P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的三价元素组成的。这种半导体的多数载流子为空穴，少数载流子为自由电子，不能移动的杂质离子带负电。2、三极管的部结构是由发射区、基区、集电区区及发射结和集电结组成的。三极管对外引出的电极分别是发射极、基极和集电极。3、PN结正向偏置时，外电场的方向与电场的方向相反，有利于多数载流子的扩散运动而不利于少数载流子的漂移；PN结反向偏置时，外电场
2、的方向与电场的方向一致，有利于少子的漂移运动而不利于多子的扩散，这种情况下的电流称为反向饱和电流。4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子由P向N区进行扩散，N型半导体中的多数载流子由N向P区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立起一个空间电荷区，其方向由N区指向P区。空间电荷区的建立，对多数载流子的扩散起削弱作用，对少子的漂移起增强作用，当这两种运动达到动态平衡时，PN结形成。5、检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的R1K档位，当检测时表针偏转度较大时，与红表棒相接触的电极是二极管的阴极；与黑表棒相接触的电极是二极管的阳极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时，
3、说明二极管已经被击穿；两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经绝缘老化。6、单极型晶体管又称为场效应（MOS）管。其导电沟道分有N沟道和P沟道。7、稳压管是一种特殊物质制造的面接触型硅晶体二极管，正常工作应在特性曲线的反向击穿区。8、MOS管在不使用时应避免栅极悬空，务必将各电极短接。二、判断正误：（每小题1分，共10分）1、P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。 （错）2、自由电子载流子填补空穴的“复合”运动产生空穴载流子。 （对）3、用万用表测试晶体管时，选择欧姆档R10K档位。 （错）4、PN结正向偏置时，其外电场方向一致。（PN结反向偏置时，其
4、外电场方向一致 ） （错）5、无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。 （错）6、双极型晶体管是电流控件，单极型晶体管是电压控件。 （对）7、二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿。 （错）8、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM时，该管必被击穿。 （错）9、双极型三极管和单极型三极管的导电机理相同。 （错）10、双极型三极管的集电极和发射极类型相同，因此可以互换使用。 （错）三、选择题：（每小题2分，共20分）1、单极型半导体器件是（ C ）。A、二极管； B、双极型三极管； C、场效应管； D、稳压管。2、P型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。A、三价；
5、 B、四价； C、五价； D、六价。3、稳压二极管的正常工作状态是（ C ）。A、导通状态； B、截止状态； C、反向击穿状态； D、任意状态。4、用万用表检测某二极管时，发现其正、反电阻均约等于1K，说明该二极管（ C ）。A、已经击穿； B、完好状态； C、部老化不通； D、无法判断。5、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。A、多子扩散； B、少子扩散； C、少子漂移； D、多子漂移。6、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为VE2.1V，VB2.8V，VC4.4V，说明此三极管处在（ A ）。A、放大区； B、饱和区； C、截止区； D、反向击穿区。7、绝缘栅型场效应管
6、的输入电流（ C ）。A、较大； B、较小； C、为零； D、无法判断。8、正弦电流经过二极管整流后的波形为（ C ）。A、矩形方波； B、等腰三角波； C、正弦半波； D、仍为正弦波。9、三极管超过（ C ）所示极限参数时，必定被损坏。A、集电极最大允许电流ICM； B、集射极间反向击穿电压U（BR）CEO；C、集电极最大允许耗散功率PCM； D、管子的电流放大倍数。10、若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（ C ）A、发射结正偏、集电结正偏； B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏； D、发射结反偏、集电结正偏。四、简述题：（每小题4分，共28分）1、N型半导
7、体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电子，所以仍呈电中性。2、某人用测电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原则可判断出管脚是发射
8、极，管脚是基极，管脚是集电极。图1-293、图1-29所示电路中，已知E=5V，V，二极管为理想元件（即认为正向导通时电阻R=0，反向阻断时电阻R=），试画出u0的波形。u/Vt0uiu0105答：分析：根据电路可知，当uiE时，二极管导通u0=ui，当uiE时，二极管截止时，u0=E。所以u0的波形图如下图所示：4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本质不同点。单极型晶体管部只有多数载流子参与导电，因此
9、和双极型晶体管中同时有两种载流子参与导电也是不同的。5、图1-34所示电路中，硅稳压管DZ1的稳定电压为8V，DZ2的稳定电压为6V，正向压降均为0.7V，求各电路的输出电压U0。答：（a）图：两稳压管串联，总稳压值为14V，所以U0=14V；（b）图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此U0=6V；（c）图：两稳压管反向串联，U0=8.7V；（d）图：两稳压管反向并联，可认为DZ1截止不通，则U0=0.7V。6、半导体二极管由一个PN结构成，三极管则由两个PN结构成，那么，能否将两个二极管背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三
10、极管的。因为，两个背靠背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的部条件，即使是发射区向基区发射电子，到基区后也都会被基区量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。图1-30 7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。五、计算分析题：（共17分）1、图1-31所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进行分析计算。（8分）（1）UCE=3V，IB=60A，IC=？ （2
11、）IC=4mA，UCE=4V，ICB=？ （3）UCE=3V，IB由4060A时，=？ IC (mA)UCE (V)54321100A 80A 60A 40A 20AIB0图1-3101 2 3 4 5 6 7 8ABC解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。（1）观察图6-25，对应IB=60A、UCE=3V处，集电极电流IC约为3.5mA；（2）观察图6-25，对应IC=4mA、UCE=4V处，IB约小于80A和大于70A；（3）对应IB=20A、UCE=3V处，IC1mA，所以1000/2050。2、已知NPN型三极管的输入输出特性曲线如图1-32所示，当（1）UBE=0.7V，U
12、CE=6V，IC=？（2）IB=50A，UCE=5V，IC=？ 图1-32IC (mA)UCE (V)108642100A 80A 60A 40A 20AIB001 2 3 4 5 6 7 8（b）输出特性曲线（a）输入特性曲线IB (A)12080604020UBE (V)00.1 0.3 0.5 0.7 0.9 （3）UCE=6V，UBE从0.7V变到0.75V时，求IB和IC的变化量，此时的（9分）解：（1）由（a）曲线查得UBE=0.7V时，对应IB=30A，由(b)曲线查得IC3.6mA；（2）由（b）曲线可查得此时IC5mA；（3）由输入特性曲线可知，UBE从0.7V变到0.75V
13、的过程中，IB30A，由输出特性曲线可知，IC2.4mA，所以2400/3080。第2章 检测题 （共100分，120分钟）一、填空题：（每空0.5分，共21分）1、基本放大电路的三种组态分别是：共发射极 放大电路、共集电极放大电路和共基极放大电路。2、放大电路应遵循的基本原则是：发射结正偏；集电结反偏。3、将放大器输出信号的全部或部分通过某种方式回送到输入端，这部分信号叫做反馈信号。使放大器净输入信号减小，放大倍数也减小的反馈，称为负反馈；使放大器净输入信号增加，放大倍数也增加的反馈，称为正反馈。放大电路中常用的负反馈类型有电压串联负反馈、电流串联负反馈、电压并联负反馈和电流并联负反馈。4、射极输出器具有电压增益恒小于1、接近于1，输入信号和输出信号同相，并具有输入电阻高和输出电阻低的特点。5、共射放大电路的静态工作点设置较低，造
