第四讲全控型电力电子器件4.1概述门极可关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO在晶闸管问世后不久出现；20世纪80年代以来，信息电子技术与电力电子技术在各自发展的基础上相结合一一高频化、全控型、采用集成电路制造工艺的电力电子器件，从而将电力电子技术又带入了一个崭新时代；典型代表门极可关断晶闸管、电力晶体管(GiantTransistorGTR)电力场效应晶体管(PowerMOSFET、绝缘栅双极晶体管(Insulated-gateBipolarTransistor——IGBT或IGT)4.2门极可关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor—GTO)门极可关断晶闸管是晶闸管的一种派生器件；可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断；GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用4.2.1GTO的结构和工作原理结构:与普通晶闸管的相同点：PNPN四层半导体结构，外部引出阳极、阴极和门极;和普通晶闸管的不同:甚至数百个共阳极的小GTO是一种多元的功率集成器件，内部包含数十个元的阴极和门极则在器件内部并联在起a)b)Gc)图1GTO的内部结构和电气图形符号电气图形符号a)各单元的阴极、门极间隔排列的图形b)并联单元结构断面示意图c)工作原理：与普通晶闸管一样，可以用图2所示的双晶体管模型来分析〉1*2可是器件临界导通的条件。
当a1+a2>1时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通;ai+a2<1时，不能维持饱和导通而关断a)IAPNPIc2NPN&ViIGclIK7Eab)图2GTO的双晶体管模型GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别：(1) 设计>2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断；(2) 导通时2更接近1(~1.05普通晶闸管:iU2_1.15)导通时饱和不深，接近临界饱和，有利门极控制关断，但导通时管压降增大；多元集成结构使GTO元阴极面积很小，门、阴极间距大为缩短，使得P2基区横向电阻很小，能从门极抽出较大电流导通过程：与普通晶闸管一样，只是导通时饱和程度较浅；关断过程：强烈正反馈——门极加负脉冲即从门极抽出电流，贝UIb2减小，使IK和IC2减小，IC2的减小又使IA和IC1减小，又进一步减小V2的基极电流当lA和Ik的减小使宀*2<1时，器件退出饱和而关断，多元集成结构还使GTO比普通晶闸管开通过程快，承受di/dt能力强4.2.2GTO的动态特性开通过程:与普通晶闸管类似，需经过延迟时间td和上升时间tr关断过程：ts，使等效晶体管退出饱和等效晶体管从饱和区退至放大区，阳极电流逐渐减小一一下降时间tf残存载流子复合一一尾部时间tt通常tf比ts小得多，而tt比ts要长；门极负脉冲电流幅值越大，前沿越陡，抽走储存载流子的速度越快，ts越短;门极负脉冲的后沿缓慢衰减，在tt阶段仍保持适当负电压，则可缩短尾部时图1-14GTO的开通和关断过程电流波形91423GTO的主要参数GTO勺许多参数和普通晶闸管相应的参数意义相同，以下只介绍意义不同的参数：1）开通时间ton:延迟时间与上升时间之和。
延迟时间一般约1〜2ms,上升时间则随通态阳极电流值的增大而增大；2）关断时间Wf:一般指储存时间和下降时间之和，不包括尾部时间GTO的储存时间随阳极电流的增大而增大，下降时间一般小于2ms;不少GTC都制造成逆导型，类似于逆导晶闸管，需承受反压时，应和电力二极管串联；3）最大可关断阳极电流IatOGTO的额定电流；4）电流关断增益boff最大可关断阳极电流与门极负脉冲电流最大值IGM之比称为电流关断增益(1)..IATOoff：off一般很小，只有5左右，这是GTO的—个主要缺点1000A的GTC关断时门极负脉冲电流峰值要200A4.3电力晶体管术语用法：电力晶体管（GiantTransistor——GTR，直译为巨型晶体管）耐高电压、大电流的双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistorBJT），英文有时候也称为PowerBJT在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效应用：20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代GTR的结构和工作原理(图1-15)与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的主要特性是耐压高、电流大、开关特性好通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成基极)发射极C基极bp+nTp+p基区N漂移区N+衬底空穴流集电极cic=:h竹AV电'子流a)b)c)图1-15GTR的结构、电气图形符号和内部载流子的流动1-15a)内部结构断面示意图b)电气图形符号c)内部载流子的流动般米用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为尸二1—(1-9)ibB――GTR勺电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为ic=Bib+1ceo(1-10)产品说明书中通常给直流电流增益hF在直流工作情况下集电极电流与基极电流之比。
