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1、单项选择题： 1. 高分子材料中的C-H化学键属于 。（A）氢键（B）离子键（C）共价键2. 属于物理键的是 。（A）共价键（B）范德华力（C）离子键3. 化学键中通过共用电子对形成的是 。（A）共价键（B）离子键（C）金属键4. 面心立方晶体的致密度为 。（A）100%（B）68%（C）74%5. 体心立方晶体的致密度为 。（A）100%（B）68%（C）74%6. 密排六方晶体的致密度为 。（A）100%（B）68%（C）74%7. 以下不具有多晶型性的金属是 。（A）铜（B）锰（C）铁8. fcc、bcc、hcp三种单晶材料中，形变时各向异性行为最显著的是 。（A）fcc（B）bcc（C
2、）hcp9. 及过渡金属最容易形成间隙化合物的元素是 。（A）氮（B）碳（C）硼10. 面心立方晶体的孪晶面是 。（A）112（B）110（C）11111. 以下属于正常价化合物的是 。（A）Mg2Pb（B）Cu5Sn（C）Fe3C12. 在晶体中形成空位的同时又产生间隙原子，这样的缺陷称为 。（A）肖特基缺陷（B）弗仑克尔缺陷（C）线缺陷13. 原子迁移到间隙中形成空位-间隙对的点缺陷称为 。（A）肖脱基缺陷（B）Frank缺陷（C）堆垛层错14. 刃型位错的滑移方向及位错线之间的几何关系是？（A）垂直（B）平行（C）交叉15. 能进行攀移的位错必然是 。（A）刃型位错（B）螺型位错（C）混
3、合位错16. 以下材料中既存在晶界、又存在相界的是（A）孪晶铜（B）中碳钢（C）亚共晶铝硅合金17. 大角度晶界具有_个自由度。（A）3（B）4（C）518. 菲克第一定律描述了稳态扩散的特征，即浓度不随 变化。（A）距离（B）时间（C）温度19. 在置换型固溶体中，原子扩散的方式一般为 。（A）原子互换机制（B）间隙机制（C）空位机制20. 固体中原子和分子迁移运动的各种机制中，得到实验充分验证的是（A）间隙机制（B）空位机制（C）交换机制21. 原子扩散的驱动力是 。 （4.2非授课内容）（A）组元的浓度梯度（B）组元的化学势梯度（C）温度梯度22. A和A-B合金焊合后发生柯肯达尔效应，
4、测得界面向A试样方向移动，则 。（A）A组元的扩散速率大于B组元（B）B组元的扩散速率大于A组元（C）A、B两组元的扩散速率相同23. 下述有关自扩散的描述中正确的为 。（A）自扩散系数由浓度梯度引起（B）自扩散又称为化学扩散（C）自扩散系数随温度升高而增加24. 在弹性极限se范围内，应变滞后于外加应力，并和时间有关的现象称为（A）包申格效应（B）弹性后效（C）弹性滞后25. 塑性变形产生的滑移面和滑移方向是（A）晶体中原子密度最大的面和原子间距最短方向（B）晶体中原子密度最大的面和原子间距最长方向（C）晶体中原子密度最小的面和原子间距最短方向26. bcc、fcc、hcp三种典型晶体结构中
5、，_具有最少的滑移系，因此具有这种晶体结构的材料塑性最差。（A）bcc（B）fcc（C）hcp27. ，位错滑移的派-纳力越小。（A）位错宽度越大（B）滑移方向上的原子间距越大（C）相邻位错的距离越大28. Cottrell气团理论对应变时效现象的解释是：（A）溶质原子再扩散到位错周围 （B）位错增殖的结果 （C） 位错密度降低的结果29. 已知Cu的Tm=1083C，则Cu的最低再结晶温度约为 。（A）200C（B）270C（C）350C30. 已知Fe的Tm=1538C，则Fe的最低再结晶温度约为 。（A）350C（B）450C（C）550C31. 位错缠结的多边化发生在形变合金加热的_阶
6、段。（A）回复（B）再结晶（C）晶粒长大32. 形变后的材料再升温时发生回复及再结晶现象，则点缺陷浓度下降明显发生在 。（A）回复阶段（B）再结晶阶段（C）晶粒长大阶段33. 形变后的材料在低温回复阶段时其内部组织发生显著变化的是 。（A）点缺陷的明显下降（B）形成亚晶界（C）位错重新运动和分布34. 由于晶核产生于高畸变能区域，再结晶在_部位不易形核。（A）大角度晶界和孪晶界 （B）相界面 （C）外表面35. 纯金属材料的再结晶过程中，最有可能在以下位置首先发生再结晶形核（A）小角度晶界（B）孪晶界（C）外表面36. 对于变形程度较小的金属，其再结晶形核机制为 。（A）晶界合并（B）晶界迁移
