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1、微电子器件工艺课程设计12020 年 4 月 19 日课 程 设 计课程名称微电子器件工艺课程设计题目名称PNP 双极型晶体管的设计学生学院 _材料与能源学院_专业班级08微电子学1 班学号学生姓名 _张又文_指导教师魏爱香、何玉定_年 7月 6日文档仅供参考广东工业大学课程设计任务书题目名称pnp 双极型晶体管的设计学生学院材料与能源学院专业班级微电子学专业08 级 1 班姓名张又文学号一、课程设计的内容设 计 一 个 均 匀 掺 杂 的pnp型 双 极 晶 体 管 , 使T=300K时 , =120。 VCEO=15V,VCBO=80V. 晶体管工作于小注入条件下 , 最大集电极电流为 I
2、 C=5mA。设计时应尽量减小基区宽度调制效应的影响。二、课程设计的要求与数据1了解晶体管设计的一般步骤和设计原则2根据设计指标设计材料参数, 包括发射区、基区和集电区掺杂浓度NE, N B, 和 NC,根据各区的掺杂浓度确定少子的扩散系数,迁移率 , 扩散长度和寿命等。3根据主要参数的设计指标确定器件的纵向结构参数, 包括集电区厚度Wc, 基本宽度Wb, 发射区宽度We 和扩散结深Xjc ,发射结结深 Xje 等。4根据扩散结深Xjc ,发射结结深Xje 等确定基区和发射区预扩散和再扩散的扩散温度和扩散时间; 由扩散时间确定氧化层的氧32020 年 4 月 19 日文档仅供参考化温度、氧化厚
3、度和氧化时间。5根据设计指标确定器件的图形结构, 设计器件的图形尺寸,绘制出基区、发射区和金属接触孔的光刻版图。6. 根据现有工艺条件 , 制定详细的工艺实施方案。7撰写设计报告三、课程设计应完成的工作1. 材料参数设计2. 晶体管纵向结构设计3. 晶体管的横向结构设计 ( 设计光刻基区、发射区和金属化的掩膜版图形 )4 工艺参数设计和工艺操作步骤5. 总结工艺流程和工艺参数6. 写设计报告四、课程设计进程安排序地点起止日期设计各阶段内容号1教师布置设计任务 , 讲解设计要求和方法教 1-310.6.27学生熟悉设计任务 , 进行资料查阅和整体图书馆2设计方案的制定工三 311.6.28设计晶
4、体管的各区材料参数和结构参数设图书馆3计工三 311.6.29教师集中辅导 , 分析材料参数和结构设计4.中存在的主要问题教 1-302.6.30实验室2100.7.1-5晶体管工艺参数设计 ,教 1-302.7.26绘制光刻基区、发射区和金属化的版图实验室.7.342020 年 4 月 19日文档仅供参考教 1-302.7.4教师集中辅导 , 分析工艺设计中存在的主实验室8要问题教 1- 301.7.5实验室9总结设计结果 , 写设计报告教 1-301.7.6图书馆 ,10写课程设计报告宿室.7.711教师组织验收 , 提问答辩实验室.7.8五、应收集的资料及主要参考文献1Robert F. Pierret著 , 黄如译 , 电子工业出版社 , .2 赵毅强等译, 电子工业出版社, .3 ,关旭东编著, 北京大学出版社, .发出任务书日期计划完成日期 :主管院长签章 :7年月6月 27日指导教师签名8 日 基层教学单位责任人签章:目录广东工业大学课程设计任务书3一、设计任务及目标7二、晶体管的主要设计步骤和原则82.1. 晶体管设计一般步骤82.2 晶体管设计的基本原则952020 年 4 月 19 日
