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1、 . ICP考试题库一， 选择题。1、ICP刻蚀机的分子泵正常运行时的转速大约在BRPMA 20000B32000C 40000D180002、北微ICP本底真空和漏率指标为A时，设备能够正常工作A 00.1mT2.5mT2mT/minC 0.3-0.5mT0.5mT2.5mT/min3、NMC 刻蚀机当前SRF时间为C时，要求对设备进展开腔清洁A50H B100HC200HD2000H4、SLR ICP托盘、螺丝等清洗标准作业流程(ABC)A:用DI水喷淋托盘底盘和盖子、耐高温橡皮条7根、螺丝B:用N2吹干C:螺丝使用一次后清洗；托盘和橡皮条使用三次后清洗；当天全部声波清洗5、ELEDE I
2、CP铝盘、石英盖、密封圈清洗标准作业流程( ABCD )A. 用DI水浸泡石英托盘20minB. 用DI水冲洗一遍C. 用N2吹干D用IPA擦拭密封圈6、ELEDE ICP卸晶片标准操作流程( ABC )A用专用螺丝刀把托盘的螺丝拧松，用手拧开，放回固定位置B用手轻轻地取出石英盖C用专用镊子将晶片夹放到相应的盒子里7、CORIAL ICP卸晶片工艺步骤( ABC )A 用小起子将铝盖轻轻翘开B 移开铝板C 用真空吸笔将蚀刻片吸到相应的盒子里二， 填空题。300S 2.蚀刻时一般设置氦气的压力是4Torr当实际压力超过 5.2Torr 会报警氦漏3.NMC机台正常工作时分子泵的转速是32000
3、RPM 4.在NMC工作中氮气的作用是 吹扫腔体 氦气的作用时 冷却晶片(托盘) 氧气的作用是 清洁腔室 三氯化硼的作用是 蚀刻晶片 5. 1 Torr = 133 P a6.清洗晶片时丙酮的作用是清洗 有机物 异丙醇的作用是清洗 丙酮 7.曝光使光刻胶有选择性，正胶 光照 地方，负胶 未被光照 地方，光刻胶被显影液反响掉 8.ICP的清洁没有做好会造成晶片 死区盲区 等缺陷9.造成马赛克的因素有 晶片的平整度 ， 匀胶的均匀性 ， 曝光台的清洁度10.NMC机台连续工作5小时需要做Dryclean11. 每周五检查冷冻机冷冻液剩余情况，低于第一个金属环时应添加异丙醇12. 当机台闲置2小时以
4、上再生产时，应对机台进展一次预热动作13.作业过程中，杜绝晶片放错片盒，以工艺记录本的刻号为准14.实验时装片要仔细查看晶片，防止把好晶片当成废片作为陪片刻蚀15.实验片刻蚀完放回原来的盒子中，不可另外单独存放16.每蚀刻完一个RUN，抽取两片进展检测，检测数据如有异常，立即报告工艺人员17.拿晶片测量数据时，不可用手触摸晶片外表，防止晶片污染导致测量误差18.每班下班前保证有三盒有胶废片，用过的废片满一盒后要与时送往清洗站19.蚀刻前进展晶片的挑选，凡有马赛克、污染、针孔等缺陷超过0.2mm2的不能蚀刻,收集到返工盒里，待满一盒，流到清洗站清洗20.每次做完PM后连续做5个SEASON接着做
5、4片实验，假设实验片数据和外观OK就正常生产，负责在做3个SEASON和4片实验，直到能够生产为止三， 判断题：1, ICP刻蚀的工艺气体是三氟甲烷 2，Corial冷冻机里面装的是ACE ( )3，ICP石英托盘用ACE清洁 4, 真空吸笔头容易脱落，吸片前检查一遍吸笔头是否稳固 5，每次生产时用无尘布加IPA擦拭片盒和CM腔室 6，操作员可更改ICP生产程序 四，问答题：1.在检测发现有很多的废片如满天星；边不对称；刮花等，试分析一下造成这些废片的原因。答：造成满天星的因素可能是1晶片曝光过程中光刻板污染、显影过程中脱胶等，但是刻蚀前没有镜检，2装完片没有进展吹扫有颗粒落在晶片上，3机台长
6、久没有做PM有颗粒掉在晶片上。 边不对称：1装片时没有调整好，2盖石英盖时造成晶片移位。 刮花：1装片调整时镊子刮到晶片，2目检时遗漏了刮花缺陷，3拧螺丝时手指衣袖等碰到晶片。2NMC机台在进展手动操作时，机台里只有一个托盘，托盘真正的位置在机械手臂上，但是系统显示托盘位置为未知状态，此时该如何操作？答:点击手动模式再点击托盘同步，在“设置托盘存在状态下设置腔室的选项为 托盘不存在，机械手臂为 托盘存在 托盘1,2,3,4,5的位置都设置为 托盘不存在 然后点击“与系统记录同步点击“与设备信号同步此时机械手臂上会显示有托盘，其他地方都没有托盘，这样就可以进展接下来的操作了。3.什么叫做选择比？
