1.何谓PIE? PIE的主要工作是什幺？答：Process Integration Engineer（工艺整合工程师），主要 工作是整合各部门的资源，对工艺持续进行改善，确保产品的良率（yield）稳 定良好2. 200mm，300mm Wafer 代表何意义?答：8吋硅片（wafer）直径为200mm ,直径为300mm硅片即12 吋.3. 目前中芯国际现有的三个工厂采用多少mm的硅片（wafer）工艺？未来北 京的Fab4（四厂）采用多少mm的wafer工艺？答：当前 1~3 厂为 200mm（8 英寸）的 wafer， 工艺水平已达 0.13um工艺未来北京厂工艺wafer将使用300mm（12英寸）4. 我们为何需要300mm?答：wafer size变大，单一 wafer上的芯片数（chip）变多，单位成本降低200-300面积增加2.25倍，芯片数目约增加2.5倍5. 所谓的0.13 um的工艺能力（technology）代表的是什幺意义？答：是指工厂的工艺能力可以达到0.13 um的栅极线宽当栅 极的线宽做的越小时，整个器件就可以变的越小，工作速度也越快6. 从 0.35um->0.25um->0.18um->0.15um->0.13um 的 technology 改变又代表 的是什幺意义？答：栅极线的宽（该尺寸的大小代表半导体工艺水平的高低）做的越小时，工艺的难度便相对提高。
从 0.35um -> 0.25um -> 0.18um ->0.15um -> 0.13um 代表着每一个阶段工艺能力的提升7. 一般的硅片（wafer）基材（substrate）可区分为N,P两种类型（type）,何谓N, P—type wafer?答：N-type wafer是指掺杂negative元素（5价电荷元素，例 如:P、s）的硅片，P-type的wafer是指掺杂positive元素（3价电荷元素，例 如：B、In）的硅片8. 工厂中硅片（wafer）的制造过程可分哪几个工艺过程（module）?答:主要有四个部分：DIFF （扩散）、TF（薄膜）、PHOTO （光刻）、 ETCH （刻蚀）其中DIFF又包括FURNACE（炉管）、WET（湿刻）、IMP（离 子 注入）、RTP（快速热处理）TF包括PVD（物理气相淀积）、CVD（化学气相淀积）、CMP（化学机械研磨）硅片的制造就是依据客户的要求， 不断的在不同工艺过程（module）间重复进行的生产过程，最后再利用电性的测 试，确保产品良好9. 一般硅片的制造常以几P几M及光罩层数（mask layer）来代表硅片工艺的 时间长短，请问几P几M及光罩层数（mask layer）代表什幺意义？答：几P几M代表硅片的制造有几层的Poly（多晶硅）和几层的 metal（金属导线）.一般0.15um的逻辑产品为1P6M（ 1层的Poly和6层的 metal）。
而光罩层数（mask layer）代表硅片的制造必需经过几次的PHOTO （光刻）.10. Wafer下线的第一道步骤是形成start oxide和zero layer?其中start oxide 的目的是为何？答：①不希望有机成分的光刻胶直接碰触Si表面② 在laser刻号过程中，亦可避免被产生的粉尘污染11. 为何需要 zero layer?答：芯片的工艺由许多不同层次堆栈而成的 , 各层次之间以 zero layer当做对准的基准12. Laser mark是什幺用途？ Wafer ID又代表什幺意义？答：Laser mark是用来刻wafer ID, Wafer ID就如同硅片的 身份证一样，一个ID代表一片硅片的身份13. 一般硅片的制造（wafer process）过程包含哪些主要部分？答：①前段（frontend）-元器件（device）的制造过程② 后段（backend）-金属导线的连接及护层（passivation）14. 前段（frontend）的工艺大致可区分为那些部份？答：①STI的形成（定义AA区域及器件间的隔离）② 阱区离子注入(well implant)用以调整电性③ 栅极(poly gate)的形成④ 源/漏极(source/drain)的形成⑤ 硅化物(salicide)的形成15. STI是什幺的缩写？为何需要STI?答：STI: Shallow Trench Isolation(浅沟道隔离)，STI 可以 当做两个组件(device)间的阻隔，避免两个组件间的短路.16. AA 是哪两个字的缩写? 简单说明 AA 的用途?答：Active Area,即有源区，是用来建立晶体管主体的位置所 在，在其上形成源、漏和栅极。
