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1、泓域咨询/年产xx吨负性光刻胶项目方案目录第一章 市场预测7一、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域7二、 光刻工艺的影响因素9三、 “半导体材料皇冠上的明珠”光刻胶10第二章 背景及必要性12一、 DUV光刻胶化学放大型KrF&ArF光刻胶12二、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）13三、 半导体工业发展的基石光刻技术14四、 建设重要先进制造业基地16五、 形成海纳百川自信包容的开放格局17第三章 绪论20一、 项目名称及投资人20二、 编制原则20三、 编制依据21四、 编制范围及内容21五、 项目建设背景22六、 结论分析23主要经济指标一览表25
2、第四章 建筑工程方案分析28一、 项目工程设计总体要求28二、 建设方案29三、 建筑工程建设指标30建筑工程投资一览表30第五章 建设方案与产品规划32一、 建设规模及主要建设内容32二、 产品规划方案及生产纲领32产品规划方案一览表32第六章 发展规划34一、 公司发展规划34二、 保障措施35第七章 SWOT分析说明38一、 优势分析（S）38二、 劣势分析（W）40三、 机会分析（O）40四、 威胁分析（T）41第八章 运营模式45一、 公司经营宗旨45二、 公司的目标、主要职责45三、 各部门职责及权限46四、 财务会计制度50第九章 环境影响分析53一、 环境保护综述53二、 建设
3、期大气环境影响分析54三、 建设期水环境影响分析57四、 建设期固体废弃物环境影响分析57五、 建设期声环境影响分析58六、 环境影响综合评价59第十章 进度实施计划60一、 项目进度安排60项目实施进度计划一览表60二、 项目实施保障措施61第十一章 原辅材料分析62一、 项目建设期原辅材料供应情况62二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理62第十二章 投资方案分析64一、 投资估算的依据和说明64二、 建设投资估算65建设投资估算表69三、 建设期利息69建设期利息估算表69固定资产投资估算表71四、 流动资金71流动资金估算表72五、 项目总投资73总投资及构成一览表73六、 资金筹措与
4、投资计划74项目投资计划与资金筹措一览表74第十三章 项目经济效益76一、 经济评价财务测算76营业收入、税金及附加和增值税估算表76综合总成本费用估算表77固定资产折旧费估算表78无形资产和其他资产摊销估算表79利润及利润分配表81二、 项目盈利能力分析81项目投资现金流量表83三、 偿债能力分析84借款还本付息计划表85第十四章 招标方案87一、 项目招标依据87二、 项目招标范围87三、 招标要求87四、 招标组织方式88五、 招标信息发布88第十五章 风险分析89一、 项目风险分析89二、 项目风险对策91第十六章 总结93第十七章 附表95主要经济指标一览表95建设投资估算表96建设
5、期利息估算表97固定资产投资估算表98流动资金估算表99总投资及构成一览表100项目投资计划与资金筹措一览表101营业收入、税金及附加和增值税估算表102综合总成本费用估算表102固定资产折旧费估算表103无形资产和其他资产摊销估算表104利润及利润分配表105项目投资现金流量表106借款还本付息计划表107建筑工程投资一览表108项目实施进度计划一览表109主要设备购置一览表110能耗分析一览表110本报告基于可信的公开资料，参考行业研究模型，旨在对项目进行合理的逻辑分析研究。本报告仅作为投资参考或作为参考范文模板用途。第一章 市场预测一、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金
6、”助力突破“卡脖子”领域半导体行业是关乎中国科技独立自主的重要领域，中国政府持续出台相关政策推进行业发展及规划蓝图。自21世纪初的极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目（即“02专项”）到“十二五”规划、“十三五”规划及各类政策文件，政府部门对半导体行业的重视度、支持度，对相关企业的支持力度逐年增强，通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为相关企业提供支持。在2020年11月发布的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要中更是提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖
7、子”问题之一，我国集成电路产业链中的众多材料、装备、工艺制造技术与全球最为领先的水平存在相当的差距，部分领域存在着明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”的材料、装备、工艺制造技术等的壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一方针的重点之一。国家大基金是为促进集成电路产业发展设立的，其全称是“国家集成电路产业投资基金”，目前已有两期，均主要投资于集成电路产业。大基金是国家对集成电路产业的政策支持的重要体现。国家大基金一期于2014年9月成立，一期注册资本987.2亿元，投资总规模达1387亿元，主要股东是财政部、国开金融、中国烟草、中国移动、紫光通信等，投资期、回收期、延展期各5年，投