7、如果晶片上光刻胶的厚度是2.5um，要刻出高度约为1.55um的产品，那么理想的选择比应该是多少？ 选择比=1.552.5=0.624.下列图是一简化的NMC机台的工艺配方，描述一下各个参数的含义。参数Stable1Etch1Stable2Etch2Stable3Etch3flowPressure(mTorr)33331.51.50SRFPower(W)0190001400019000BRFPower0200020007000HeliumPressure(Torr)4444444GasBCL3(300sccm)8080808040400Time(sec)20600106001045060Pen
8、vlvPositionDelayTime0000001000SRFReflectPower(W)50505050505050BRFReflectPower(W)50505050505050C5SetPoint40404040404040答：Pressure(mTorr)工艺腔室压力，SRFPower(W)上电极加载功率，BRFPower下电极加载功率，HeliumPressure(Torr)氦气压力，GasBCL3(300sccm)三氯化硼流量，Time(sec)蚀刻时间，PenvlvPositionDelayTime PV摆阀位置，SRFReflectPower(W)上电极反射功率，BRFR
9、eflectPower(W)下电极反射功率，C5SetPoint等离子体密度。5简述CORIAL ICP作业流程图检查N2 、BCl3 、O2 、He压力，PCW压力，温度等是否正常系统开机翻开传输腔室放置托盘选择刻蚀程序蚀刻作业蚀刻完毕，卸下晶片6简述CORIAL ICP装片工艺步骤1 装备好材料，包括石英托盘、带密封圈的铝盖、蓝宝石晶片；2 用无尘布蘸IPA擦拭石英托盘、铝盖；3 将密封圈均匀陷于铝板小槽中；4 石英托盘反面朝上，用真空吸笔吸取晶片反面，按一定顺序放在晶片位置上，晶片平边对准托盘平边；5 将铝盖放在晶片顶部，并轻压，使铝板嵌入托盘小槽中；6 装好后，用无尘布蘸些许IPA擦拭
10、托盘反面，将托盘翻转，轻轻擦拭托盘边缘，小心碰到晶片外表。7. 简述CORIAL ICP清洗托盘作业流程图DIW浸泡石英托盘DIW冲洗无尘布擦拭N2吹干IPA擦拭8. 简述CORIAL ICP清洗反响室作业流程图翻开反响室DI水清洗腔壁和石英窗口IPA擦拭用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条放置真空密封橡皮条安装石英细管关闭反响室9简述CORIAL ICP托盘清洗标准作业流程A. 用DI水浸泡石英托盘20min；B. 用DI水冲洗一遍；C. 用N2吹干；D用IPA擦拭；E. 用真空硅脂涂抹真空密封圈。10. 简述CORIAL ICP清洗反响室方法与步骤A. 进入状态，选择；B. 点击显示步骤，再点击；
11、C. 等待完毕，反响室处于破真空状态，拧掉反响炉室上4颗锁紧螺丝，翻开反响室；D. 拆下石英细管，先用无尘布蘸上DIW，擦洗反响室壁和石英窗口，再用无尘布蘸上IPA擦洗。注意检查下电极上的弹簧圈是否有损坏，如有损坏，请与时更换，最后清洁完后，按照图示安装石英细管；E. 用真空硅脂涂抹真空密封橡皮条，再放置好；F. 在状态，选择，将 清零，自动加1；G. 完毕后，盖上反响室，拧上螺丝，注意先不用拧紧，点击退出maintenance mode,，等机台进入vacuum ready状态，拧紧反响室上的螺丝.。11. 简述ELEDE ICP作业流程图检查N2 、BCl3 、O2 、He压力，PCW压力
12、，Chiller温度等系统开机, 启动上下位机控制程序翻开传输腔室放置石英托盘抽真空蚀刻作业蚀刻完毕，卸下晶片12. 简述ELEDE ICP装晶片标准操作流程A. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘外表包括O-ring；B. 用专用镊子将晶片按照一定顺序夹放到托盘的各个位置上如上图，以边缘均匀盖住密封圈为准除平边,如左下列图不含石英盖所示；C. 放置石英盖时不能移动晶片，对准定位销将石英盖轻放至托盘上，以边缘均匀盖住密封圈为准除平边，如右下列图含石英盖所示；D. 拧上螺丝注意不拧紧，防止衣袖、手套碰到晶片外表；E. 用力矩螺丝刀拧中外圈螺丝，每隔2个拧一次，分2次拧紧，1次检查；F. 检查一遍晶片是否放好，并用专用吹扫工具吹扫一遍；G. 用无尘布蘸IPA擦拭铝托盘底部，注意不可将IPA沾到晶片上；H. 将装载托盘轻放至片盒上。13. 简述ELEDE ICP蚀刻作业操作1， 翻开传输腔室门，将片盒轻放在卡板上，刚好卡住定位销，切忌左右移动片盒；2， 点击，翻开，检查所选配方的工艺参数；3， 点击，翻开所选的片盒配方；假设没有要选择的配方，那么新建一个；4， 点击，查看片盒配方详细信息，确认无误，点击；5， 待工艺完毕后，翻开传输腔室门，取出
