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1、设计指标:AV250,Ri10k,RL=5.1k, BW=50Hz50kHz,D5% 。设计条件:输入信号(正弦信号):2mVVi5mV,信号源内阻:Rs=50,电源电压:VCC=12V;半导体三极管9013,参数:=100,rbb=300,C=5pF,fT=150MHz,3VVCC20V, PCM=625mW,ICM=500mA,V(BR)CEO=40V。1电路选型:小信号放大电路选用如图1所示两级阻容耦合放大电路,偏置电路采用射极偏置方式,为了提高输入电阻及减小失真,满足失真度D250,设计计算取AV=300,其中T1级AV1=12,AV2=25;Ri10k要求较高,一般,T1级需引入交流
2、串联负反馈。3半导体器件的选定指标中,对电路噪声没有特别要求,无需选低噪声管;电路为小信号放大,上限频率fH=50kHz,要求不高,故可选一般的小功率管。现选取NPN型管9013,取=100。4各级静态工作点设定动态范围估算:T1级: T2级:, 为避免饱和失真,应选: ;可见 T1级VCEQ1可选小些,T2级VCEQ2可选大些。T1级静态工作点确定:T2级静态工作点确定: 一般应取 , 选 :5偏置电路设计计算(设)T1级偏置电路计算:故: 取标称值120 k 选120 k / 取标称值62 k 选62 k / 取标称值9.1k 选9.1 k /T2级偏置电路计算:故: 取标称值68 k 选68 k / 取标称值36 k 选 36 k / 取标称值3.9k 选 3.9 k /6静态工作点的核算 T1级:符合设计要求。 符合设计要求。7电容器的选择 C1: C2: C3: Ce1: 取Ce1=47F 选Ce1 47F/16VCe2:取Ce2=47F 选Ce2 47F/16V8.指标核算Ri=18.7k10k 满足设计要求RL1=Ri2=6.1k 满足设计指标要求。核算、: