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1、2015年电工学下册复习试卷第九章：半导体二极管和三极管、第十章：基本放大电路一、单项选择题1若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，好的管子应为（ C ）A、正、反向电阻相等B、正向电阻大，反向电阻小C、反向电阻比正向电阻大很多倍D、正、反向电阻都等于无穷大题2图2电路如题2图所示，设二极管为理想元件，其正向导通压降为0V，当Ui=3V时，则U0的值( D )。A、不能确定B、等于0C、等于5VD、等于3V3半导体三极管是具有( B )PN结的器件。A、1个B、2个C、3个D、4个4晶体管的主要特性是具有（ D ）。A、单向导电性 B、滤波作用 C、稳压作用 D、电流放大作
2、用5稳压管的稳压性能是利用PN结的（ D ）。A、单向导电特性B、正向导电特性C、反向截止特性D、反向击穿特性6对放大电路进行动态分析的主要任务是（ C ）A、确定静态工作点QB、确定集电结和发射结的偏置电压C、确定电压放大倍数Au和输入、输出电阻ri，r0题7图D、确定静态工作点Q、放大倍数Au和输入、输出电阻ri，ro7射极输出器电路如题7图所示，C1、C2足够大，对输入的交流信号u可视作短路。则输出电压u0与输入电压ui之间的关系是( B )。A、两者反相，输出电压大于输入电压B、两者同相，输出电压小于且近似等于输入电压C、两者相位差90，且大小相等D、两者同相，输出电压大于输入电压8在
3、共射极放大电路中，当其他参数不变只有负载电阻RL增大时，电压放大倍数将( B )A、减少 B、增大C、保持不变 D、大小不变，符号改变9在画放大电路的交流通路时常将耦合电容视作短路，直流电源也视为短路，这种处理方法是( A )。A、正确的 B、不正确的C、耦合电容视为短路是正确的，直流电源视为短路则不正确。D、耦合电容视为短路是不正确的，直流电源视为短路则正确。10PN结加适量反向电压时，空间电荷区将（ A )。A、变宽 B、变窄C、不变 D、消失11题11图示三极管的微变等效电路是（ D )题11图12题12图示放大电路，输入正弦电压ui后，发生了饱和失真，为消除此失题19图题12图真应采取
4、的措施是（ C ）A.增大RLB.增大RCC.增大RBD.减小RB题21图13电路如题21图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为（A）。A.4mA B.0mA C.4A D.3mA题22图14固定偏置单管交流放大电路的静态工作点Q如题22图所示，当温度升高时，工作点Q将（B）。A.不改变 B.向Q移动C.向Q移动 D.时而向Q移动，时而向Q移动题24图15电路如题24图所示，设二极管为理想组件，其正向导通压降为0V，则电路中电流I的值为( B )。A.1mA B.0mA C.1A D.3mA16某固定偏置单管放大电路的静态工作点Q如题25图所示，欲使静态工作点移
5、至Q需使 ( D )。题25图 A.偏置电阻RB增加 B.集电极电阻Rc减小 C.集电极电阻Rc增加 D.偏置电阻RB减小 17半导体三极管是一种（C）A.电压控制电压的器件 B.电压控制电流的器件C.电流控制电流的器件 D.电流控制电压的器件 18题28图示放大电路中，电容CE断开后电路的电压放大倍数的大小将（A）A.减小 B.增大 C.忽大忽小 D.保持不变 19.电路如题29图所示，二极管D1，D2，D3均为理想组件，则输出电压uo（A）题29图A.0V B.6V C.18V D.+12V题28图20 三极管处于放大状态时（B）A. 发射结反偏，集电结正偏 B. 发射结正偏，集电结反偏C
6、. 发射结与集电结均正偏 D. 发射结与集电结均反偏题31图21题31图所示电路中，已知VCC=12V，RC=3k，晶体管=50，且忽略UBE，若要使静态时UCE=6V，则RB应取（ B ）A200k B300k C360k D600k 二、填空题 1.N型半导体中 自由电子 是多数载流子， 空穴 是少数载流子。 2二极管最重要的特性是 单向导电性 。 3给半导体PN结加正向电压时，电源的正极应接半导体的_ P_区，电源的负极通过电阻接半导体的 N 区。 4半导体三极管具有放大作用的外部条件是发射结 正 向偏置，集电结 反 向偏置。 5.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管
7、的死区电压 要大（或高） 。 6若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的 截止 。题7图7在题7图所示电路中，若仅是RL增大，则电压放大倍数的绝对值将 增大 (增大?减小?或不变?)，输出电阻值将 不变 (增大?减小，或不变?)。8造成固定偏置电压放大电路静态工作点不稳定的主要原因是 温度变化 。9某放大电路在负载开路时，输出4V电压；接入1k负载后，其输出电压降为2V，则放大电路的输出电阻为 1k 。10电压并联负反馈使放大电路的输入电阻 减小 ，输出电阻 减小 。11二极管具有单向导电特性，其正向电阻远远 小于 反向电阻。当二极管加上正向电压且正向电压大于 死区 电压时，正向电流随正
8、向电压的增加很快上升。12半导体的导电能力随着温度的升高而 增大（或增强） 。13PN结加反向电压时，其空间电荷区将_变宽_ ，使_漂移_运动占优势。14如果放大电路的静态基极电流太大，会产生 饱和 失真。15射极输出器中，输入电压和输出电压的相位是 同相的 。16锗 （硅）二极管的正向电压降大小的范围是0.20.3（0。60。7）V。17根据三极管结构的不同，有NPN和_ PNP_两种。18PN结的基本特性是 单向导电性 。19三极管的静态工作点过低，将使输出电压出现_ 截止 失真。题1图三、简析题： 1题1图示电路中，已知VCC=24V，RB=800k，RC=6k，RL=3k，UBE=0.
