模拟电子技术题库

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1、模拟电子技术试题汇编成都理工大学工程技术学院电子技术基础教研室2010-9第一章 半导体器件一、填空题1、本征硅中若掺入5价元素的原子，则多数载流子应是电子，少数载流 子应是空穴 。2、 在N型半导体中，电子浓度大于空穴浓度，而在P型半导体中，电 子浓度小于空穴浓度。3、PN结反向偏置时，空间电荷区将变 雄4、 双极型三极管输出特性的三个区域分别是饱和_区、_放大_区、截止区。5、 场效应管分为两大类：一类称为一结型场效应管，另一类称为绝缘栅场效应管。6、PN结外加反向电压，即电源的正极接N区，电源的负极接P区，这种接法称为反向接法或反向偏置7、半导体二极管的基本特性是单向导电性 _ ，在电路

2、中可以起整流和检波一 _等作用。8、双极型半导体三极管按结构可分为型和型两种，它们的符号分别为和。9、PN结中进行着两种载流子的运动：多数载流子的扩散运动和少数载 流子的漂移运动。10、硅二极管的死区电压约为，锗二极管的死区电压约为11、晶体管穿透电流I是反向饱 和电流I的1+J倍，在选用晶CEOCBO体管的时候，一般希望I 尽量。CBOgm12、场效应管实现放大作用的重要参数是_跨导_ m。13、 PN结具有_单向导电特性。14、 双极型三极管有两个PN结，分别是集电结 和_发射结15、 为了保证三极管工作在放大区，应使发射结正向 偏置，集电路反向偏置。16、 场效应管是电压控制型元件.而双

3、极型三极管是 _电流控制型元件。17、 本征硅中若掺入3价元素的原子，则多数载流子应是空穴，少数载 流子应是.电子18、 P型半导体的多数载流子是空穴，少数载流子是 电子19、PN结外加正向电压，即电源的正极接P区，电源的负极接N区，这种接法称为正向接法或 正向偏置。20、 从双极型三极管内部三个区引出三个电极，分别是_集电极发射极和 基极。21、双极型三极管起放大作用的外部条件是：（1）发射结外加正 向电压；（2）集电结外加向电压。22、 N型半导体可用离子和等量的负电子_ 来简化表示。23、 PN结正向偏置时，空间电荷区将变窄。24、二极管的两个电极分别称为阳极和阴极，二极管的符号是25、

4、当温度升高时，三极管的输入特性曲线会_左_移，输出特性曲线会 上移，而且输出特性曲线之间的间隔将增大。26、 影响双极型三极管参数变化的主要因素是。27、 P型半导体可用_离子和等量的来简化表示。28、 主要半导体材料是硅和锗两种载流子是和电子：两种杂质半导体是一P型 和 N型.。29、二极管外加正向电压导通，外加反向电压截止。30、 当温度升高时，三极管的参数0会变大 . iCB（会 淄加，导通电压会 变小_ 。31、双极型三极管有两种载流子导电，即多数载流子和_少数载流导电，而单极型三极管只有一种载流子导电，即多数载流子导电。32、N型半导体的多数载流子是电子，少数载流子是空穴_ 33、某

5、晶体管的极限参数P二150mW，I二100mA，U 二30V。若它的CM CM（ BR ）CEO工作电压U = 10V，则工作电流不得超过_15_mA ；若工作电压U = 1V，CECE则工作电流不得超过 _100 mA ;若工作电流I二1mA，则工作电压不得超C过 30 _ V。34、放大电路中，已知三极管三个电极的对地电位为V =-9V, V =-, V =ABC-6V，则该三极管是PNP_型三极管，A为集电极,B为基-极，C为发射极。35、双极型三极管实现放大作用的重要参数是0 36、 场效应管输出特性的三个区域分别是恒流区、 可变电阻区、 _夹断区。37、 纯净的、不含其他杂质的半导体

6、称为本征半导体。38、 场效应管与晶体管比较，场效应管的热稳定好，输入电阻高，晶体管的放大能力强。39、 双极型三极管内部有三个掺杂区域，分别是_发射区、 _基区和_集电区。二、选择题1、从二极管伏安特性曲线可以看出，二极管两端压降大于（ B ）时处于正偏 导通状态。A. 0B.死区电压 C.反向击穿电压D.正向压降2、杂质半导体中（ A ）的浓度对温度敏感。A.少子 B.多子C.杂质离子D.空穴3、晶体管的集电结反向偏置、发射结正向偏置，它的工作状态是（ B ），若 集电结和发射结都反向偏置，它的工作状态是（ A ），若集电结和发射结均 正向偏置，则它的工作状态是（ C ）。A.截止 B.放

7、大C.饱和D.损毁4、当晶体管工作在放大区时，发射结电压和集电结电压应为（ B ）A.前者反偏、后者也反偏B.C.前者正偏、后者也正偏D.5、双极型晶体管工作时有（ A ） 效应管所导电过程仅仅取决于（ AA.多子B.少子前者正偏、后者反偏 前者反偏、后者也正偏和（ B ）两种载流子参与导电,而场 ）的流动。C.自由电子D.空穴6、当NPN型晶体管工作在放大区时，各极电位关系为U （A ）U（A ）U。CBEA.B.C. =D.7、对二极管正向电阻 r 和反向电阻 r 的要求是（ C ）ZFA. r 、 r 都大B.r 、 r都小ZFZFC. r 很小， r 很大D.r 大，r小ZFZF8、稳

