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1、详细解读半导体激光器半导体激光器又称为激光二极管（LD, Laser Diode），是采用半导体材料作为工作物质而产生受激发 射的一类激光器。常用材料有砷化镓（GaAs）、硫化镉（CdS）、磷化铟（InP）、硫化锌（ZnS）。激励 方式有电注入、电子束激励和光泵浦激励三种形式。半导体激光器件，一般可分为同质结、单异质结、双异 质结。同质结激光器和单异质结激光器室温时多为脉冲器件，而双异质结激光器室温时可实现连续工作。半 导体激光器的优点在于体积小、重量轻、运转可靠、能耗低、效率高、寿命长、高速调制，因此半导体激光 器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、激光医疗、激光测距、激光雷达、自动控制、
2、检测仪器等领域 得到了广泛的应用。半导体激光器工作原理是：通过一定的激励方式，在半导体物质的能带（导带与价带）之间，或者 半导体物质的能带与杂质（受主或施主）能级之间，实现非平衡载流子的粒子数反转，当处于粒子数反 转状态的大量电子与空穴复合时便产生受激发射作用。半导体激光器的激励方式主要有三种：电注入式、 电子束激励式和光泵浦激励式。电注入式半导体激光器一般是由GaAS （砷化镓）、InAS （砷化铟）、 Insb （锑化铟）等材料制成的半导体面结型二极管，沿正向偏压注入电流进行激励，在结平面区域产生 受激发射。电子束激励式半导体激光器一般用N型或者P型半导体单晶（PbS、CdS、ZhO等）作
3、为 工作物质，通过由外部注入高能电子束进行激励。光泵浦激励式半导体激光器一般用N型或P型半导 体单晶（GaAS、InAs、InSb等）作为工作物质，以其它激光器发出的激光作光泵激励。目前在半导体激光器件中，性能较好、应用较广的是：具有双异质结构的电注入式GaAs二极管半 导体激光器。半导体光电器件的工作波长与半导体材料的种类有关。半导体材料中存在着导带和价带，导带上面 可以让电子自由运动，而价带下面可以让空穴自由运动，导带和价带之间隔着一条禁带，当电子吸收了 光的能量从价带跳跃到导带中去时就把光的能量变成了电，而带有电能的电子从导带跳回价带，又可以 把电的能量变成光，这时材料禁带的宽度就决定了
4、光电器件的工作波长。小功率半导体激光器（信息型激光器），主要用于信息技术领域，例如用于光纤通信及光交换系统 的分布反馈和动态单模激光器（DFB-LD）、http:/ 盘等信息处理领域的可见光波长激光器（405nm、532nm、635nm、650nm、670nm）。这些器件的 特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐、短波长、光电单片集成化等。深圳市星鸿艺激光科技有限 公司 专业生产邀光扛标机，激光焊接机.深圳激光打标机.东莞激光打标机大功率半导体激光器（功率型激光器），主要用于泵浦源、激光加工系统、印刷行业、生物医 疗等领域。半导体激光器主要参数：波长 nm :激光器工作波长，例如 405nm、53
5、2nm、635nm、650nm、670nm、690nm、780nm、 810nm、 860nm、 980nm。阈值电流Ith:激光二极管开始产生激光振荡的电流，对小功率激光器而言其值约在数十毫安。工作电流Iop:激光二极管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重 要。垂直发散角e丄：激光二极管的发光带在与PN结垂直方向张开的角度，一般在1540左右。水平发散角e：激光二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度，一般在6 10。左右。监控电流Im :激光二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。半导体激光器主要向两个方向发展：一类是以传递信息为主的信息型激光器；另一类是以提高光功 率为主的功率型激光器。在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光器取得了突破性进展，其标志是半导体激光 器的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光器已经商品化，国内样品器件输出已达到 600W。未来，半导体激光器的发展趋势主要在高速宽激光器、大功率激光器、短波长激光器、中红外 激光器等方面。
