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1、高压包原理一、高压包的作用。高压包，正名是行输出变压器，也称为行包或行变，显示器的高压包和电视机的工作原理基 本一致，其主要作用是产生阳极高压，另外提供聚焦、加速、栅极等各路电压。注意偏转电 流的能量提供者并不是高压包，而是S校正电容，在行管截止时，B+电压通过高压包、偏 转线圈对 S 电容充电，电流只是经过高压包而已。由于高压包工作于高温、高频率、高电 压、大电流的状态，加上外部环境潮湿或多尘等因素影响，使高压包损坏几率较高。二、引起高压包损坏的病灶。1、包内高压滤波电容击穿。2、包内高压线圈匝间短路。3、包内高压硅堆漏电或击穿。4、包内初次级线圈短路5、包内聚焦组件老化，使聚焦及加速电压不
2、稳定。6、包体绝缘性能下降，使高压包对内或对外打火。三、与高压包相关的关键词及专业术语。1、HV阳极高压。随着显示器尺寸不同，HV电压也不同。通常14/15寸机的HV值是 24KV到25KV； 17寸机是27KV到29KV, 19寸和21寸机是30KV到35KV。2、FV聚焦电压，有时称为G4。FV电压通常在HV端以电阻电位器分压方式取得，电 压值是3KV到9KV。如果是双聚焦的，就分为FV1和FV2,其实是内部多设一组电位器而 已。3、SV加速极电压，也称为G2。SV/G2电压也从HV端分压取得，其电压值是300V到 800V。注意有些高压包不从HV端分压输出SV/G2电压，而是在包内另设绕
3、组，或在行管C 极将逆程峰值整流获得，这样做的目的是使 SV/G2 受到电路控制，方便工业装配。注意 在行管C极整流时获得SV/G2电压时，必须采用高速整流管，否则响应不到逆程峰值，只 能得到与B+样的电压。4、DF动态聚焦。显示器尺寸增大时，屏幕中央和四周的聚焦就容易变得不均匀，就需 要加入动态聚焦电路，使FV电压在扫描到边缘时增大。在双聚焦显象管中，动聚通常加入 到水平聚焦极中。其实就是一只10KV/102P电容接到FV而已。5、SFR包内聚焦组件中的FV/SV调整电位器冷端，通常是接地的，但有些机型将其用 作信号取样，在高压变动时使电路作出补偿。6、HVR包内HV端取样电阻的冷端。此电阻
4、直接取样于HV端，阻值大到必须兆欧表 才能测量。其作用也是HV变动检测。7、HV 包内高压滤波电容的冷端。通常此脚都被接地，但有些机型将其用作信号取样， 检测高压变动。8、G1栅极负电压。通常在包内绕组获得，G1电压值是-100V到-200V。控制G1电压 可控制光栅亮度，进入显象管的G1电压是-30V到-100V,关机消亮点通常也在G1控制电 路内完成，使关机时 G1 负压变低，显象管就被截止了。注意有些机型的 G1 电压是固定的 甚至是接地的，它们的亮度控制方式是改变三枪阴极的电压，关机消亮点方式是瞬间降低阴 极电压，光栅瞬时高亮，将高压释放掉。两种亮度控制方式各有优劣，调制G1可得到较大
5、 的亮度范围，但期间白平衡不均匀；调制阴极可使亮度均匀变化而白平衡稳定，但范围较小。9、AFC行逆程脉冲。AFC原意是自动频率控制，在显示器中，送入扫描芯片的同步信 号、CPU需要的行检测信号和OSD菜单所需要的行脉冲，都泛指为AFC。AFC取样可以 在高压包内绕组输出，也可以在行管C极用分压电压取得，后者故障率较高。10、FB高压或二次电源取样信号。FB原意是频率返回，也就是行回扫脉冲，在显示器 中，FB电压常作为高压包输出电压的参考点，反馈回二次电源，实现B+电压稳定输出。有 时FB信号也与AFC信号混在一起，并没有特别要求要独立取样。11、ABL自动亮度控制。ABL端总是内接高压绕组的冷
