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1、半导体激光器的设计理论III. 量子理论教学日历(2008.9.52009.1.15, LT3-C3.doc, 22 July 2008)周次 日 期 主 要 内 容 讲 义1 (五)2008.9.5光产生的三种理论,1能带论的基础,能谱图30例LT3-1A-12 (四)2008.9.112.1有效质量分析与kp微扰基础LT3-2A-23 (五)2008.9.192.2 非简并kp微扰、2.3 Kane理论LT3-2B-34 (四)2008.9.252.4 Luttinger-Kohn理论LT3-2C-45 (四)2008.10.92.5应变场、Picus-Bir理论LT3-2D-56 (四)
2、2008.10.163模型固体理论、包络函数、边界条件LT3-3A-67 (四)2008.10.233.3单矩形量子阱、单三角量子阱的量子态LT3-3B-78 (四)2008.10.303.4多量子阱隧穿耦合与超晶格、3.5任意势场结构LT3-3C-89 (四)2008.11. 64电子与光子的态密度LT3-4A-910(四)2008.11.135光跃迁的爱恩斯坦唯象理论LT3-5A-1011(四)2008.11.206光跃迁、6.1光跃迁几率、6.2 带间光跃迁LT3-6A-1112(四)2008.11.276.3带内弛豫、6.4量子阱带间跃迁、6.5光矩阵元LT3-6B-1213(四)2008.12. 46.6杂质光跃迁LT3-6C-1314(四)2008.12. 116.7能带非抛物性。6.8 带隙重整化LT3-6D-1415(四)2008.12.186.9能带混合、6.10应变增益、6.11应变临界厚度LT3-6E-1516(四)2008.12.256.1214微分增益、GRIN-SCH-QW增益、阈值增益LT3-6F-1617(三)2008.12. 317阈值的温度效应与俄歇复合LT3-7A-1718(四)2009.1. 88子带间的光跃迁与量子级联激光器LT3-8A-1819(四)2009.1.159量子阱中载流子的散射与能级寿命和收集过程LT3-9A-19