一般可认为B〜hFE单管GTR勺b值比小功率的晶体管小得多，通常为10左右，采用达林顿接法可有效增大电流增益433GTR的基本特性(1)静态特性共发射极接法时的典型输出特性：截止区、放大区和饱和区在电力电子电路中GTR工作在开关状态，即工作在截止区或饱和区在开关过程中，即在截止区和饱和区之间过渡时，要经过放大区放大区ib3ib2ib1ib1BQes〉BQer〉B^eo实际使用时，为确保安全，最高工作电压要比BUceo低得多2）集电极最大允许电流Icm通常规定为hFE下降到规定值的1/2~1/3时所对应的Ic实际使用时要留有裕量，只能用到IcM的一半或稍多一点3）集电极最大耗散功率PcM最高工作温度下允许的耗散功率产品说明书中给Pcm时同时给出壳温TC间接表示了最高工作温度GTR的二次击穿现象与安全工作区一次击穿集电极电压升高至击穿电压时，Ic迅速增大，出现雪崩击穿只要Ic不超过限度，GTF一般不会损坏，工作特性也不变二次击穿一次击穿发生时Ic增大到某个临界点时会突然急剧上升，并伴随电压的陡然下降常常立即导致器件的永久损坏，或者工作特性明显衰变安全工作区(SafeOperatingAreaSOA最高电压UceM、集电极最大电流ICM、最大耗散功率4.4电力场效应晶体管也分为结型和绝缘栅型(类似小功率FieldEffectTransistor——FET但通常主要指绝缘栅型中的MOS型(MetalOxideSemiconductorFET)简称电力MOSFETPowerMOSFET结型电力场效应晶体管一般称作静电感应晶体管(StaticInductionTransistorSIT)特点一一用栅极电压来控制漏极电流驱动电路简单，需要的驱动功率小开关速度快，工作频率高热稳定性优于GTR电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置电力MOSFE的结构和工作原理电力MOSFE的种类按导电沟道可分为P沟道和N沟道耗尽型一一当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道增强型一一对于N(P)沟道器件，栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道电力MOSFE主要是N沟道增强型电力MOSFE的结构連p曲.『沟道DDSSN沟道P沟道a)b)图1-19图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号导通时只有一种极性的载流子（多子）参与导电，是单极型晶体管导电机理与小功率M0管相同，但结构上有较大区别电力MOSFE的多元集成结构国际整流器公司（InternationalRectifier）的HEXFET采用了六边形单元西门子公司（Siemens）的SIPMOSFE采用了正方形单元摩托罗拉公司（Motorola）的TMO采用了矩形单元按“品”字形排列小功率M0管是横向导电器件电力MOSFE■大都采用垂直导电结构，又称为VMOSFET（VerticalMOSFET――大大提高了MOSFET器件的耐压和耐电流能力按垂直导电结构的差异，又分为利用V型槽实现垂直导电的VVMOSFE和具有垂直导电双扩散结构的VDMOSFET/erticalDouble-diffusedMOSFE）T这里主要以VDMO器件为例进行讨论电力MOSFET勺工作原理截止：漏源极间加正电源，栅源极间电压为零P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间无电流流过导电：在栅源极间加正电压UGS栅极是绝缘的，所以不会有栅极电流流过。
但栅极的正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子一一电子吸引到栅极下面的P区表面当LGs大于UT（开启电压或阈值电压）时，栅极下P区表面的电子浓度将超过空穴浓度，使P型半导体反型成N型而成为反型层，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电442电力MOSFE的基本特性1）静态特性a）b）a）转移特性图b）20俞出特性图1-20电力MOSFET的转移特性和输岀特性漏极电流Id和栅源间电压UGS的关系称为MOSFE的转移特性Id较大时，ID与UGS的关系近似线性，曲线的斜率定义为跨导GsMOSFE的漏极伏安特性（输出特性）：截止区（对应于GTR勺截止区）饱和区（对应于GTR勺放大区）非饱和区（对应于GTR勺饱和区）电力MOSFE工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换电力MOSFE漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通电力MOSFE的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利2）动态特性+Ueupa）b）图1-21电力_MOSFET的开关过程a）测试电路b）开关过程波形up—脉冲信号源，Rs—信号源内阻，Rg—栅极电阻，Rl—负载电阻，Rf—检测漏极电流开通过程（开关过程图）开通延迟时间td(on)――up前沿时刻到ugs=UT并开始出现iD的时刻间的时间段上升时间trugs从ut上升到MOSFE进入非饱和区的栅压Ugsp的。