8、压二极管动态电阻 r （ BZ),稳压性能愈好A.煎大B.煎小C.为任意值9、三极管当发射结和集电结都正偏时工作于（ C ）状态。A. 放大 B. 截止 C. 饱和D. 无法确定10、 结型场效应管放大电路的偏置方式是（A、D ）A.自给偏压电路B.外加偏压电路C.无须偏置电路D.栅极分压与源极自偏结合11、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（ A ），而少数载流子的 浓度与（ B ）有很大关系。A.温度 B 掺杂工艺C.杂质浓度 D.晶体管缺陷12、场效应管属于（B ）控制型器件，而晶体管若用简化h参数来分析， 则可认为是（ C ）控制型器件。A.电荷B.电压C.电流13、 当PN节

9、外加反向电压时，扩散电流（B ）漂移电流，耗尽层（D ）。 A.大于B.小于 C.等于 D.变宽E.变窄F.不变14、当温度升高时，二极管正向特性和反向特性曲线分别（ D ）。A.左移，下移B.右移，上移C.左移，上移D.右移，下移15、PN 结加正向电压时导通，此时空间电荷区将（ A ）。A.变窄B.基本不变C.变宽D.先变窄，后变宽16、在25C时，某二极管的死区电压Utha,反向饱和电流Isa,则在35C时, 下列哪组数据可能正确：（ D ）。A Utha, IsaB Utha, IsaC Utha, IsaD Utha, Isa17、用万用表判断放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型

10、（NPN或PNP） 与三个电极时,最为方便的测试方法为（ B ）。A. 测试各极间电阻B. 测试各极间、对地电压C. 测试各极电流三、判断题1、三极管在工作频率大于最高工作频率f时会损坏。（X ）M2、稳压管正常稳压时应工作在正向导通区域。 （ X ）3、与三极管放大电路相比,场效应管放大电路具有输入电阻很高、噪声低、温 度稳定性好等优点。（丿）4、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（X ）5、有人测得晶体管在U =时，I =5卩A，因此认为在此工作点上的r大约为BE B be2|mv 二 5.2K0。（丿）IB6、通常结型场效应管 JFET 在漏极和源极互换使用 时,仍有正

11、常的放 大作用。（“）7、通常的双极型晶体管BJT在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放 大作用。（X8、在N型半导体中，掺入高浓度的三阶杂质可以改型为P型半导体。（丿）9、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（X ）10、PN结内扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（X11、漂移电流是少数载流子在电场作用下形成的。（丿）12、由于PN结交界面两边存在电位差，所以当把PN结两端短路时，就有电流 流过。（ X13、PN结方程可以描述PN结的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向 击穿特性。（ X14、场效应管的突出优点是具有特别高的输出电阻（ X15、有人测试晶体管的r，方法是通过测得

12、晶体管的U = 0.7, I = 20mA,be BE B推算出 r 二 U /1 = 0.7V/20mA 二 35KQ。（ X ）be BE B四、综合题1、放大电路中测得晶体管各电极电位如下表所示，试将表格填写完整。（10分管脚（各电极）电位晶体管1晶体管23V6V-4V电极（e或b或c）ebccbeNPN 或 PNPNPNPNP材料（Si或Ge）SiGe2、判断下列管子的工作状态（a.饱和；b.放大；c.截止；d损坏）（共8分）管子类型NPNPNPNPNPNP各电极电位（V）UeUbUcUeUbUcUeUbUcUeUbUc26-3046状态cbda3、如下图，试确定二极管 D 是正偏还是

13、反偏设二极管正偏时的正向压降为,试计 算UX和UY的值（共9分j+10V3EDUX2R+10V2RIo %X DO UX（a）答案：（a）D 正偏导通10 - 0.7I=3Rb）U 二 2RI=x10 - 0.73Uy = 6.2 + 0.7 = 6.9V（ b）D仅偏截止I=0X=0U y =10V 4、如下图，设硅稳压管V 、V 的稳压值分别为6V和9V,求Uo为多少（共DZ1 DZ 23分）05、（3分）图示电路中二极管为理想二极管，请判断它是否导通，并求出 u0。D导通，U =3V06、判断下列电路能否放大电压信号。（设图中所有电容对交流信号视为短路）9分）都不能放大电压信号（a）输入交流短路（b） 无直流基极偏压（c） 输入交流短路7、如下图，设硅稳压管V 、V 的稳压值分别为6V和9V,稳压管的正向压DZ1DZ 2降为，试写出输出电压Uo为多少（共8分）R 亠* * 1 vdz1 25VR1 I f0 1K25V VdziK 赳 HVdz2VDZ2a)U 二 15V0U 二 0.7V (b)0d)(c) U 二 6.7V0