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1、推挽输出与开漏输出的区别推挽输出:可以输出高,低电平,连接数字器件;开漏输出:输出端相当于三极管的集电极. 要得到高电平状态需要上拉电阻才行.适合于做电流型的驱动，其吸收电流的能力相对强(一般20ma以内). 推挽结构一般是指两个三极管分别受两互补信号的控制,总是在一个三极管导通的时候另一个截止.要实现 线与 需要用OC(open collector)门电路是两个参数相同的三极管或MOSFET,以推挽方式存 在于电路中，各负责正负半周的波形放大任务，电路工作时，两只对称的功率开关管每次只有一个导通，所 以导通损耗小,效率高。输出既可以向负载灌电流，也可以从负载抽取电流。/三极管的开漏输出有什么
2、特性，和推挽是不是一回事，问题：很多芯片的供电电压不一样，有3.3v和5.0v，需要把几种IC的不同口连接在一起，是不是直接连接 就可以了？实际上系统是应用在I2C上面。简答：1、部分3.3V器件有5V兼容性，可以利用这种容性直接连接2、应用电压转换器件，如TPS76733就是5V输入，转换成3.3V、1A输出。/开漏电路特点及应用在电路设计时我们常常遇到开漏(open drain)和开集(open collector)的概念。本人虽然在念书 时就知道其基本的用法，而且在设计中并未遇的过问题。但是前两天有位同事向我问起了这个概念。我忽 然觉得自己对其概念了解的并不系统。近日，忙里偷闲对其进行了
3、下总结。所谓开漏电路概念中提到的“漏”就是指MOSFET的漏极。同理，开集电路中的“集”就是指三极管的 集电极。开漏电路就是指以MOSFET的漏极为输出的电路。一般的用法是会在漏极外部的电路添加上拉电阻。 完整的开漏电路应该由开漏器件和开漏上拉电阻组成。如图1所示： 组成开漏形式的电路有以下几个特点：1. 利用 外部电路的驱动能力，减少IC内部的驱动。当IC内部MOSFET导通时，驱动电流是从外部的VCC 流经R pull-up，MOSFET到GND。IC内部仅需很下的栅极驱动电流。如图1。2. 可以将多个开漏输出的Pin,连接到一条线上。形成“与逻辑”关系。如图1,当PIN_A、PIN_B、
4、PI N_C任意一个变低后，开漏线上的逻辑就为0 了。这也是I2C，SMBus等总线判断总线占用状态的原理。3. 可以利用改变上拉电源的电压，改变传输电平。如图2, IC的逻辑电平由电源Vcc1决定，而输出高电 平则由Vcc2决定。这样我们就可以用低电平逻辑控制输出高电平逻辑了。4. 开漏Pin不连接外部的上拉电阻，则只能输出低电平(因此对于经典的51单片机的P0 口而言，要想做 输入输出功能必须加外部上拉电阻，否则无法输出高电平逻辑)。5. 标准的开漏脚一般只有输出的能力。添加其它的判断电路，才能具备双向输入、输出的能力。 应用中需注意：1. 开漏和开集的原理类似，在许多应用中我们利用开集电
5、路代替开漏电路。例如，某输入Pin要求由开 漏电路驱动。则我们常见的驱动方式是利用一个三极管组成开集电路来驱动它，即方便又节省成本。如图3。2. 上拉电阻R pull-up的 阻值 决定了 逻辑电平转换的沿的速度。阻值越大,速度越低功耗越小。 反之亦然。Push-Pull输出就是一般所说的推挽输出，在CMOS电路里面应该较CMOS输出更合适，应为在CMOS里 面的push-pull输出能力不可能做得双极那么大。输出能力看IC内部输出极N管P管的面积。和开漏输 出相比， pushpull 的高低电平由 IC 的电源低定，不能简单的做逻辑操作等。 pushpull 是现在 CMOS 电 路里面用得最多的输出级设计方式。at91rm9200 GPIO 模拟 I2C 接 口时注意！
