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1、泓域咨询/半导体材料项目投资分析报告本期项目是基于公开的产业信息、市场分析、技术方案等信息，并依托行业分析模型而进行的模板化设计，其数据参数符合行业基本情况。本报告仅作为投资参考或作为学习参考模板用途。目录第一章 行业发展分析8一、 半导体硅片技术发展8二、 半导体硅片行业概况9第二章 项目背景及必要性11一、 半导体硅片行业基本风险特征11二、 半导体硅片：半导体产业的基石12三、 建设特色鲜明的现代产业强市14四、 突出做强城市加快提升中心城市能级15五、 项目实施的必要性16第三章 项目建设单位说明17一、 公司基本信息17二、 公司简介17三、 公司竞争优势18四、 公司主要财务数据2
2、0公司合并资产负债表主要数据20公司合并利润表主要数据20五、 核心人员介绍21六、 经营宗旨22七、 公司发展规划22第四章 总论29一、 项目名称及项目单位29二、 项目建设地点29三、 可行性研究范围29四、 编制依据和技术原则29五、 建设背景、规模30六、 项目建设进度32七、 环境影响32八、 建设投资估算32九、 项目主要技术经济指标33主要经济指标一览表33十、 主要结论及建议35第五章 建筑工程可行性分析36一、 项目工程设计总体要求36二、 建设方案36三、 建筑工程建设指标39建筑工程投资一览表40第六章 产品规划与建设内容41一、 建设规模及主要建设内容41二、 产品规
3、划方案及生产纲领41产品规划方案一览表41第七章 运营模式43一、 公司经营宗旨43二、 公司的目标、主要职责43三、 各部门职责及权限44四、 财务会计制度47第八章 SWOT分析说明51一、 优势分析（S）51二、 劣势分析（W）53三、 机会分析（O）53四、 威胁分析（T）54第九章 法人治理结构60一、 股东权利及义务60二、 董事67三、 高级管理人员72四、 监事74第十章 原材料及成品管理77一、 项目建设期原辅材料供应情况77二、 项目运营期原辅材料供应及质量管理77第十一章 项目节能说明78一、 项目节能概述78二、 能源消费种类和数量分析79能耗分析一览表80三、 项目节
4、能措施80四、 节能综合评价82第十二章 工艺技术方案83一、 企业技术研发分析83二、 项目技术工艺分析86三、 质量管理87四、 设备选型方案88主要设备购置一览表89第十三章 进度实施计划90一、 项目进度安排90项目实施进度计划一览表90二、 项目实施保障措施91第十四章 投资方案分析92一、 投资估算的依据和说明92二、 建设投资估算93建设投资估算表95三、 建设期利息95建设期利息估算表95四、 流动资金96流动资金估算表97五、 总投资98总投资及构成一览表98六、 资金筹措与投资计划99项目投资计划与资金筹措一览表99第十五章 经济效益101一、 基本假设及基础参数选取101
5、二、 经济评价财务测算101营业收入、税金及附加和增值税估算表101综合总成本费用估算表103利润及利润分配表105三、 项目盈利能力分析105项目投资现金流量表107四、 财务生存能力分析108五、 偿债能力分析108借款还本付息计划表110六、 经济评价结论110第十六章 项目招标及投标分析111一、 项目招标依据111二、 项目招标范围111三、 招标要求112四、 招标组织方式114五、 招标信息发布114第十七章 总结116第十八章 补充表格119营业收入、税金及附加和增值税估算表119综合总成本费用估算表119固定资产折旧费估算表120无形资产和其他资产摊销估算表121利润及利润分
6、配表121项目投资现金流量表122借款还本付息计划表124建设投资估算表124建设投资估算表125建设期利息估算表125固定资产投资估算表126流动资金估算表127总投资及构成一览表128项目投资计划与资金筹措一览表129第一章 行业发展分析一、 半导体硅片技术发展半导体硅片的生产工艺流程复杂，涉及工艺众多，主要生产环节包含了晶体成长、硅片成型、外延生长等工艺。晶体成长主要指电子级高纯度多晶硅通过单晶生长工艺拉制成单晶硅棒。硅片成型主要指将单晶硅棒通过滚圆、切割、清洗、研磨、抛光、再清洗去除杂质等工艺，加工成为半导体硅抛光片。外延生长主要指通过化学气相沉积的方式在半导体硅抛光片上生长一层或多层
