Flash芯片的种类与区别一、IIC EEPROMIICEEPROM，采用的是IIC通信协议IIC通信协议具有的特点：简单的两条总线线路，一条串行数据线（SDA）, —条串行时钟线（SCL）；串行半 双工通信模式的8位双向数据传输，位速率标准模式下可达100Kbit/s； —种电可擦除可编程只读存储器， 掉电后数据不丢失，由于芯片能够支持单字节擦写，且支持擦除的次数非常之多，一个地址位可重复擦写 的理论值为100万次，常用芯片型号有AT24C02、FM24C02、CAT24C02等，其常见的封装多为DIP8, SOP8， TSSOP8 等；二、SPI NorFlashSPINorFlash，采用的是SPI通信协议有4线（时钟，两个数据线，片选线）或者3线（时钟，两个数据线） 通信接口，由于它有两个数据线能实现全双工通信，因此比IIC通信协议的IIC EEPROM的读写速度上要 快很多SPI NorFlash具有NOR技术Flash Memory的特点，即程序和数据可存放在同一芯片上，拥有独 立的数据总线和地址总线，能快速随机读取，允许系统直接从Flash中读取代码执行；可以单字节或单字 编程，但不能单字节擦除，必须以Sector为单位或对整片执行擦除操作，在对存储器进行重新编程之前需 要对Sector或整片进行预编程和擦除操作。
NorFlash在擦写次数上远远达不到IIC EEPROM，并且由于NOR技术Flash Memory的擦除和编程速度较慢， 块尺寸又较大，因此擦除和编程操作所花费的时间会很长；但SPI NorFlash接口简单，使用的引脚少，易 于连接，操作方便，并且可以在芯片上直接运行代码，其稳定性出色，传输速率高，在小容量时具有很高 的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为FLASH ROM，所以在市场的占用率非常高常见到的S25FL128、MX25L1605、W25Q64等型号都是SPI NorFlash，其常见的封装多为SOP8，SOP16，WS ON8，US0N8，QFN8、BGA24 等三、Parallel NorFalsh （CFI Flash）ParallelNorFalsh，也叫做并行NorFlash，采用的Parallel接口通信协议拥有独立的数据线和地址总 线，它同样继承了 NOR技术Flash Memory的所有特点；由于采用了 Parallel接口，Parallel NorFalsh 相对于SPI NorFlash，支持的容量更大，读写的速度更快，但是由于占用的地址线和数据线太多，在电路 电子设计上会占用很多资源。
Parallel NorFalsh读写时序类似于SRAM，只是写的次数较少，速度也慢， 由于其读时序类似于SRAM，读地址也是线性结构，所以多用于不需要经常更改程序代码的数据存储常见到的 S29GL128、MX29GL512、SST39VF020 等型号都是 Parallel NorFlash,其常见的封装多为 TSSOP32、TSOP48、BGA64, PLCC32 等四、Parallel NandFlashParallelNandFlash同样采用了 Parallel接口通信协议，NandFlash在工艺制程方面分有三种类型：SLC、 MLC、TLCNandFlash技术Flash Memory具有以下特点：以页为单位进行读和编程操作，以块为单位进行擦除操作； 具有快编程和快擦除的功能，其块擦除时间是2ms，而NOR技术的块擦除时间达到几百ms；芯片尺寸小， 引脚少，是位成本(bit cost)最低的固态存储器;芯片包含有坏块，其数目取决于存储器密度坏块不会影 响有效块的性能，但设计者需要有一套的坏块管理策略!对比Parallel NorFalsh，NandFlash在擦除、读写方面，速度快，使用擦写次数更多，并且它强调更高的 性能，更低的成本，更小的体积，更大的容量，更长的使用寿命。
这使NandFlash很擅于存储纯资料或数 据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统其主要用来数据存储，大部分的U盘都是使用NandFlash，当 前NandFlash在嵌入式产品中应用仍然极为广泛，因此坏块管理、掉电保护等措施就需要依赖NandFlash 使用厂家通过软件进行完善常见到的 S34ML01G100、MX30LF2G18AC、MT29F4G08ABADA 等型号都是 Parallel NandFlash，其常见的封装 多为 TSOP48、BGA63、BGA107，BGA137 等五、SPI NandFlashSPINandFlash，采用了 SPI NorFlash 一样的SPI的通信协议，在读写的速度上没什么区别，但在存储结构 上却采用了与Parallel NandFlash相同的结构，所以SPI nand相对于SPI norFlash具有擦写的次数多， 擦写速度快的优势，但是在使用以及使用过程中会同样跟Parallel NandFlash 一样会出现坏块，因此，也 需要做特殊坏块处理才能使用；SPINandFlash相对比Parallel NandFlash还有一个重要的特点，那就是芯片自己有内部ECC纠错模块， 用户无需再使用ECC算法计算纠错，用户可以在系统应用当中可以简化代码，简单操作；常见到的 W25N01GVZEIG、GD5F4GQ4UBYIG、F50L1G41A 等型号都是 SPI NandFlash，其常见的封装多为 QFN 8、BGA24 等。
