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1、之杨若古兰创作1. 何 谓 PIE? PIE 的 次 要 工 作 是 什 幺 ?答：Process Integration Engineer(工艺整合工程师)，次要 工作是整合各部分的资本,对工艺持续进行改善,确保产品的 良 率( yield)波动 良 好.2. 200mm，300mmWafer 代表何 意 义?答：8吋硅片(wafer)直径为200mm ,直径为300mm 硅片 即12吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采取多少mm的硅片(wafer) 工艺？将来北京的Fab4(四厂)采取多少mm的wafer工艺？答：当前 13 厂为 200mm(8 英寸)的 wafer, 工艺水平已 达
2、0.13um 工艺.将来北京厂工艺 wafer 将使用 300mm(12 英寸).4.我们为什么须要300mm?答：wafersize变大，单一一 wafer上的芯片数(chip)变多，单位成本降低200 300面积添加2.25倍，芯片数目约添加2.5倍5.所谓的0.13 um的工艺能力(technology)代表的是什幺意 义？ 答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽.当栅极的线宽做的越小时，全部器件就可以变的越小，工 作速度也越快. 6. 从 0.35um-0.25um-0.18um-0.15um-0.13um 的 technology 改 变 又 代 表 的 是 什 幺
3、意 义 ？- 0.15um - 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提 升. 7普通的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为 N,P两品种型 （ type ）, 何 谓N, P-type wafer?答：N-type wafer是指掺杂negative元素（5价电荷元 素，例如：P、As）的硅片，P-type的wafer是指掺杂positive 元素（3价电荷元素，例如：B、In）的硅片.8. 工厂中硅片（wafer）的建造过程可分哪几个工艺过程（module）？答：次要有四个部分：DIFF （扩散）、TF（薄膜）、PHOTO （光刻） 、 ETCH （刻蚀） .其中 DIF
4、F 又包含FURNACE（炉管）、WET（湿刻）、IMP（离子 注入）、 RTP（快决速热处理）.TF包含PVD（物理气相淀积）、CVD（化学 气相淀积）、CMP（化学机械研磨）.硅片的制培养是根据客户 的请求，不竭的在分歧工艺过程（module）间反复进行的生 产过程， 最初再利用电 性的 测试， 确保产品 良好.9. 普通硅片的建造常以几P几M 及光罩层数（mask layer）来 代表硅片工艺的时间是非，请问几P几M及光罩层数（mask layer） 代 表 什 幺 意 义 ？答：几P几M代表硅片的建造有几层的Poly（多晶硅）和 几层的metal（金属导线）.普通0.15um 的逻辑产
5、品为1P6M（ 1 层 的 Poly 和 6 层 的 metal）. 而 光罩层数（mask layer）代表硅片的建造必须经过几次的 PHOTO（光刻）.10. Wafer 下线的第一道步调是构成 start oxide 和 zero layer? 其 中 start oxide 的 目 的 是 为 什 么 ？答：不但愿无机成分的光刻胶直接碰触Si概况. 在 laser 刻号过程中,亦可防止被发生的粉尘净化.11. 为 什 么 须 要 zero layer?答：芯片的工艺由很多分歧条理堆栈而成的, 各条理之 间 以 zero layer 当 做 对 准 的 基 准 .12. Laser ma
6、rk 是什幺用处? Wafer ID 又代表什幺意义?答：Laser mark是用来刻wafer ID, Wafer ID 就如同硅片 的 身 份 证 一 样 , 一 个 ID 代 表 一 片 硅 片 的 身 份 .13. 普通硅片的建造（wafer process）过程包含哪些次要部 分？答：前段（frontend） -元器件（device）的建造过程. 后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部分 ？ 答：STI的构成（定义AA区域及器件间的隔离） 阱 区 离 子 注 入 （ well implant ）
7、用 以 调 整 电 性栅极(polygate)的构成源/漏极（source/drain)的构成硅化物(salicide)的构成15.STI是什幺的缩 写 ? 为什么须要STI?答：STI: Shallow Trench Isolation（浅沟道隔离），STI 可以 当做两个组件（device）间的阻隔，防止两个组件间的短路.16. AA 是哪两个字的缩写 ? 简单说明 AA 的用处 ?答：Active Area,即有源区，是用来建立晶体管主体的 地位所在，在其上构成源、漏和栅极 .两个 AA 区之间即是以STI来做隔离的.17.在 STI 的刻蚀工艺过程中，要留意哪些工艺参数？答 ： STI
