《二极管的反向恢复过程》由会员分享，可在线阅读，更多相关《二极管的反向恢复过程（2页珍藏版）》请在金锄头文库上搜索。
1、二极管的反向恢复过程一、二极管的反向恢复过程二、在下图的电路中V上输入如下的电压波形：则二极管上的电流波形如下:可以看到，当通入正向电压时，二极管导通，二极管上的电流为1,当通入的电压突然反向时，二极管上的电流也 瞬间反向了，随后才变小，进而进入反向截止状态。这个现象就叫二极管的反向恢复。反向电流保持不变的这段时间 称为储存时间ts，反向电流由I2下降到0.1I2所需的时间称为下降时间tf。储存时间和下降时间之和（ts+tf）称为反向 恢复时间。二极管反向截止后还存在的电流被称为二极管的反向漏电流IR。二、二极管反向恢复现象的解释在二极管的PN节上，当外加正向电压时，P区的空穴向N区扩散，N区
2、的电子向P区扩散，这样，不仅使势垒区 （耗尽区）变窄，而且使载流子有相当数量的存储，在P区内存储了电子，而在N区内存储了空穴，它们都是非平衡 少数载流子，如下图所示。空穴由P区扩散到N区后，并不是立即与N区中的电子复合而消失，而是在一定的路程LP （扩散长度）内，一方 面继续扩散，一方面与电子复合消失，这样就会在LP范围内存储一定数量的空穴，并建立起一定空穴浓度分布，靠近 结边缘的浓度最大，离结越远，浓度越小。正向电流越大，存储的空穴数目越多，浓度分布的梯度也越大。电子扩散 到P区的情况也类似，下图为二极管中存储电荷的分布。N区中空穴浓度分布我们把正向导通时，非平衡少数载流子积累的现象叫做电荷
3、存储效应。当输入电压突然由正向变为反向时P区存储的电子和N区存储的空穴不会马上消失，但它们将通过下列两个途径逐 渐减少： 在反向电场作用下，P区电子被拉回N区，N区空穴被拉回P区，形成反向漂移电流IR，如下图所示;区 势昼区 11E反向荐移电溢与多数载流子复合。在这些存储电荷消失之前，PN结仍处于正向偏置，即势垒区仍然很窄，PN结的电阻仍很小，与电路中的负载电 阻相比可以忽略，所以此时反向电流IR=(反向电压VR+VD)/负载电阻RL。VD表示PN结两端的正向压降，一般 VRVD，即IR=VR/RL。在这段期间，IR基本上保持不变，主要由VR和RL所决定。经过时间ts后P区和N区所存储的电荷已
4、显著减小，势垒区逐渐变宽，反向电流IR逐渐减小到正常反向饱和电流 的数值，经过时间tf，二极管转为截止。由上可知，二极管在开关转换过程中出现的反向恢复过程，实质上由于电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存 储电荷消失所需要的时间。二横管和一股开关的不同在于/开与”美“由所加电压的极性决定，而且开态有微小的 压降-f广美态有微小的电流 皿 当电压由正向变为反向时电流并不立刻成为(-iC)而是 在一段时间&内，反向电流始终很大/ -一极管并不关断.经过&后/反向电流才.该渐变小， 再经过疗时间：极管的电流才成为(-iO)，也称为储存时间，井称为下降时间=fe+ A 称为反向恢宣时间,以上过程称为反向恢复过程。这实际上是由电荷存储效应引起的反向 恢复R寸间就是存储电荷耗尽所需要的时间。该过程使二极管不能在快速建续脉冲下当擞开关 使用。如果反向脉冲的持续间比短则二极管在正、反向都可导通，起不到开关作用。
