NationalSemiconductorLM51172011年5月25日LM5M7©2011養国国隶半导体公司301432 主要特点■仿真峰缰电流模式控制■ 5.5V至65V贾工作电压范围■稳定的3.3A峰值栅极驱动■自适应死区时间输出驱动器控制■自由运行或同步高达750 kHz的时神■可选的二极管仿真模式■ 0.8V可编程输出■情度为1.5%的电压基准■模拟电流监视黔■可编程电流限制■浙续模式过流保护■可编程软启动和跟踩■可编程输入欠压锁定■可编程切换至外部偏置电憑■热关断封装■ TSSOP-20EP (耐热增强型)■ LLP-24 (4 mm x 4 mm)采用模拟电流监视器的宽输入范围同步降压控制器一般说明LM5117是一款同步降压控制器，适用于高电压或各种输入 电源的降压型穂压器应用其控制方法基于采用仿真电流 斜坡的电流模式控制电流模式控制具有固有的输入电压 前馈、逐周期旦流限制和简化环路补偿的功能使用仿真 控制斜坡可降低脉宽调制电路对噪肓的敏感度.有助于实现 高输入电压应月所必需的极小占空比的可靠控制LM5117的工作频率可以在50 kHz至750 kHz范围内设定 LM5117可利月自适应死区时间控制来驱动外部鬲边和低边 NMOS功率开关管，用户可选的二扱管仿車樟式可实现非 逐续模式操作，提査轻负戰条件下的效率。
髙电压保豊梅压嬰 可利用外部偏宣电源进一步翼高效率LM5117独特的模拟 遥测功能可提侯平均输出电流信息°其他功能还包括热关断、 频率同步、断续(hiccup)模式电流限制和可诡输入欠压锁定典型应用©2011養国国隶半导体公司301432 ©2011養国国隶半导体公司301432 VOUTUVLO VIN DEMB VCCrzLM51171[VCCDISHOSWCOMPLOFBCSCMCSGRT RESSS AGND PGNDRAMPHB丄1XT-.V(XJT30143201©2011養国国隶半导体公司301432 ©2011養国国隶半导体公司301432 =文金 NAb8・"E8nducux 翼乂曹硏忌艾.黑公FTMr-i=W5r«2^Sftr*6-^ftw wn»v±T^Xn fai. THrtM公巨虔佑前葛文尊©2011養国国隶半导体公司301432 连线匡UVLODEMBRESSSRTAGNDVCCDISFBCOMPCMHBHO)SWVCCLO| PGND)CSGcs| RAMP顶视图20 弓IWTSSOP EPOH oz N> oz01>z>DE MBRESSSRTAGNDNCSWNCVCCLOPGNDCSGS_8OAdsVH20dsoo顶視图LLP-24 (4 mm x 4 mm)XU3202# # 订购信息订购号封装类型NSC封装图纸供货方式特点LM5117PMHTSSOP-20EPMXA20A每排73只LM5117PMHETSSOP-20EPMXA20A250只带装和卷装LM5117PMHXTSSOP-20EPMXA20A2500只带装和卷装LM5117PSQLLP-24SQA24A1000只带装和卷装LM5117PSQELLP-24SQA24A250只晋裝和卷装LM5117PSQXLLP-24SQA24A4500只带装和卷装引脚描述TSS0P 引・LLP 引・名称说明124UVL0欠压锁定编程引脚。
当UVLO引脚低干0.4V时.能压器处于关断模式，所有功能被禁用如果 UVLO引脚电压高于0.4V并低于1.25V,稅压器隨VCC穩压器运行而处于待机模式，此时SS引脚 接地，且H0和L0输出端不会切换如果UVLO引脚电压康于1.25V, SS引脚允许电压上升，同时 脉宽调制栅极驱动信号传递至H0和L0引㈱当UVLO超过1.25V,且流经外部UVLO电阻时， 20 pA灌电流被激活以提供迟滞21DEMB可选逻辑输入可以在低态时启用二极管仿真°在二扱管仿真模式下，在检测到反向电流流过(电流从 输出到地流经低边NMOS)后，低边NM0S在PWM周期的其余部分被锁断当DEMB为高电平时， 二极管仿真被禁用，从而允许电流在任一方向流过低边NMOS如果该引脚浮賈，LM5117内部的 50 kD下拉电阻可保持DEMB引脚为低电平，并启用二极管仿真°32RES重启定时鑿引脚可配晝訂嗝限疋模式c在自动重启前，RES引脚上的电容器决定控制器处于关闭 状态的时®当控制器经过逐周期电流限制的256个连续PWM周期时.打嗝嘆式开始在此之后， 10pA灌电流对RES引脚电容充电至1.25V阈值，并重启LM5117。
