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1、设计指标：AV250，Ri10k，RL=5.1k， BW=50Hz50kHz，D5% 。设计条件：输入信号（正弦信号）：2mVVi5mV，信号源内阻：Rs=50，电源电压：VCC=12V；半导体三极管9013，参数：=100，rbb=300，C=5pF，fT=150MHz，3VVCC20V， PCM=625mW，ICM=500mA，V(BR)CEO=40V。1电路选型：小信号放大电路选用如图1所示两级阻容耦合放大电路，偏置电路采用射极偏置方式，为了提高输入电阻及减小失真，满足失真度D250，设计计算取AV=300，其中T1级AV1=12，AV2=25；Ri10k要求较高，一般，T1级需引入交流
2、串联负反馈。3半导体器件的选定指标中，对电路噪声没有特别要求，无需选低噪声管；电路为小信号放大，上限频率fH=50kHz，要求不高，故可选一般的小功率管。现选取NPN型管9013，取=100。4各级静态工作点设定动态范围估算：T1级： T2级：， 为避免饱和失真，应选： ；可见 T1级VCEQ1可选小些，T2级VCEQ2可选大些。T1级静态工作点确定：T2级静态工作点确定： 一般应取 ， 选 ：5偏置电路设计计算（设）T1级偏置电路计算：故： 取标称值120 k 选120 k / 取标称值62 k 选62 k / 取标称值9.1k 选9.1 k /T2级偏置电路计算：故： 取标称值68 k 选68 k / 取标称值36 k 选 36 k / 取标称值3.9k 选 3.9 k /6静态工作点的核算 T1级：符合设计要求。 符合设计要求。7电容器的选择 C1： C2： C3： Ce1： 取Ce1=47F 选Ce1 47F/16VCe2：取Ce2=47F 选Ce2 47F/16V8.指标核算Ri=18.7k10k 满足设计要求RL1=Ri2=6.1k 满足设计指标要求。核算、：