六、eMMC Flash eMMC采用统一的MMC标准接口，自身集成MMC Controller,存储单元与NandFlash相同针对Flash的特 性，eMMC产品内部已经包含了 Flash管理技术，包括错误探测和纠正，Flash平均擦写，坏块管理，掉电 保护等技术°MMC接口速度高达每秒52MBytes，eMMC具有快速、可升级的性能，同时其接口电压可以是1. 8v 或者是 3.3veMMC相当于NandFlash+主控IC，对外的接口协议与SD、TF卡一样，主要是针对或平板电脑等产品 的内嵌式存储器标准规格eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个控制器，它提供标准接口并管理闪 存，使得厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间这些特点对于希望通 过缩小光刻尺寸和降低成本的NAND供应商来说，同样的重要eMMC由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC(多媒体卡)接口、快闪存储器设备(Nand Flash)及主控制 器，所有都在一个小型的BGA封装，最常见的有BGA153封装;我们通常见到的KLMAG8DEDD、THGBMAG8B4JB AIM、EMMC04G-S100等型号都是eMMC Flash。
eMMCFlash存储容量大，市场上32GByte容量都常见了，其 常见的封装多为BGA153、BGA169、BGA100等七、USF2.0JEDEC在2013年9月发布了新一代的通用闪存存储器标准USF2.0，该标准下得闪存读写速度可以高达每秒 1400MB，这相当于在两秒钟内读写两个CD光盘的数据，不仅比eMMC有更巨大的优势，而且它甚至能够让 电脑上使用的闪存存储介质固态硬盘也相形见绌UFS闪存规格采用了新的标准2.0接口，它使用的是串 行界面，很像PATA、SATA的转换，并且它支持全双工运行，可同时读写操作，还支持指令队列相对之下， eMMC是半双工，读写必须分开执行，指令也是打包，在速度上就已经是略逊一筹了，而且UFS芯片不仅传 输速度快，功耗也要比eMMC5.0低一半，可以说是日后旗舰闪存的理想搭配目前仅有少数的半导体 厂商有提供封装成品，如三星、东芝电子等SPI FLASH NAND FLASH 和 NOR FLASH 的关系前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash有基本的了解下面细说一下标 题中的中Flash中的关系一，Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同，分为两种：nor flash和nand flash量时有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM。
相对于NorFLASH, NandFLASH强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命这 使NandFLASH很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统1，Nand Flash在工艺制程方面分NAND flash有两种类型：MLC和SLCMLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则是MMulti-Level Cell，即为多 层单元闪存它们之间的区别，在于SLC每一个单元，只能存储一位数据,MLC每一个单元可以存储两位数据， MLC的数据密度要比SLC大一倍在页面容量方面分NAND也有两种类型：大页面NAND flash （如：HY27U F082G2B）和小页面 NAND flash （如：K9F1G08U0A）这两种类型在页面容量，命令序列、地址序列、页内访问、坏块标识方面都有很大的不同，并遵 循不同的约定所以在移植驱动时要特别注意2，Nor Flash在通信方式上Nor Flash分为两种类型：CFI Flash和SPI Flasha，CFI Flash英文全称是common flash interface，也就是公共闪存接口，是由存储芯片工业界定义 的一种获取闪存芯片物理参数和结构参数的操作规程和标准。
CFI 有许多关于闪存芯片的规定，有利于嵌 入式对FLASH的编程现在的很多NOR FLASH都支持CFI，但并不是所有的都支持CFI接口，相对于串口的SPI来说，也被称为parallel接口，并行接口；另外，CFI接 口是JEDEC定义的，所以，有的又成CFI接口为JEDEC接口所以，可以简单理解为：对于Nor Flash来 说，CFI 接口= JEDEC 接口= Parallel 接口 =并行接口b，SPI Flashserial peripheral interface串行外围设备接口，是一种常见的时钟同步串行通信接口c，CFI Flash 和 SPI Flash 比较SPI flash和CFI Flash的介质都是Norflash，但是SPI是通过串行接口来实现数据操 作，而CFI Flash则以并行接口进行数据操作，SPI容量都不是很大，市场上CFI Flash做大可以做 到128Mbit，而且读写速度慢，但是价格便宜，操作简单而parallel接口速度快，容量上市场上已经有 1Gbit的容量，价格昂贵Nand Flash，Nor Flash，CFI Flash，SPI Flash 之间的关系前言：在嵌入式开发中，如uboot的移植，kernel的移植都需要对Flash有基本的了解。
下面细说一下标 题中的中Flash中的关系一, Flash的内存存储结构flash按照内部存储结构不同，分为两种：nor flash和nand flash量时有很高的性价比，这使其很适合应于嵌入式系统中作为 FLASH ROM相对于NorFLASH, NandFLASH强调更高的性能，更低的成本，更小的体积，更长的使用寿命这 使NandFLASH很擅于存储纯资料或数据等，在嵌入式系统中用来支持文件系统1，Nand Flash在工艺制程方面分NAND flash有两种类型：MLC和SLCMLC和SLC属于两种不同类型的NAND FLASH存储器SLC全称是Single-Level Cell，即单层单元闪存，而MLC全称则。