6、端，用来检测HV的电流大小， 当亮度过大时，HV电流必然增大，ABL电路检测到这个情况，就可作出反应限制亮度再增 加。建议维修人员配备100K电阻量程的万用表（MF10型）或兆欧表，就可测量ABL端到 HV帽的电阻，来判断高压硅堆是否有短路或漏电；又可以测量包内高压电容是否漏电。注 意10K电阻量程无法测量高压硅堆和高压电容。12、初次级绕组接在高压包B+输入端和行管端的就是初级线圈，其他是次级线圈。初 级线圈线径大匝数也不多，发生故障几率非常小；而次级高压线包的线径极小而匝数极多， 就容易发生匝间短路。13、电感量交流电流通过线圈而产生的感抗就是电感量。对直流电而言，线圈的阻抗为 零（忽略线
7、材本身的电阻率），但对于高频信号，三几圈的感抗也很大。电感量的单位是 ML （毫亨）。14、正程和逆程简单的说行管导通时就是扫描正程，截止时为扫描逆程。两者都有电流 通过高压包（正程时高压包储能，逆程时释放能量）。15、正程和逆程整流由于正程和逆程的峰值相差8到10倍，因此一个绕组采用不同的 整流方式，所产生的电压值也就相差8到10倍。正程整流的电压低但电流大；逆程整流的 电压高而电流小，但两者的输出功率相同。16、绕组的极性因为扫描正程和逆程的峰值不同，绕组的输出必须要区分正负极。如果 高压包不需改动，那么绕组的极性是厂家在引脚中已经决定了的；如果要在磁芯中加绕线圈， 就不能不注意其极性了。
8、以800*600*60的分辩率即37K行频，在磁芯中绕一圈为例，将高 压包引脚朝下，磁芯对着自己，则左边的线头是正端，右边的线头是负端。将负端接地，在 正端接以正整流可得到约20V电压，接以负整流可得到-3V电压；将正端接地，在负端接以 正整流可得到3V电压，接以负整流可得到-20V电压。大家一定要将以上理解清楚，在加绕 线圈时就可得心应手。注意高电压就低电流，反之亦然。以上电压参数会因电路设计差异而 有所不同，但具体差距并不太大，在绕线估算电压时可以作为参考。17、高压独立高压包和行偏转分离的电路形式。在传统行输出电路中，高压电流和偏转 电流都要经过行管，使之负担较重，故障频生，于是新型的设
9、计将高压电路独立出来，可以 设计出更高效的电路形式，实际上高压独立的高压开关管损坏机率非常低。18、高压独立的电路结构现在的高压独立电路大约有 5种类型。1）采用二次电源调整的单管输出形式。如下图，以SONY-200GS为例，170V电压经过二 次电源降到约80V输入高压包，开关管一只单独的场效应管，这种方式与传统的行输出相 类似。2）没有二次电源的单管输出形式。如下图，以SONY-E220为例，80V电压直接输入高压 包，开关管是一只单独的场效应管，这种方式要求开关管的激励控制电路，能控制较大的占 空比，以得到较大的高压调整范围。3）采用高电压的双管对称输出方式。如下图，以EMC/CTX等机
10、型较多采用，180V电压直 接输入高压包，再接入一只 N 型场效应管，该管导通时初级线圈储能；在初级线圈两端反 接一只P型场效应管，输入反相的激励，在N型管截止时它就导通，将初级线圈能量快速 释放，次级就感应出电压。4）采用低电压的双管对称输出方式。如下图，以飞利浦机芯较多采用，80V电压直接输入 高压包，再接入一只 N 型场效应管；另外在高压包设一个绕组，其输出接一只场效应管。激励信号被分成两路，一路驱动初级线圈开关管，使之导通时高压包储能；另一路倒相后驱 动另外一只管，使之导通时高压包可以快速释放能量。它们之间的关系是一只导通则另一只 截止。5）采用储能变压器的双管输出方式。如下图，这种方
11、式最为复杂，以三星、DELL机芯较 多采用。190V电压先输入一只普通行管的C极，B极加以行激励，E极就输出以行频变化 的方波，峰值仍是190V，之后进入储能变压器再到场效应管，另外行管E极也接到高压包 初级，由高压包出来后以一只放电电容接回行管 C 极。在场效应管导通时变压器储能，在 场效应管截止时变压器通过高压包、放电电容和阻尼管完成能量释放。行管在此仅输出以行 频变化的方波，提高效率，作用与一只二次电源管相当，真正的开关管是场效应管。19、高压独立高压包的绕组特点由于在高压包内的电流近似于方波，效率很高，它的初 级绕组圈数就设计得较少（比传统高压包初级少1到3倍匝数）；同时由于正程和逆程
