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1、泓域咨询/张家口负性光刻胶项目申请报告目录第一章 背景、必要性分析8一、 光刻工艺的影响因素8二、 光致产酸剂（Photo-AcidGenerator，PAG）9三、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领域10四、 加快构建绿色能源体系12五、 项目实施的必要性13第二章 市场预测14一、 市场端乘国内成熟制程产能增长东风，从中低端产品开始发力14二、 “半导体材料皇冠上的明珠”光刻胶17第三章 项目基本情况19一、 项目概述19二、 项目提出的理由20三、 项目总投资及资金构成22四、 资金筹措方案22五、 项目预期经济效益规划目标22六、 项目建设进度规
2、划23七、 环境影响23八、 报告编制依据和原则23九、 研究范围24十、 研究结论25十一、 主要经济指标一览表25主要经济指标一览表25第四章 选址分析27一、 项目选址原则27二、 建设区基本情况27三、 全力推进创新绿色高质量发展29四、 项目选址综合评价30第五章 建筑工程说明31一、 项目工程设计总体要求31二、 建设方案31三、 建筑工程建设指标32建筑工程投资一览表32第六章 法人治理结构34一、 股东权利及义务34二、 董事36三、 高级管理人员40四、 监事42第七章 发展规划分析44一、 公司发展规划44二、 保障措施45第八章 SWOT分析说明48一、 优势分析（S）4
3、8二、 劣势分析（W）50三、 机会分析（O）50四、 威胁分析（T）51第九章 劳动安全57一、 编制依据57二、 防范措施58三、 预期效果评价64第十章 节能说明65一、 项目节能概述65二、 能源消费种类和数量分析66能耗分析一览表67三、 项目节能措施67四、 节能综合评价68第十一章 进度规划方案70一、 项目进度安排70项目实施进度计划一览表70二、 项目实施保障措施71第十二章 工艺技术方案72一、 企业技术研发分析72二、 项目技术工艺分析74三、 质量管理75四、 设备选型方案76主要设备购置一览表77第十三章 原材料及成品管理79一、 项目建设期原辅材料供应情况79二、
4、项目运营期原辅材料供应及质量管理79第十四章 投资估算及资金筹措81一、 投资估算的编制说明81二、 建设投资估算81建设投资估算表83三、 建设期利息83建设期利息估算表84四、 流动资金85流动资金估算表85五、 项目总投资86总投资及构成一览表86六、 资金筹措与投资计划87项目投资计划与资金筹措一览表88第十五章 项目经济效益90一、 基本假设及基础参数选取90二、 经济评价财务测算90营业收入、税金及附加和增值税估算表90综合总成本费用估算表92利润及利润分配表94三、 项目盈利能力分析94项目投资现金流量表96四、 财务生存能力分析97五、 偿债能力分析98借款还本付息计划表99六
5、、 经济评价结论99第十六章 项目招标方案101一、 项目招标依据101二、 项目招标范围101三、 招标要求102四、 招标组织方式102五、 招标信息发布104第十七章 总结105第十八章 附表附件107建设投资估算表107建设期利息估算表107固定资产投资估算表108流动资金估算表109总投资及构成一览表110项目投资计划与资金筹措一览表111营业收入、税金及附加和增值税估算表112综合总成本费用估算表113固定资产折旧费估算表114无形资产和其他资产摊销估算表115利润及利润分配表115项目投资现金流量表116报告说明19世纪50年代末，仙童（Fairchild）半导体公司发明了基于掩
6、膜版的曝光和刻蚀技术，极大地推动了半导体技术革命，该技术也一直沿用至今。1965年，时任仙童半导体公司研究开发实验室主任的戈登摩尔（GordonMoore）在电子学（Electronics）上发表了题为让集成电路填满更多的元件（CrammingMoreComponentsOntoIntergratedCircuits）的文章，并首次提出了被后世奉为“计算机第一定律”的经验性规律摩尔定律：当价格不变时，集成电路上可以容纳的元器件的数目，每隔18-24个月便会增加一倍，性能也将提升一倍。在过去的数十年间，整个半导体工业都始终遵循着摩尔定律向前不断发展。基于现有的晶圆制造工艺规划情况，摩尔定律在未来
7、至少5-10年内仍将保持着“生命力”。根据谨慎财务估算，项目总投资15721.00万元，其中：建设投资12720.38万元，占项目总投资的80.91%；建设期利息360.56万元，占项目总投资的2.29%；流动资金2640.06万元，占项目总投资的16.79%。项目正常运营每年营业收入31900.00万元，综合总成本费用26452.68万元，净利润3975.60万元，财务内部收益率18.93%，财务净现值5136.52万元，全部投资回收期6.15年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。本项目生产所需的原辅材料来源广泛，产品市场需求旺盛，潜力巨大；本项目产品生产技术
8、先进，产品质量、成本具有较强的竞争力，三废排放少，能够达到国家排放标准；本项目场地及周边环境经考察适合本项目建设；项目产品畅销，经济效益好，抗风险能力强，社会效益显著，符合国家的产业政策。本报告为模板参考范文，不作为投资建议，仅供参考。报告产业背景、市场分析、技术方案、风险评估等内容基于公开信息；项目建设方案、投资估算、经济效益分析等内容基于行业研究模型。本报告可用于学习交流或模板参考应用。第一章 背景、必要性分析一、 光刻工艺的影响因素在现代半导体光刻工艺中，光源从紫外宽谱（300-450nm）向特定波长光源发展，从436nm的汞灯g线可见光发展到365nm的汞灯i线中的紫外光，再发展到24