8、etch ( 刻蚀 ） 的角度；STIetch的深度；STI etch 后 的CD 尺寸大小控制.(CDcontrol,CD=criticaldimension)18.在 STI 的构成步调中有一道liner oxide（线形氧化层), liner oxide的 特 性功能为什么？答：Liner oxide为1100C, 120 min高温炉管构成的氧化层，其 功 能为： 修 补 进 STI etch 形 成 的 基 材 损 伤 ； 将 STI etch 形成的 etch 尖角给于圆化（ corner rounding）.19. 普通的阱区离子注入调整电性可分为那三道步调? 功能为什么？ 答：
9、阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片 上构成所须要的组件电子特性，普通包含上面几道步调： WellImplant ： 构 成 N,P阱 区 ； Channel Implant ： 防 止 源 / 漏 极 间 的 漏 电 ； Vt Implant ： 调 整 Vt （ 阈 值 电 压 ） .20.普通的离子注入条理（Implant layer）工艺建造可分为那几道步调?答：普通包含上面几道步调：光刻(Photo)及图形的 构 成 ；离子注入调整；离 子 注 入 完 后 的ash(plasma( 等 离 子 体 ) 清 洗 )光刻胶去除（PRstrip)21. Poly （多晶硅）栅极构成的
10、步调大致可分为那些 ? 答 ： Gate oxide（ 栅 极 氧 化 层 ） 的 沉 积 ； Poly film的沉积及SiON（在光刻中作为抗反射层的物资）的沉积）； Poly 图 形 的 构 成 （Photo） ； Poly 及 SiON的 Etch ； Etch完后的ash（ plasma（等离子体）清洗）及光刻胶去除（PRstrip）； Poly 的 Re-oxidation （ 二 次 氧 化 ）.22. Poly (多晶硅)栅极的刻蚀(etch)要留意哪些地方？答 ： Poly 的 CD( 尺 寸 大 小 控 制 ； 防止 Gate oxie被蚀刻掉，形成基材(substrate
11、)受损.23. 何 谓 Gate oxide ( 栅 极 氧 化 层 )?答：用来当器件的介电层，利用分歧厚度的 gate oxide , 可调节栅极电压对分歧器件进行开关24. 源/漏极(source/drain)的构成步调可分为那些？答 ： LDD 的 离 子 注 入 ( Implant )； Spacer的构成； N+/P+IMP高浓度源/漏极(S/D)注入及快速热处理(RTA：RapidThermalAnneal).25. LDD 是 什 幺 的 缩 写 ? 用 处 为 什 么 ?答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD 是使用较低浓度的 源/漏极, 以防止组件发
12、生热载子效应的一项工艺.26. 何 谓 Hot carrier effect ( 热 载 流 子 效 应 )?答：在线寛小于0.5um以下时，由于源/漏极间的高浓度 所发生的高电场,导致载流子在挪动时被加速发生热载子效 应, 此热载子效应会对 gate oxide 形成破坏, 形成组件损伤.27. 何谓 Spacer? Spacer 蚀刻时要留意哪些地方？ 答：在栅极(Poly)的两旁用dielectric (介电质)构成的侧壁，次要由 Ox/SiN/Ox 构成.蚀刻 spacer 时要留意其 CD 大小，profile(剖面轮廓)，及remain oxide(残留氧化层的厚度)28. Spa
13、cer 的 次 要 功 能 ?答：使高浓度的源/漏极与栅极间发生一段LDD区 域; 作 为 Contact Etch 时 栅 极 的 呵 护 层 .29. 为什么在离子注入后，须要热处理（Thermal Anneal）的 工艺?答：为恢复经离子注入后形成的芯片概况损伤； 使 注 入 离 子 扩 散 至 适 当 的 深 度 ; 使 注 入 离 子 挪 动 到 适 当 的 晶 格 地 位 .30. SAB 是 什 幺 的 缩 写 ? 目 的 为 什 么 ？ 答： SAB： Salicide block, 用于呵护硅片概况，在 RPO（Resist Protect Oxide） 的呵护下硅片不与其它
14、 Ti, Co 构成硅 化物（salicide）31. 简 单 说 明 SAB 工 艺 的 流 层 中 要 留 意 哪 些 ?答：SAB光刻后（photo），刻蚀后（etch）的图案（特 别是小块区域）.要确定有完好的包覆（block）住必须被包 覆（ block ）的 地 方 .remain oxide （残留氧化层的厚度）.32. 何 谓 硅 化 物 （ salicide）? 答：Si与Ti或Co构成TiSix或CoSix,普通来说是用来降 低 接 触 电 阻 值 （ Rs, Rc ）.33. 硅化物（salicide）的构成步调次要可分为哪些？答 ： Co（ 或 Ti）+TiN的 沉 积 ； 第 一 次 RTA （ 快 速 热 处 理 ） 来 构 成 Salicide. 将 未 反 应 的 Co（Ti） 以 化 学 酸 去 除 . 第二次 RTA （用来构成 Ti 的晶相转化 , 降低其阻值 ）.34. MOS 器 件 的 次 要 特 性 是 什 幺 ？ 答：它主如果通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极（S/D） 之 间 电 流 ， 实 现 其 开 关 特 性 .35. 我们普通用哪些参数来评价 device 的 特性？ 答：次要有 Id s at 、 Ioff 、 Vt 、 Vbk （bre akd