8、资计划为期15年。国家大基金二期于2019年10月22日注册成立，注册资本为2041.5亿元。大基金二期是一期的延续，相比于一期的规模扩大了107%，可见国家扶持集成电路产业的决心。在股东方面，大基金二期同样由财政部、国开金融作为最大股东，两者认缴出资额分别为225亿元和200亿元。不过从大基金二期整体来看，其资金来源更加多样和市场化，共有27位股东，囊括央企、地方国企和民企。从大基金一期的投资细分方向来看，一期主要侧重于晶圆代工、设计和封测等主要的产业大环节的投资布局，而对半导体材料和设备则投资较少。同时大基金关注产业链各环节龙头企业，优先帮助产业链龙头企业成长，加速国内半导体领先技术的孕育
9、催化。大基金二期的投资方向主要集中于设备和材料，大基金总裁丁文武在2020年半导体集成电路零部件峰会表示，大基金二期将从3个方面重点支持国产设备与材料发展：（1）将对在刻蚀机、薄膜设备、测试设备和清洗设备等领域已布局的企业保持高强度的支持；（2）加快开展光刻机、化学机械研磨设备等核心设备以及关键零部件的投资布局；（3）督促制造企业提高国产装备验证及采购比例，为更多国产设备、材料提供工艺验证条件。二、 光刻工艺的影响因素在现代半导体光刻工艺中，光源从紫外宽谱（300-450nm）向特定波长光源发展，从436nm的汞灯g线可见光发展到365nm的汞灯i线中的紫外光，再发展到248nm的氟化氪（Kr
10、F）及193nm的氟化氩（ArF）准分子激光。在KrF和ArF准分子激光光源后，还曾有对于以氟气分子（F2）为激光媒介的准分子激光器作为光源的探究，该光源的波长为157nm，但由于浸没式193nm光刻技术研发的成功，157nm光刻技术很快就被抛弃。在通过浸没式光刻和多重曝光技术将193nm光刻推向极致后，13.5nm极紫外（EUV）光刻技术的到来又进一步使得更高的分辨率成为可能。另外除可见光及紫外光以外，电子束、X射线、离子束等也都可作为曝光光源进行使用，目前利用X射线和离子束作为曝光光源的技术还处于研究阶段，未能得到商用。电子束光刻虽然能够得到极高的分辨率，但是该技术由于自身工艺的限制等原因
11、无法高效地进行大规模量产，因而通常被用来制作光刻工艺中所需的掩膜版。在传统的干法光刻工艺中，光在光刻镜头与光刻胶之间的传播介质是空气，因此最大的数值孔径为1.0，也就是光线和光轴的最大张角为90，分辨率在NA=1.0时就达到了极限。而浸没式光刻（也称为湿法光刻）其光刻镜头和光刻胶之间被填充了水（折射率大于空气），因此光能够以更大角度在光刻胶中成像，也就是等效于更加大的数值孔径，由此进一步提高了光刻工艺的分辨率。其实浸没式成像技术最早于19世纪就被提出来了，其目的是提高光学显微镜的分辨率。而这项技术真正大规模应用到现代光刻工艺中是在2007-2009年间，随着荷兰ASML公司推出数值孔径为1.3
12、5NA的XT1900i系列光刻机，193nm浸没式光刻才真正地接替193nm干法光刻。随后，再叠加一些辅助的光刻技术，比如分辨率增强技术（RET）、偏振照明、自定义照明、双/多重曝光（多重图案化技术）、自对准空间频率倍增、单方向布线设计等技术，一同推动193nm浸没式光刻技术一直延续到了10nm、7nm的半导体工艺节点。三、 “半导体材料皇冠上的明珠”光刻胶伴随着光刻工艺的不断发展，光刻用化学品也在飞速发展，主要的光刻用化学品包括有光刻胶、抗反射层、溶剂、显影液、清洗液等。在这些化学品中，光刻胶凭借其复杂且精准的成分组成具有最高的价值，也是整个半导体制造工艺中最为关键的材料之一，有着“半导体材
13、料皇冠上的明珠”之称。组成成分：光刻胶主要由成膜树脂、溶剂、感光剂（光引发剂、光致产酸剂）、添加剂（表面活性剂、匀染剂等）等部分组成。典型的光刻胶成分中，50%90%是溶剂，10%40%是树脂，感光剂占1%8%，表面活性剂、匀染剂及其他添加剂占比则不到1%。分类标准：对于半导体光刻胶的分类有多种标准，常用的分类标准包括有：（1）以曝光后光刻胶在显影液中的溶解度变化分为正性光刻胶和负性光刻胶；（2）针对正性光刻胶以是否使用化学放大（ChemicallyAmplified）机制可分为化学放大型光刻胶和非化学放大型光刻胶；（3）以所使用的光刻工艺可分为紫外宽谱光刻胶、g线光刻胶、i线光刻胶、KrF光
14、刻胶、ArF光刻胶、EUV光刻胶、电子束光刻胶等。第二章 背景及必要性一、 DUV光刻胶化学放大型KrF&ArF光刻胶在20世纪90年代初期，半导体光刻工艺的技术节点已发展至线宽0.25m，i线光刻技术及重氮萘醌-酚醛树脂体系光刻胶已不能满足如此高的分辨率要求，因此人们开始寻求适用于具有更短波长的深紫外（DeepUltra-Violet，DUV）的光刻胶体系，即DUV光刻胶。当时的KrF和ArF等深紫外光刻机的曝光剂量都比较低，对于量子产率只有0.20.3的重氮萘醌-酚醛树脂体系光刻胶而言，只有极大程度地提高其灵敏度，最终曝光所产生的图像的对比度才能满足要求。此外，当光线从光刻胶顶部向光刻胶底
15、部传播时会被逐渐吸收，如果底部光强不足，外加光刻胶灵敏度较低，则最终容易形成梯形形貌。梯形形貌会明显影响后续工艺的正常进行，从而限制光刻工艺分辨率的进一步提升。因此，提高光刻胶灵敏度的“化学放大”势在必行。1982年，美国IBM公司Ito和Wilson等人正式提出了化学放大型光刻胶（ChemicallyAmplifiedResist，CAR）的概念。化学放大型光刻胶在光引发下能够产生一种催化剂，促使光化学反应迅速进行或者引发链式反应，从而快速改变基质性质进而产生图像。化学放大型光刻胶通常由聚合物骨架、光致产酸剂（Photo-AcidGenerator，PAG）、刻蚀阻挡基团、酸根、保护基团、溶剂等组成。二、 聚4-羟基苯乙烯（PHOST）聚4-羟基苯乙烯（PHOST）因其在248nm波长下的透明性、高灵敏度和抗刻蚀性等优势，成为了用于KrF光刻技术的光刻胶的主要成分。通过引入不同的酸致脱保护基团，在光致产