12、的差 别较小，那么在磁芯上绕取线圈所得到的电压就有所不同，与上述 15、 16项对比，无论绕 组在哪头接地，无论正整流还是负整流，所获得的电压值基本一样（类似于市电的交流变压 器输出），也正是由于其初级匝数少，按照感应比例，次级每匝将获得较高的电压，在 800*600*60分辩率下，每圈的电压是6V到8V，比传统高压包在正程时每圈仅获得3V的 电压值要高。四、如何判断高压包是否损坏。根据高压包病灶的 6 个类型，损坏后的症状略有不同。1、包内高压电容击穿。这是造成高压包损坏的最大成因，大约有四成的高压包损坏与它有 关。包内高压电容的容量约为2700P，比显象管锥体所形成的电容1600P高一些，
13、两个电容 并联在一起总容量就有 4300P 以上，可以帮助减少屏幕的呼吸效应。由于包内高压电容的 绝缘介质的绝缘强度远及不上显象管的玻璃，而且电极间距小，当高压过高或工作时间过长 就很容易发生击穿。注意高压电容击穿后HV端对地阻值不一定为零，而是通常出现数千欧 到数百千欧的阻值。这是因为电容内的绝缘介质被高压击穿碳化后仍有一定阻值，将万用表 设10K档，测高压帽对地或对HVC端的阻值，正常时为无穷大，如出现阻值，可判断包内 高压电容击穿。高压电容击穿后使HV输出短路，开机则行电流巨大，通常会锁机或出现间 歇啸叫，并且很容易烧行管。包内高压电容击穿后，在通电瞬间绕组电流剧增， ABL 端子 所外
14、接的电阻通常会过流烧焦，这是一个判断其损坏的明显表徵。2、包内高压绕组匝间短路。这也是经常导致高压包损坏的原因，由于包内次级短路，造成 行电流大增，轻则锁机保护，重则烧行管。由于高压绕组匝间短路后功率消耗都在其内部发 生，因此包体发热严重，很容易判断。如果被保护快速锁机，就用低行压供电使其继续工作， 诱使故障病灶出现，而且行电流不至于巨大，行管还是安全的。3、包内高压硅堆击穿或漏电。高压硅堆击穿或漏电后，不经整流的交流高压加在滤波电容 上，但电容不能隔离交流电压，其结果相当于短路，与高压电容击穿所造成的表象很接近， 相比之下症状要轻一些，所以通常高压硅堆损坏后， ABL 电阻并不一定烧毁，但行
15、电流一 样巨大。怎样检测高压硅堆是否击穿或漏电呢？只能使用兆欧表或带有100K量程的万用表， 将黑笔接地或ABL端（如果高压包已拆离电路，就只能黑笔接ABL端），红笔接高压帽， 正常时会有 10 兆欧左右阻值，（高压硅堆导通的内阻），将表笔对调，测量时表针会划动 一下就归零，（包内高压电容充放电），如果测得阻值较低（小于5 兆欧），就基本可以确 定包内高压硅堆漏电或击穿了。4、包内初次级绕组短路。这种症状就不需要多说了，B+被直接短路到地了，结果与行管击 穿一样。5、包内聚焦组件老化。这种故障也很直观，就是聚焦电压或加速电压不稳，随着开机时间 延长，图像聚焦越来越差。在排除了管座、G2滤波电容
16、及机内潮湿漏电后，故障仍然存在, 就可以肯定聚焦组件损坏了。6、包体绝缘下降。这种情况在潮湿天气或老机中经常发生，表现为包体对外放电，轻则产 生小电弧有嘶嘶声，重则电弧大并有啪啪声；如果包体对内打火，就只听到啪啪声而没有电 弧产生。因为高压放电，HV电压瞬间下降，势必造成图像亮度及大小变动，甚至锁机或烧 行管等。五、高压损坏后的补救工作。高压包的有些损坏情形是可以补救的。第 5 类损坏情形，聚焦组件老化。现在大家可以买到一种单焦或双焦的外接聚焦器，其中双 焦的还带 DF 动聚输入。它的原理与包内聚焦组件一样。注意将聚焦组件取代后，原来的线 头要做好绝缘处理，用热熔胶封口即可。第 1 类损坏情形，包内高压电容击穿。只要看到 HVC 端是接地的，该高压包就可以修
