电子科技大学22春《电子技术基础》离线作业1答案参考1

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1、电子科技大学22春电子技术基础离线作业1答案参考1. 若Y=A+AC=1则( )。若Y=A+AC=1则( )。A.ABC=001B.ABC=110C.ABC=100D.ABC=101参考答案:C2. 加法器是一个组合逻辑电路。( )加法器是一个组合逻辑电路。( )A.正确B.错误参考答案:A3. 有一OTL功率放大电路,其电源电压Vcc=16V,RL=8,在理想情况下可得到最大输出功率为( )。有一OTL功率放大电路,其电源电压Vcc=16V,RL=8,在理想情况下可得到最大输出功率为( )。A.32WB.16WC.4W参考答案:C4. 负反馈对放大电路的工作性能的影响是( )。负反馈对放大电

2、路的工作性能的影响是( )。A.提高放大电路的稳定性B.改善波形失真C.对输入电阻无影响D.对输出电阻无影响参考答案:AB5. 晶体管的控制方式为输入电流控制输出电流。( )晶体管的控制方式为输入电流控制输出电流。( )A.正确B.错误参考答案:A6. 固定偏置基本放大电路出现截止失真时,应调节RB,使其阻值( )。固定偏置基本放大电路出现截止失真时,应调节RB,使其阻值( )。A.增大B.减小C.先增大后减小参考答案:B7. N型半导体的多数载流子是电子,因此N型半导体带负电。( )A.错误B.正确参考答案:A8. 双极型三极管是电流控制器件,场效应管是电压控制器件。( )A.错误B.正确参

3、考答案:B9. 集成运放可分为两个工作区,它们是( )。集成运放可分为两个工作区,它们是( )。A.虚短与虚断B.线性与非线性C.正反馈与负反馈参考答案:B10. 求和运算是利用运算放大器工作在非线性区的特性来工作的。( )求和运算是利用运算放大器工作在非线性区的特性来工作的。( )A.正确B.错误参考答案:B11. 当温度升高时,三极管的Icbo、增加,Vbe减小。( )当温度升高时,三极管的Icbo、增加,Vbe减小。( )A.错误B.正确参考答案:B12. 直流稳压电源一般是由变压、整流、( )、( )四部分组成。直流稳压电源一般是由变压、整流、( )、( )四部分组成。A.稳压B.滤波

4、C.变频参考答案:AB13. 对半导体而言,其正确的说法是( )。对半导体而言,其正确的说法是( )。A.P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电B.N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电C.P型半导体和N型半导体本身都不带电D.P、N型半导体都带负电参考答案:C14. 在甲类工作状态的功率放大电路中,在不失真的条件下增大输入信号,则电源供给的功率( )。在甲类工作状态的功率放大电路中,在不失真的条件下增大输入信号,则电源供给的功率( )。A.增大B.减小C.不变参考答案:C15. 下列电路中,是时序电路的是( )。下列电路中,是时序电路的是( )。A.编码器B.移位寄存器C

5、.数值比较器D.二进制译码器参考答案:B16. 稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。( )稳压管工作在特性曲线的反向击穿区。( )A.正确B.错误参考答案:A17. 3/8线译码器的输入信号是十六进制代码。( )3/8线译码器的输入信号是十六进制代码。( )A.正确B.错误参考答案:B18. 如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM,则该管被击穿。( )如果晶体管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM,则该管被击穿。( )A.正确B.错误参考答案:B19. 硅稳压管的工作状态是( )。硅稳压管的工作状态是( )。A.正向导通B.正向击穿C.反向截止D.反向击穿参考答案:D20. PN结加

6、正向电压时,空间电荷区将( )。PN结加正向电压时,空间电荷区将( )。A.基本不变B.变窄C.变宽参考答案:B21. 一个仪表放大电路,要求输入电阻大,并能稳定输出电压,应选( )。A.电压串联负反馈B.电流串联负反馈C.电压并联负反馈参考答案:A22. 在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。在输入量不变的情况下,若引入反馈后( ),则说明引入的反馈是负反馈。A.输入电阻增大B.输出量增大C.净输入量增大D.净输入量减小参考答案:D23. 桥式整流电容滤波电路的变压器副边电压的有效值为20V,当RLC(35)T/2时,输出电压为( )。桥式整流电容滤波电路的变压

7、器副边电压的有效值为20V,当RLC(35)T/2时,输出电压为( )。A.24VB.18VC.10V参考答案:A24. 晶体管的反向和饱ICBO电流越小,说明晶体管的稳定性越好。( )晶体管的反向和饱ICBO电流越小,说明晶体管的稳定性越好。( )A.正确B.错误参考答案:A25. 由理想运放构成的线性应用电路,其电路的放大倍数与运放本身的参数有关。( )由理想运放构成的线性应用电路,其电路的放大倍数与运放本身的参数有关。( )A.正确B.错误参考答案:A26. 单一频率的正弦波信号加入放大电路可能产生的失真有( )。A.频率失真B.截止失真C.饱和失真D.交越失真参考答案:BC27. 组合

