三极管开关电路工作原理分析图一所示是NPN三极管的 共射极电路，图二所示是它的特性曲线图，图中它有 3种工作区 域：截止区 (Cutoff Region) 、线性区 (Active Region) 、饱和区 (Saturation Region) 三极管是以 B 极电流 IB 作为输入， 操控整个三极管的工作状态 若三极管是在截止区， IB趋近于0 (VBE亦趋近于0), C极与E极间约呈断路状态，IC = 0 , VCE = VCG若三极管 是性区， B-E 接面为顺向偏压， B-C 接面为逆向偏压， IB 的值适中 (VBE = V) ， I C=h F E I B 呈比例放大， Vce = Vcc -Rc I c = V cc - Rc hFE IB 可被 IB 操控若三极管在饱和区， IB 很大， VBE= V ， VCE= V ， VBC= V ， B-C 与 B-E 两接面均为正向偏压，C-E 间等同于一个带有V 电位落差的通路，可得 I c=( Vcc - )/ Rc ， Ic 与 IB 无关了，因此时的 IB 大过线性放大区的 IB 值， IchFE IB 是必然的三极管在截止态时C-E 间如同断路，在饱和态时C-E 间如同通路 ( 带有 V 电位降 ) ，因此可以作为开关。
控制此开关的是 IB ， 也可以用 VBB 作为控制的输入讯号图三、四分别显示三极管开关的通路、 断路状态，及其对应的等效电路1 NPN 三极管共射极电路 图 2 共射极电路输出特性曲3、截止态如同断路线图图 4、饱和态如同通路三极管开关电路设计三极管除了可以当做交流信号放大器之外，也可以做为开关之用严格说起来，三极管与一般的机械接点式开关在动作上并不完全相同， 但是它却具有一些机械式开关所没有的特点图 1 所示，即为三极管电子开关的基本电路图由下图可知， 负载电阻被直接跨接于三极管的集电极与电源之间， 而位居三极管主电流的回路上，图 1 基本的三极管开关输入电压 Vin 则控制三极管开关的开启 (open) 与闭合 (closed) 动作， 当三极管呈开启状态时，负载电流便被阻断，反之，当三极管呈闭合状态时，电流便可以流通详细的说，当 Vin 为低电压时，由于基极没有电流，因此集 电极亦无电流， 致使连接于集电极端的负载亦没有电流， 而相当于开关的开启， 此时三极管乃胜作于截止(cut off) 区同理， 当 Vin 为高电压时， 由于有基极电流流动， 因此使集电极流过更大的放大电流， 因此负载回路便被导通， 而相当于开关的闭合， 此时三极管乃胜作于饱和区(saturation) 。
838 电子 一、三极管开关电路的分析设计由于对硅三极管而言，其基射极接面之正向偏压值约为伏特，因此欲使三极管截止， Vin 必须低于伏特，以使三极管的基极电流为零通常在设计时，为了可以更确定三极管必处于截止状态起见，往往使Vin 值低于 伏特 ( 838 电子资源 ) 当然输入电压愈接近零伏特便愈能保证三极管开关必处于截止状态 欲将电流传送到负载上， 则三极管的集电极与射极必须短路， 就像机械开关的闭合动作一样欲如此就必须使Vin 达到够高的准位，以驱动三极管使其进入饱和工作区工作， 三极管呈饱和状态时， 集电极电流相当大， 几乎使得整个电源电压Vcc均跨在负载电阻上，如此 则VcE便接近于0,而使三极管的集电极和射极几乎呈短路 在理想状况下， 根据奥姆定律三极管呈饱和时， 其集电极电流应该为因此，基极电流最少应为:(式1)上 式表出了 IC和旧之间的基本关系，式中的B值代表三极管的直流电流增益,其交流B值和直流B值之间，有着甚大的差异欲使开关则其 Vin 值必须够高，以送出超过或等于 (式 1) 式所要求的最低基极电由于基极回路只是一个电阻和基射极接面的串联电路， 故 Vin 可由下式来（式2）一旦基极电压超过或等于 （ 式 2） 式所求得的数值，三极管便导通，使全部的供应电压均跨在负载电阻上，而完成了开关的闭合动作。