9、8nm的氟化氪（KrF）及193nm的氟化氩（ArF）准分子激光。在KrF和ArF准分子激光光源后，还曾有对于以氟气分子（F2）为激光媒介的准分子激光器作为光源的探究，该光源的波长为157nm，但由于浸没式193nm光刻技术研发的成功，157nm光刻技术很快就被抛弃。在通过浸没式光刻和多重曝光技术将193nm光刻推向极致后，13.5nm极紫外（EUV）光刻技术的到来又进一步使得更高的分辨率成为可能。另外除可见光及紫外光以外，电子束、X射线、离子束等也都可作为曝光光源进行使用，目前利用X射线和离子束作为曝光光源的技术还处于研究阶段，未能得到商用。电子束光刻虽然能够得到极高的分辨率，但是该技术由于
10、自身工艺的限制等原因无法高效地进行大规模量产，因而通常被用来制作光刻工艺中所需的掩膜版。在传统的干法光刻工艺中，光在光刻镜头与光刻胶之间的传播介质是空气，因此最大的数值孔径为1.0，也就是光线和光轴的最大张角为90，分辨率在NA=1.0时就达到了极限。而浸没式光刻（也称为湿法光刻）其光刻镜头和光刻胶之间被填充了水（折射率大于空气），因此光能够以更大角度在光刻胶中成像，也就是等效于更加大的数值孔径，由此进一步提高了光刻工艺的分辨率。其实浸没式成像技术最早于19世纪就被提出来了，其目的是提高光学显微镜的分辨率。而这项技术真正大规模应用到现代光刻工艺中是在2007-2009年间，随着荷兰ASML公司
11、推出数值孔径为1.35NA的XT1900i系列光刻机，193nm浸没式光刻才真正地接替193nm干法光刻。随后，再叠加一些辅助的光刻技术，比如分辨率增强技术（RET）、偏振照明、自定义照明、双/多重曝光（多重图案化技术）、自对准空间频率倍增、单方向布线设计等技术，一同推动193nm浸没式光刻技术一直延续到了10nm、7nm的半导体工艺节点。二、 光致产酸剂（Photo-AcidGenerator，PAG）化学放大的效果主要由PAG带来，PAG经过光照后可产酸，催化分子链反应，增强曝光部分和未曝光部分的溶解性差异。根据不同的化学结构PAG可分为鎓盐类、二甲酰亚胺N-磺酰基类、安息香磺酰酸类、硝基
12、苯磺酸类、砜类、肟酯类、三嗪类等。在选择PAG时，要考虑其产酸效率、酸扩散速率、耐热性、透明性、溶解性、酸性强弱、分解挥发产物等因素。三苯基六氟锑酸盐（TPS-SbF6）是首例用于化学放大型光刻胶的PAG，然而由于其含有金属离子容易对电子设备造成污染，所以逐渐被磺酸盐类取代。目前，KrF和ArF光刻胶中多用鎓盐来作为PAG，例如三芳基硫鎓盐和二芳基碘鎓盐。鎓盐由阳离子和阴离子组成，因此可以通过设计阴阳离子的结构达到改善PAG性能的目的，特别是PAG的阴离子结构对光刻胶的分辨率、灵敏度和线边粗糙度等关键指标有重要影响。三、 政策端“强化国家战略科技力量”，行业政策与“大基金”助力突破“卡脖子”领
13、域半导体行业是关乎中国科技独立自主的重要领域，中国政府持续出台相关政策推进行业发展及规划蓝图。自21世纪初的极大规模集成电路制造装备及成套工艺项目（即“02专项”）到“十二五”规划、“十三五”规划及各类政策文件，政府部门对半导体行业的重视度、支持度，对相关企业的支持力度逐年增强，通过政策、科研专项基金、产业基金等多种形式为相关企业提供支持。在2020年11月发布的中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要中更是提出了“强化国家战略科技力量”的方针，重点强调要从“卡脖子”问题清单和国家重大需求中找出科学问题。集成电路的产业发展一直是我国的“卡脖子”问题之一，我国集成
14、电路产业链中的众多材料、装备、工艺制造技术与全球最为领先的水平存在相当的差距，部分领域存在着明显的“受制于人”的问题，而突破这些“卡脖子”的材料、装备、工艺制造技术等的壁垒必将成为践行“强化国家战略科技力量”这一方针的重点之一。国家大基金是为促进集成电路产业发展设立的，其全称是“国家集成电路产业投资基金”，目前已有两期，均主要投资于集成电路产业。大基金是国家对集成电路产业的政策支持的重要体现。国家大基金一期于2014年9月成立，一期注册资本987.2亿元，投资总规模达1387亿元，主要股东是财政部、国开金融、中国烟草、中国移动、紫光通信等，投资期、回收期、延展期各5年，投资计划为期15年。国家
15、大基金二期于2019年10月22日注册成立，注册资本为2041.5亿元。大基金二期是一期的延续，相比于一期的规模扩大了107%，可见国家扶持集成电路产业的决心。在股东方面，大基金二期同样由财政部、国开金融作为最大股东，两者认缴出资额分别为225亿元和200亿元。不过从大基金二期整体来看，其资金来源更加多样和市场化，共有27位股东，囊括央企、地方国企和民企。从大基金一期的投资细分方向来看，一期主要侧重于晶圆代工、设计和封测等主要的产业大环节的投资布局，而对半导体材料和设备则投资较少。同时大基金关注产业链各环节龙头企业，优先帮助产业链龙头企业成长，加速国内半导体领先技术的孕育催化。大基金二期的投资方向主要集中于设备和材料，大基金总裁丁文武在2020年半导体集成电路零部件峰会表示，大基金二期将从3个方面重点支持国产设备与材料发展：（1）将对在刻蚀机、薄膜设备、测试设备和清洗设备等领域已布局