8、逻辑电路当前的输出状态由输入变量的组合状态来决定,与原来状态也有关系。( )组合逻辑电路当前的输出状态由输入变量的组合状态来决定,与原来状态也有关系。( )A.正确B.错误参考答案:B28. 在信号的运算中,往往把运算放大器视为理想的放大器,在运算过程中,利用其两个重要的特性,它们是( )。A.抑制共模信号B.可放大直流C.虚短D.虚断参考答案:CD29. 射极输出器的特点有( )。射极输出器的特点有( )。A.电压放大倍数接近于1B.输出电压与输入电压基本相同C.输入电阻高D.输出电阻低参考答案:ABCD30. 放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=

9、-2V,则该三极管是( )。放大电路中,己知三极管三个电极的对地电位为VA=-6V、VB=-2.3V、VC=-2V,则该三极管是( )。A.PNP锗管B.PNP硅管C.NPN锗管参考答案:A31. 为了改善整流电压的脉动程度,要在整流电路中加接( )。为了改善整流电压的脉动程度,要在整流电路中加接( )。A.稳压器B.滤波器C.变频器参考答案:B32. 稳压二极管与限流电阻配合能起到稳压作用,在电路中稳压管的阳极接电源的负极。( )稳压二极管与限流电阻配合能起到稳压作用,在电路中稳压管的阳极接电源的负极。( )A.正确B.错误参考答案:A33. 仅具有“置0”、“置1”功能的触发器叫( )。仅

10、具有“置0”、“置1”功能的触发器叫( )。A.JK触发器B.RS触发器C.D触发器D.T触发器参考答案:C34. 用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏,已知机械万用表表头正极(红色)是内部电池的负极,而表头的负极(黑色)是电池的正极,下面表述正确的是( )。用万用表判断二极管的正极和负极以及管子的好坏,已知机械万用表表头正极(红色)是内部电池的负极,而表头的负极(黑色)是电池的正极,下面表述正确的是( )。A.若测得二极管为正向较小电阻,则黑笔所触及的是二极管正极,红笔所触及的是二极管的负极B.若测得正向电阻较小,而反向电阻很大,则该二极管是好的C.若测得正、反向电阻均接近于0,则二

11、极管已经击穿损坏D.若正、反向电阻均为,则二极管已断路参考答案:ABCD35. 乙类功率放大电路在输出功率为零时,管子消耗的功率最大。( )A.错误B.正确参考答案:A36. 半导体的导电能力随着温度的升高而降低。( )半导体的导电能力随着温度的升高而降低。( )A.正确B.错误参考答案:B37. 负反馈对放大电路性能的影响,下列叙述中正确的是( )。负反馈对放大电路性能的影响,下列叙述中正确的是( )。A.降低放大倍数的稳定性B.改善波形失真C.提高放大倍数D.带负载能力降低参考答案:B38. 单相半波整流电路只利用了电源的半个周期。( )单相半波整流电路只利用了电源的半个周期。( )A.正

12、确B.错误参考答案:A39. 差动放大电路( )。A.能抑制零漂B.提高输入电阻C.减小输出电阻D.增益与输入方式无关参考答案:AD40. 一个触发器可记录一位二进制代码,它有( )个稳态。一个触发器可记录一位二进制代码,它有( )个稳态。A.3B.2C.1D.0参考答案:B41. 十进制数100对应的二进制数为1011110。( )十进制数100对应的二进制数为1011110。( )A.正确B.错误参考答案:B42. 放大器有两种不同性质的失真,分别是( )。A.线性失真和非线性失真B.频率失真和相位失真C.截止失真和饱和失真参考答案:A43. 放大电路一般采用的反馈形式为负反馈。( )放大

13、电路一般采用的反馈形式为负反馈。( )A.正确B.错误参考答案:A44. 理想集成运放的两个输入端的电压相等称为( );两输入电流为零称为( )。理想集成运放的两个输入端的电压相等称为( );两输入电流为零称为( )。A.虚短B.虚断C.虚地参考答案:AB45. 当PN结外加正向电压时,耗尽层( )。A.变宽B.变窄C.宽度不变参考答案:B46. 直流稳压电源一般是由( )、( )、滤波、稳压四部分组成。直流稳压电源一般是由( )、( )、滤波、稳压四部分组成。A.整流B.变频C.变压参考答案:AC47. 在放大电路中,为了稳定静态工作点,可引入( );若要稳定放大倍数,应引入( )。在放大电路中,为了稳定静态工作点,可引入( );若要稳定放大倍数,应引入( )。A.直流负反馈B.直流正反馈C.交流负反馈D.交流正反馈参考答案:AC48. 硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为( )和( )。硅晶体管和锗晶体管工作于放大状态时,其发射结电压UBE分别为( )和( )。A.0.7V

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