总 而言之，三极管接成图 1 的电路之后，它的作用就和一只与负载相串联的机械式开关一样， 而其启闭开关的方式， 则可以直接利用输入电压方便的控制， 而不须采用 机械式开关所常用的机械引动（mechanical actuator）、螺管柱塞（solenoid plunger） 或电驿电枢（relay armature） 等控制方式为了避免混淆起见，本文所介绍的三极管开关均采用NPNE极管，当然NPNE极管亦可以被当作开关来使用，只是比较不常见罢了例题 1试解释出在图 2 的开关电路中，欲使开关闭合（三极管饱和） 所须的输入电压为何？并解释出此时之负载电流与基极电流值？解：由2式可知，在饱和状态下，所有的供电电压完全跨降于负载电阻上，因此由方程式 （1） 可知因此输入电压可由下式求得：2 用三极管做为灯泡开关由例题 1-1 得知， 欲利用三极管开关来控制大到的负载电流之启闭动作， 只须要利用甚小的控制电压和电流即可此外，三极管虽然流过大电流， 却不须要装上散热片，因为当负载电流流过时，三极管呈饱和状态，其 VCEB近于零，所以 其电流和电压相乘的功率之非常小，根本不须要散热片二、三极管开关与机械式开关的比较截 至目前为止，我们都假设当三极管开关导通时，其基极与射极之间是完全短路的。
事实并非如此，没有任何三极管可以完全短路而使VCE=0大多数的小信号硅 质三极管在饱和时，VCE蒯和）值约为伏特，纵使是专为开关应用而设计 的交换三极管，其VCE蒯和）值顶多也只能低到伏特左右，而且负载电流一高， VCE蒯和）值还会有些许的上升现象，虽然对大多数的分析计算而言，VCE（fi和） 值可以不予考虑，但是在测试交换电路时，必须明白VCE（fi和）值并非真的是00 虽然VCE饱和）的电压很小，本身微不足道，但是若将几个三极管开关申接起来， 其总和的压降效应就很可观了，不幸的是机械式的开关经常是采用串接的方式来工作的，如图 3（a） 所示，三极管开关无法模拟机械式开关的等效电路（如图 3（b） 所示 ） 来工作，这是三极管开关的一大缺点图 3 三极管开关与机械式开关电路幸好三极管开关虽然不适用于串接方式，却可以完美的适用于并接的工作方式，如图 4 所示者即为一例三极管开关和传统的机械式开关相较，具有下列四大优点：图 4 三极管开关之并联联接（ 1）三极管开关不具有活动接点部份，因此不致有磨损之虑，可以使用无限多次，一般的机械式开关，由于接点磨损，顶多只能使用数百万次左右，而且其接点易受污损而影响工作， 因此无法在脏乱的环境下运作， 三极管开关既无接点又是密封的，因此无此顾虑。
2）三极管开关的动作速度较一般的开关为快，一般开关的启闭时间是以毫秒（ms）来计算的，三极管开关则以微秒（^s）计 3） 三极管开关没有跃动（bounce） 现象 一般的机械式开关在导通的瞬间会有快速的连续启闭动作，然后才能逐渐达到稳定状态 4）利用三极管开关来驱动电感性负载时，在开关开启的瞬间，不致有火花产生 反之， 当机械式开关开启时， 由于瞬间切断了电感性负载样上的电流，因此电感之瞬间感应电压， 将在接点上引起弧光， 这种电弧非但会侵蚀接点的表面，亦可能造成干扰或危害三、三极管开关的测试三极管开关不像机械式开关可以光凭肉眼就判断出它目前的启闭状态，因此必须利用电表来加以测试 在图 5 所示的标准三极管开关电路中， 当开关导通时，VEC的读值应该为0,反之当开关切断时，VCEE对于VCC三 极管开关在切断的状况下，由于负载上没有电流流过，因此也没有压降，所以全部的供应电压均跨降在开关的两端，因此其VCEfi应等于VCC这和机械式开关 是完全相同的 如果开关本身应导通而未导通， 那就得测试Vin 的大小了欲保证三极管导通， 其基极的 Vin 电压值就必须够高， 如果 Vin 值过低， 则问题就 出自信号源而非三极管本身了。