7、（C）晶界弓出37. 再结晶晶粒长大的过程中，晶粒界面的不同曲率是造成晶界迁移的直接原因，晶界总是向着_方向移动（A）曲率中心（B）曲率中心相反（C）曲率中心垂直38. 开始发生再结晶的标志是：（A）产生多变化 （B）新的无畸变等轴小晶粒代替变形组织 （C）晶粒尺寸显著增大39. 在纯铜基体中添加微细氧化铝颗粒属于 。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化40. 在纯铜基体中添加铝或锡、镍等微量合金元素属于 。（A）复合强化（B）析出强化（C）固溶强化41. 在纯铝的凝固过程中添加Al-Ti-B细化剂属于 。（A）复合强化（B）晶粒细化（C）固溶强化42. 凝固时在形核阶段，只有核胚半径等
8、于或大于临界尺寸时才能成为结晶的核心，当形成的核胚半径等于临界半径时，体系的自由能变化 。（A）大于零（B）等于零（C）小于零43. 以下材料中，结晶过程中以非小平面方式生长的是 。（A）金属锗（B）透明环己烷（C）氧化硅44. 以下材料中，结晶过程中以小平面方式生长的是 。（A）金属锗（B）铜镍合金（C）金属铅45. 形成临界晶核时体积自由能的减少只能补偿表面能的 。（A）1/3（B）2/3（C）1/446. 铸锭凝固时如大部分结晶潜热可通过液相散失时，则固态显微组织主要为 。（A）树枝晶（B）柱状晶（C）胞状晶47. 凝固时不能有效降低晶粒尺寸的是以下哪种方法？（A）加入形核剂（B）减小液
9、相过冷度（C）对液相实施搅拌48. 对离异共晶和伪共晶的形成原因，下述说法正确的是 。（A）离异共晶只能经非平衡凝固获得（B）伪共晶只能经非平衡凝固获得（C）形成离异共晶的原始液相成分接近共晶成分49. 在二元系合金相图中，计算两相相对量的杠杆法则用于 。（A）单相区中（B）两相区中（C）三相平衡水平线上50. 二元系合金中两组元部分互溶时，不可能发生 。（A）共晶转变（B）匀晶转变（C）包晶转变51. 任一合金的有序结构形成温度 无序结构形成温度。（A）低于（B）高于（C）可能低于或高于多项选择题： 1. 以下同时具有方向性和饱和性的结合键的是 。（A）共价键（B）离子键（C）氢键（D）金属
10、键（E）范德华力2. 晶体区别于其它固体结构的基本特征有 。（A）原子呈周期性重复排列（B）长程有序（C）具有固定的熔点（D）各向同性 （E）各向异性3. 具有相同配位数和致密度的晶体结构是 。（A）面心立方（B）体心立方（C）简单立方（D）底心立方（E）密排六方4. 以下具有多晶型性的金属是 。（A）铜（B）铁（C）锰（D）钛（E）钴5. 以下 等金属元素在常温下具有密排六方晶体结构。（A）镁（B）锌（C）镉（D）铬（E）铍6. 铁具有多晶型性，在不同温度下会形成 等晶体结构。（A）面心立方（B）体心立方（C）简单立方（D）底心立方（E）密排六方7. 晶体中点缺陷的形成原因有 。（A） （B
11、） （C） （D） （E） 温度起伏， 高温淬火、冷变形加工、高能粒子辐照8. 晶体缺陷中属于面缺陷的有 。（A）层错（B）外表面（C）孪晶界（D）相界（E）空位9. 影响扩散的主要因素有 。（A）温度（B）固溶体类型（C）晶体结构（D）晶体缺陷（E）化学成分10. 关于均匀形核，以下说法正确的是 。（A）体积自由能的变化只能补偿形成临界晶核表面所需能量的三分之二（B）非均匀形核比均匀形核难度更大（C）结构起伏是促成均匀形核的必要因素（D）能量起伏是促成均匀形核的必要因素（E）过冷度T越大，则临界半径越大11. 以下说法中， 说明了非均匀形核及均匀形核之间的差异。（A）非均匀形核所需过冷度更小（B）均匀形核比非均匀形核难度更大（C）一旦满足形核条件，均匀形核的形核率比非均匀形核更大（D）均匀形核试非均匀形核的一种特例（E）实际凝固过程中既有非均匀形核，又有均匀形核12. 晶体的长大方式有 。（A）连续长大（B）不连续长大（C）平面生长（D）二维形核生长（E）螺型位错生长13. 控制金属的凝固过程获得细晶组织的手段有 。（A）加入形核剂（B）减小液相过冷度（C）增大液相过冷度（D）增加保温时间（E）施加机械振动14. 二元相图中，属于共晶方式的相转变有 。（A）共晶转变（