9、7V，晶体管电流放大系数=50，rbe=1.2K。试求：（1）放大电路的静态工作点(IBQ，ICQ，UCEQ)。（2）电压放大倍数Au、输入电阻ri、输出电阻ro。1解：(1) (2) 题2图2在题2图所示电路中，已知三极管的=40，电容C1和C2足够大，求电压放大倍数、输入电阻和输出电阻。2解：题3图3题3图示放大电路中三极管的UBE=0.7V，UCC=12V，RC=2k，RB=280k，RL=6k，C1、C2足够大，输入电压有效值Ui=01V，输出电压有效值U0=8V.求：三极管的电流放大系数。3解：题4图 4题4图所示放大电路中三极管的UBE=0.7V，电阻RB1上直流压降为8V，RC=
10、2k，RE=1.5k，求UCE.。4解：电位、分别是：题1图四、计算题：1题1图示放大电路中，三极管=50、rbe=1k，R2=3k，R3=1k，C1、C2足够大，求：(1)画出放大电路的微变等效电路；(2)推导当输出端未接负载电阻RL时的电压放大倍数的一般关系式；(3)求当输出端接负载电阻RL=3k时的电压放大倍数=?1解：1）题2图2题2图示放大电路中，三极管的=50，UBE=0.6V，输入信号ui=3sint mV。对于该交流信号，C1、C2足够大，可视为短路。问：(1)当t2时，三极管的发射结是否处于反向偏置?为什么?(2)该放大电路的电压放大倍数u为多少?(3)该放大电路的输入电阻和
11、输出电阻各为多少?2解：（1）三极管的发射结总电压： ，当t2时，且时， 故： 可见三极管的发射结不是处于反向偏置而是处于正向偏置。（2）题3图（3） 3题3图示三极管放大电路，已知Ucc=12V，RC=5k，三极管的=100,rbe=2.5k，UBE忽略不计，C1、C2足够大。（1）当RB调到1M时，试求静态IB、IC、UCE的数值。（2）如果RB调到0时，会发生什么情况?在实际电路中可采取什么措施加以避免?（3）如果RB断开，放大电路还能否正常工作?为什么?（4）如果开关S闭合，对静态IB、IC、UCE的数值有无影响?（5）求开关S打开时电路的电压放大倍数、输入电阻、输出电阻。(RB=1M
12、)（6）当该电路正常放大工作时，如果输入正弦电压ui的有效值不变，将开关S闭合，则输出电压u0的有效值是增大还是减少?3解：（1），（2）如果，则三极管因发射结电压太大而烧坏。可用一个的电阻和串联接入原电路加以避免。（3）如果断开，则,三极管将工作在截止状态，不能再进行放大工作。（4）如果S闭合，对静态IB、IC、UCE的数值无影响，因为有的隔直作用。（5）当S打开时，电路处在空载状态，此时：，（6）当S闭合时，电路处在负载状态，此时：由于，则当该电路正常放大工作时，如果输入正弦电压ui的有效值不变，输出电压u0的有效值将减少。4电路如题4图图1所示，晶体管T的输出特性如题8图2所示，已知UC
13、C=20V，RC=0.5K，晶体管工作在Q点时的IB=200A，求：(1)计算偏置电阻RB，此时的电流放大系数，晶体管的集射极电压降UCE，(设UBE=0.6V)；(2)若电路中其它参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。题4图4解：（1）晶体管T的输出特性（图2）可求出：，（2）若电路中其它参数不变，仅仅改变偏置电阻RB，将集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线画在输出特性上。因为，可找出两点；，从而可画出集电极电流IC和集射极电压降UCE的关系曲线（直流负载线）如图所示：5题5图示放大电路中，三极管的30，UBE0.7V，C1、C2、CE足够大。求：（1）输入电压ui=0.141sintV时，输出电压u0=?（2）输出端接负载电阻RL1.2k后，输出电压u0=?题5 图（3）RL1.2k时，换一个同类型的三极管60，输出电压u0=?5解：（1） （2） （3） 6放大电路及晶体管输出特性曲线如题6图的图1和图2所示，UBE忽略不计，要求