假使在Vin 的准位够高，驱动三极管导通绝无问题时，而负载却仍未导通，那就要测试电源电压是否正常了在导通的状态下，硅三极管的VBE值约为伏特，假使Vin值够高，而VBE 值却高于和低于伏特，例如 VBE为伏特或伏特，这表示 基射极接面可能已经损 坏， 必须将三极管换掉 当然这一准则也未必百分之百正确， 许多大电流额定的 功率三极管，其VBE值经常是超过1伏特的，因此即使VBE的读值达到伏特， 也未必就能肯定三极管的接面损坏，这时候最好先查阅三极管规格表后再下断 言一旦VBE正常且有基极电流流动时，便必须测试 VCEfi,假使VCEB近于VCC 就表示三极管的集基接面损坏，必须换掉三极管假使VCEB近于零伏特，而负 载仍未导通，这可能是负载本身有开路现象发生，因此必须检换负载图 5 三极管开关电路，各主要测试电的电压图当 Vin 降为低电压准位，三极管理应截止而切断负载，如果负载仍旧未被 切断，那可能是三极管的集基极和集射极短路，必须加以置换第二节 基本三极管开关之改进电路有时候，我们所设定的低电压准位未必就能使三极管开关截止，尤其当输入准位接近伏特的时候更是如此 想要克服这种临界状况， 就必须采取修正步骤， 以保证三极管必能截止。
图 6 就是针对这种状况所设计的两种常见之改良电路图 6 确保三极管开关动作，正确的两种改良电路图 6(a) 的电路，在基射极间串接上一只二极管，因此使得可令基极电流导通的输入电压值提升了伏特， 如此即使 Vin 值由于信号源的误动作而接近伏特时， 亦不致使三极管导通，因此开关仍可处于截止状态图 6(b) 的电路加上了一只辅助-截止(hold-off) 电阻R2,适当的R1, R2及Vin值设计， 可于临界输入电压 时确保开关截止由图6(b)可知在基射极接面未导通前(IB0) , R1和R2形成一 个串联分压电路，因此R1 必跨过固定( 随 Vin 而 变) 的分电压，所以基极电压必低于 Vin 值，因此即使Vin 接近于临界值(Vin= 伏特 ) ，基极电压仍将受连接于负电源的辅助-截止电阻所拉下，使低于伏特由于R1, R2及VBB值的刻意设计，只要 Vin 在高值的范围内，基极仍将有足够的电压值可使三极管导通，不致受到辅助 - 截止电阻的影响加速电容器(speed-up capacitors)在要求快速切 换动作的应用中，必须加快三极管开关的切换速度图 7 为一种常见的方式，此方法只须在RB电阻上并联一只加速电容器，如此当 Vin由零电压往上升并开始送 电流至基极时，电容器由于无法瞬间充电，故形同短路，然而此时却有瞬间的大电流由电容器流向基极，因此也就加快了开关导通的速度。
稍后，待充电完毕后，电 容就形同开路，而不影响三极管的正常工作图 7 加了加速电容器的电路一旦输入电压由高准位降回零电压准位时， 电容器会在极短的时间内即令基射极接面变成反向偏压，而使三极管开关迅速切断，这是由于电容器的左端原已充电为正电压， 如图 6-9 所示， 因此在输入电压下降的瞬间， 电容器两端的电压无法瞬间改变仍将维持于定值，故输入电压的下降立即使基极电压随之而下降，因此令基射极接面成为反向偏压， 而迅速令三极管截止 适当的选取加速电容值可使三极管开关的切换时间减低 至几十分之微秒以下，大多数的加速电容值约为数百个微微法拉(pF) 有时候三。