两个AA区之间便是以STI来做隔离的17. 在STI的刻蚀工艺过程中，要注意哪些工艺参数？答：①STI etch (刻蚀)的角度；② STI etch的深度；③ STI etch后的CD尺寸大小控制CD control, CD=critical dimension)18. 在STI的形成步骤中有一道liner oxide (线形氧化层)， liner oxide 的特性功能为何？答：Liner oxide为1100C, 120 min高温炉管形成的氧化层， 其功能为：① 修补进STI etch造成的基材损伤；② 将STI et ch造成的etch尖角给于圆化(corner rounding)19. 一般的阱区离子注入调整电性可分为那三道步骤 ? 功能为 何？答：阱区离子注入调整是利用离子注入的方法在硅片上形成所 需要的组件电子特性，一般包含下面几道步骤：① Well Implant :形成 N,P 阱区；② Channel Implan t：防止源/漏极间的漏电；③ Vt Implant：调整Vt (阈值电压)20. 一般的离子注入层次(Implant layer)工艺制造可分为那 几道步骤?答：一般包含下面几道步骤：① 光刻（Pho to）及图形的形成；② 离子注入调整；③ 离子注入完后的ash （plasma（等离子体）清洗）④ 光刻胶去除（PR st rip）21. Poly （多晶硅）栅极形成的步骤大致可分为那些？答：①Gate oxide（栅极氧化层）的沉积；② Poly film的沉积及SiON（在光刻中作为抗反射层的物质）的沉积）；③ Poly图形的形成（Photo）；④ Poly 及 SiON 的 Etch；⑤ Etch完后的ash（ plasma（等离子体）清洗）及光刻胶去除（PR st rip）；⑥ Poly 的 Re-oxidation （二次氧化）。
22. Poly （多晶硅）栅极的刻蚀（etch）要注意哪些地方？答：①Poly的CD（尺寸大小控制；② 避免Gate oxie被蚀刻掉，造成基材（substrate）受损.23. 何谓 Gate oxide （栅极氧化层）?答：用来当器件的介电层，利用不同厚度的gate oxide ,可调 节栅极电压对不同器件进行开关24. 源/漏极（source/drain）的形成步骤可分为那些？答：①LDD的离子注入（Implant）；② Spacer的形成；③ N+/P+IMP高浓度源/漏极（S/D）注入及快速热处理（RTA : Rapid Thermal Anneal）25. LDD是什幺的缩写？用途为何？答：LDD: Lightly Doped Drain. LDD是使用较低浓度的源/漏 极, 以防止组件产生热载子效应的一项工艺26. 何谓 Hot carrier effect （热载流子效应）?答：寛小于0.5um以下时，因为源/漏极间的高浓度所产生 的高电场,导致载流子在移动时被加速产生热载子效应 , 此热载子效应会对 gate oxide造成破坏，造成组件损伤27. 何谓Spacer? Spacer蚀刻时要注意哪些地方？答：在栅极（Poly）的两旁用dielec trie （介电质）形成的侧壁, 主要由Ox/SiN/Ox组成。
蚀刻spacer时要注意其CD大小，prof ile （剖面轮廓）， 及remain oxide（残留氧化层的厚度）28. Spacer的主要功能？答：①使高浓度的源/漏极与栅极间产生一段LDD区域；② 作为Con tact Et ch时栅极的保护层29. 为何在离子注入后，需要热处理（Thermal Anneal）的工艺？ 答：①为恢复经离子注入后造成的芯片表面损伤；② 使注入离子扩散至适当的深度；③ 使注入离子移动到适当的晶格位置30. SAB是什幺的缩写？目的为何？答：SAB： Salicide block,用于保护硅片表面，在RPO （Resist Pro tec t Oxide） 的保护下硅片不与其它Ti, Co形成硅化物（salicide）31. 简单说明SAB工艺的流层中要注意哪些？答：①SAB光刻后（pho to），刻蚀后（et ch）的图案（特别是小 块区域）要确定有完整的包覆（block）住必需被包覆（block）的地方② remain oxide （残留氧化层的厚度）32. 何谓硅化物（ salicide）？答：Si与Ti或Co形成TiSix或CoSix, 一般来说是用来 降低接触电阻值（Rs, Rc）。
33. 硅化物（salicide）的形成步骤主要可分为哪些？答：①Co（或Ti）+TiN的沉积；② 第一次RTA （快速热处理）来形成Salicide③ 将未反应的Co（Ti）以化学酸去除④ 第二次RTA （用来形成Ti的晶相转化，降低其阻值）34. MOS器件的主要特性是什幺？答：它主要是通过栅极电压（Vg）来控制源，漏极（S/D）之间电 流，实现其开关特性35. 我们一般用哪些参数来评价device的特性？答：主要有 Idsat、Ioff、Vt、Vbk（breakdown）、Rs、Rc； — 般要求Idsat、Vbk （breakdown）值尽量大，Ioff、Rc尽量小，Vt、Rs尽量接近设计值.36.什幺是Idsat?Idsat代表什幺意义？答:饱和电流也就是在栅压（Vg） —定时，源/漏（Source/Drain） 之间流动的最大电流.37. 在工艺制作过程中哪些工艺可以影响到Idsat?答：Poly CD（多晶硅尺寸）、Gate oxide Thk（栅氧化层厚度）、 AA（有源区）宽度、Vt imp.条件、LDD imp.条件、N+/P+ imp.条件38. 什幺是Vt? Vt代表什幺意义？答：阈值电压（Threshold Voltage），就是产生强反转所需的 最小电压。
当栅极电压Vg