43SS在软启动期间，外部屯客和内SP 10pA;«屯流可设負误茎放大据荃准的斜率当VCC < 5V, UVLO < 1.25V或热关断期间，SS引脚均保持低电平54RT内部振荡嬰用RT和AGND之间的一个电阻进行设定建仪的最大振荡频率为750 kHz将一个 正脉冲经一个小耦合电容连接至RT引脚，内部扳荡器即可同步至外部时钟°65AGND模拟接地内部0.8V电压基進电路和模拟电路的回路77VCCDIS禁用内部VCC稳压器的可选输入如果VCCDIS > 1.25V,内部VCC稳压器被禁用VCCDIS 有一个内部500 kQ下拉电阻，当此引脚浮宣时.可启用VCC税压器用一个連接至外部佢査电源的 电阻分压器上拉VCCDIS至1.25V以上，可以重写(override) 500 kD内部下拉电阻88FB反馈内部误差放大器的反相输入取自此引脚输出的电阻分压佰号可设定输出电压电平FB引脚的 调节阈值为0.8V99COMP内部误差放大器的输出环路补偿阿络应连接在此引脚和FB引脚之间1010CM电流监视器输出它提供检测到的电感电流平均值监视器直後连在CM和AGND之间不使用此 引㈱时CM应浮賈】1111RAMPPWM斜坡佰号。
SW引脚、RAMP引脚和AGND引脚之间连接的外部电阻和电容用来设« PWM 斜坡斜率选择合适的元件值可产生一个RAMP斜坡佰号，它可以用一个与输入电压成正比的斜坡来 仿真电感的交流分量1212cs电流检测放大器输入连接至电流检测电阻的高边1313CSG至电流检测电阻的开尔文(Kelvin)接地连线直接连接至电流检测电阻的低边1414PGND低边NMOS栅极驱动雯的电潭接地返回引脚直接连接至电流检测电阻的低边1515LO低边NMOS栅板驱动输出°通过一条短而低电感的路径连接至低边同步NMOS晶体童的欄板1616VCC伍豊电源引脚利用尽可能龛近控制器的低ES^ESL电容对PGND本地去耦°1718SW降压穂压器的开关节点c高边NMOS晶体If的漂端和低边NMOS的瀟端通过一条短而低电感的路径 连接至自举电容 TSSOP 引脚LLP 引的名称说明1819HO禹边NMOS册极驱动输出通过一条短而低电感的路径连接至高边NMOS晶体管的栅极1920HB用于自举栅极驱动的高边驱动器电源连接至外部自举二极管的阴极和自举电容自举电容提供电流 为高边NMOS栅极充电，应尽可能靠近控制器放負）2022VINVCC稳压器电溥电压输入源。
EPEPEP封装的渓曆輝盘冕要电气隔离应烬接到接地平面，以减少热阻6NC无电气接触17NC无电r接鮭21NC无电气接鮭23NC无电汽接魁 LM5 二 7绝对最大额定值（注释1}SS、RAMP、RT 至 AGND-0.3 至 7VCS. CSGX PGND 至 AGND-0.3 至 0.3VVIN 至 AGND-0.3 至 75V ESD 额定 HBM l注解 4）2kVSW 至 AGND_3.0至75V 存储温度-55°C 至+150°CHB 至 SW-0.3至15V 结点温度+150°CVCC 至 AGND （注粹 2）-0.3 至 15VH0 至 SW-0.3 至 HB +0.3V l注释 1）L0 至 AGND 一0.3 至 VCC +0.3V VIN （汪痒 5）5.5V 至 65VFBS DEMB、RES. VCCDIS.-0.3 至 15V VCC5.5V 至 14VUVLO 至 AGNDHB 至 SW5.5V 至 14VCM. COMP 至 AGND （注痒 3）-0・3至7V 结点温度-40°C 至+125°C电气特性 用标准字体表示的数值仅用于在「= 25七时；使用粗体字体表示的极限值适用于结点温度范围左-40°C至+125七之间。
最小和最大板限值通过测试、设计或统计数据得以保证典型值代表T严25七时标准参数虫，仅供参考除非另有规定,适用下列条件：V初= 48V,匕8刖0匕R7 = 25 kDt LO和HO无负載标识参数工作条件最小值1典型值1最大值草位VIN电潭'g asVIN工作电流滋释6、Vss = 0V4.86NmAVss = 0V，V®s = 2V0.40.55mA'sHUTDCWqVIN关断电流Vss = 0V・ Vg 0V1640mAVCC穂压器V®EGVCC调节无负戳6.857.68.2VVCC 压差（VIN 至 VCC）VvlN。