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1、则1:R3KGA二 15VTgb 12V - B- B4V O。屋00V电子技术基础试卷（A）一、填空题：30分1、二极管的整流作用，是利用二极管的特性。2、半导体中除了自由电子作为载流子之外，还有另一种被称为的载流子，两者同时参加导电，这是半导体的重要特点。3、硅二极管的死区电压为导电电压为。4、晶体三极管具有电流放大作用，其实质是利用的微小变化控制的较大变化。5、测得放大电路中正常放大的某三极管，三个管脚X、Y、Z的对地电位分别是7V、3V、2.3V,则管脚Y是极。6、晶体三极管放大电路中，当输入信号电流一定时，静态作用点设置过高（即Ibq过大）将导致放大器产生失真。7、放大器的放大能力用
2、对数表示时称为,某放大器的功率放大倍数为100倍，贝UGp=dB.8、三端集成稳压器CW7815接成稳压电路可稳压输出电压。9、二进制数（1010）2转换为十进制数等于10、逻辑运算的三种基本形式是逻辑、逻辑、逻辑。二、选择题：（在题后的括号内填上正确的答案）（30分）1、简单地把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起，能否形成PN结。（）A、能B、不能C、不一定2、为使晶体管处于放大工作状态，应加的电压是（）A、发射结应加正向电压，集电结应加正向电压B、发射结应加正向电压，集电结应加反向电压C、发射结应加反向电压，集电结应加反向电压3、稳压二极管的正常工作状态是（）A、截止B、饱和导通C、
3、击穿4、变压器次方电压为U2,经桥式整流后，负载Rl上的输出电压平均值Ul为（）A、0.45U2B、0.9U2C、U25、右图中，设V为理想二极管，（即导通时电压降为零）则输出电压Vab为（）A、3VB、12VC、15V7、晶体三极管饱和时（）A、Ib=0B、IbIbsC、Vce=Vg8、以下处于饱和状态的晶体管是（）6V2.1VOO23*OO3V2VAB9、处在放大状态的晶体三极管，电位最低的是（A、PNP型管的C极B、PNP型管的E极5C、NPN型管的C极10、当变压器次方感应电压V2相同时，以下三种电路中，整流二极管所承受的最大反向电压Vrm=2，2V2的是（）A、半波整流B、全波整流C
4、、桥式整流三、判断题（对的打，错的打“X”）（10分）1、二极管仅能通过直流，不能通过交流（）2、在半导体内，只有空穴是载流子。（）3、由NPN三极管组成的放大电路VcVbVe。（）4、晶体管的B值与Ic无关（）5、整流就是将交流电流变成单方向的电流（）四、综合题：1、试分析以下简单稳压电路，当输入电压Vi增大时电路的稳压过程。（5分）2、画出以下放大电路的交流通路和直流通路（10分）3、放大电路如图，设三极管为硅材料管,态工作点Ibq、Icq、Vceq。（15分）B=50,Vbe=0.7V,求该放大器的静电子技术基础试卷（B）4、基极放大器的电压放大倍数Av=V0,当输入电压为10V时，测得
5、输出电M、填空题：22分压为500mV,则电压放大倍数是（）A、10 B、50C、5001、晶体二极管具有特性，其符号是。2、半导体按导电类型可分为型半导体和型半导体。3、晶体三极管各极电流的关系式是。4、晶体三极管的三个电极分别是基极（B）、。5、晶体三极管的三种不同工作状态是、06、利用二极管单向导电性组成的整流电路，常见的有、。7、三端集成稳压器W7812在输入+18V电压的情况下，可输出V的正电压。8、带有放大环节的串联型稳压电源一般由、四个部分组成。9、（5）10=（）2,（110）2=（）io10、常用的逻辑门电路有、和。二、选择题：（将正确答案的序号填入题后的括号内）（40分）1
6、、P型半导体中（）A、空穴很多，电子很少B、电子很多，空穴很少C、空穴，电子一样多2、晶体二极管的正极电位-5V,负极电位是-3V,则该二极管处于（）A、零偏置B、正偏C、反偏3、晶体三极管，集电结反偏，发射结正偏，则三极管的工作状态是（）A、放大状态B、饱和状态C、截止状态5、晶体管放大设置合适的静态工作点，以保证放大信号时，三极管始终工作在（）A、饱和区B、放大区C、截止区7、逻辑非门有（）A、一个输入端B、二个输入端C、三个输入端8、某放大器的电压放大倍数为1000倍，则其电压增益为（）A、60dBB、30dBC、103dB9、凡在数值上或时间上不连续变化的信号，例如只有高低电平的矩形脉
7、冲信号，称为（）A、直流信号B、模拟信号C、数字信号10、整流的目的是（）A、将交流电变成直流电B、将正弦波变成方波C、将高频信号变成低频信号三、判断题（对的打，错的打“X”）（10分）1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为本征半导体（）2、在外电场作用下，半导体中间同时出现电子电流和空穴电流，其中一部分为多数载流子，另一部分即为少数载流子（）3、对于NPN三极管，VcVbVe,则三极管处于截止状态（）4、晶体三极管具有电流放大特性（）5、放大器的静态工作点一经设定后，不会受外界因素的影响（）四、综合题：1、已知某三极管的Ibi=10nA时，Ici=0.8mA,当Ib2=40A时，I
8、c2=2.4mA,求该三极管的B值为多少？8分3、如图所示，作点Ibq IcqRb=200KQ,Rc=1KQ,Gc=12V,三极管的0=100,求静态工VCEQ（设VBEQ=0）10分2、如图为桥式整流滤波电路，要求将整流二极管及电路补画完整。10分电子技术基础试卷（A）答案卷V e=V bq V beq=3.4 0.7=2.7(V)IcQEQ=VEQ =1(mA)Re2.7I cqIbq= 一CQ =0.02(mA)BVceq=Gc-I cQ(Rc+Re)=12 - 1 X(5+2.7)=4.3(V)四、综合题:2、直流通路3、解：Vbq=_b2Gc=Rb1Rb2交流通路X12=3.4(V)
9、2020 50一、填空题：30分1、单向导电性2、空穴3、0.5V0.60.7V4、基极电路Ib集电极电流Ic5、基6、饱和7、增益408、+159、1010、与、或、非二、选择题：（在题后的括号内填上正确的答案）（30分）1、B2、B3、C4、B5、C6、B7、B8、B9、A10、B三、判断题（对的打错的打“头”（10分）1、X2、X3、，4、X5、，电子技术基础试卷（B）答案卷VG - VBEQ _ 12 - 03、角牛：I bq=。lARb200Icq= BIbq=1000 g=6mAVceq=VG-IcRc=12- (6M) =6V一、填空题：30分1、单向导电性一N2、NP3、Ie=Ib+Ic4、发射极（E）集电极（C）5、截止、放大、饱和6、半波整流电路，全波整流电路桥式整流电路7、128、取样电路基准电路比较放大调节元件9、101610、与门、或门、非门二、选择题：（30分）1、A2、C3、A4、B5、B6、C7、A8、A9、 C10、A三、判断题（对的打“；错的打“木”（10分）1、，2、，3、X4、，5、X四、综合题：dQAIcIc2-Ic2.4mA-0.8mA1.6父叫A.、1、 S=/3.3IbIb-Ib40pA-10iA30pA2、