7、掺杂类型、电阻率、厚度和晶格结构都符合特定器件要求的新硅单晶层，形成半导体硅外延片。光伏行业的硅片尺寸跟随着半导体行业晶圆尺寸发展的步伐，半导体行业晶圆尺寸不断变大，光伏行业尺寸也相应迭代。2019年8月，TCL中环正式推出基于12英寸长晶技术的硅片产品，包含M12（210mm-f295）、M10（200mm-f281）、M9（192mm-f270）三种规格。G12产品将整个产业链提升到全新的平台。作为行业的龙头企业，半导体硅片行业的龙头TCL中环、华润微等企业拥有超千份专利。中国半导体行业协会于1990年11月17日成立，是由全国半导体界从事集成电路、半导体分立器件、半导体材料和设备的生产、
8、设计、科研、开发、经营、应用、教学的单位及其它相关的企、事业单位自愿参加的、非营利性的、行业自律的全国性社会团体。协会宗旨是按照国家的宪法、法律、法规和政策开展本行业的各项活动；为会员服务，为行业服务，为政府服务；在政府和会员单位之间发挥桥梁和纽带作用；维护会员单位和本行业的合法权益，促进半导体行业的发展。二、 半导体硅片行业概况半导体硅片是制造芯片的载体，因原材料为硅，又称为硅晶片。规划和无经理硅提炼、提纯、单晶硅生产、晶圆成型等工艺后，才能进入芯片单路蚀刻等后续环节，是制造芯片的最重要的前置工艺。该概念主要包含：研发及制造半导体晶圆、硅片以及抛光片等产品的公司。按照工艺类型分类，可以分为抛
9、光片、外延片和SOI硅片。其中抛光片和外延片是市场主流产品，市场规模约130亿美元，SOI硅片主要用射频前端等特殊应用领域，市场规模约为10亿美元。抛光片：是将纳米级二氧化硅颗粒与高效粘合剂混合后，均匀地涂覆于聚酯薄膜的表面，经干燥和固化反应而成。外延片：外延是半导体工艺当中的一种。在bipolar工艺中，硅片最底层是P型衬底硅（有的加点埋层）；然后在衬底上生长一层单晶硅，这层单晶硅称为外延层；再后来在外延层上注入基区、发射区等等。最后基本形成纵向NPN管结构：外延层在其中是集电区，外延上面有基区和发射区。外延片就是在衬底上做好外延层的硅片。SOI：全称为Silicon-On-Insulato
10、r，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。一般以硅片的直径来区分规格，通常有6英寸、8英寸和12英寸。目前半导体硅片的尺寸一直在向大尺寸不断发展。直径大的半导体硅片可以降低单位芯片的平均生产成本，从而提供更高的规模经济规模。但是大尺寸硅片由于纯度高，技术研发与规模化生产难度高，需要对生产工艺改进并且对设备性能进行提升。随着5G手机、高性能计算、汽车电动化及智能化、物联网等行业的驱动下，8英寸硅片和12英寸硅片已经成为主流。2021年Q4，8英寸硅片出货600万片/月，12英寸硅片出货量超过750万片/月。根据硅片应用场景，硅片可以分为正片、陪片和时刻电极。正片可以在
11、晶圆制造中直接使用。陪片按功能又可以分为测试片、挡片和控片。测试片是用来实验和检查制造设备运行初期的状态，以改善其稳定性。挡片是用于新生产线的调试以及在晶圆生产的过程中对正品进行保护。控片是在正式生产前对新工艺测试和监控良率。第二章 项目背景及必要性一、 半导体硅片行业基本风险特征（一）半导体硅片市场风险行业需求与下游终端应用领域行业的景气度紧密相关。例如，2009年，受经济危机的影响，半导体硅片行业下游传统应用领域景气程度下降，导致行业利润水平明显降低。2017年开始，伴随着5G、物联网、人工智能、云计算、新能源车等新兴市场快速发展带来半导体终端市场强劲需求，硅片行业景气度总体保持快速上升趋
12、势。行业呈现周期性变化。如果未来全球经济出现经济增速放缓、甚至衰退的情况，下游行业的市场需求量可能下降，将导致半导体产业陷入发展低谷。（二）半导体硅片技术风险从全球来看，半导体产业中的半导体硅材料行业具有高度垄断性，国际大厂依靠最先进的半导体硅片制造技术，特别是在8英寸和12英寸大尺寸硅片市场具有垄断地位。我国半导体相关产业起步较晚，发展时间较短，虽在半导体硅材料领域通过自主研发、引进吸收等方式已经取得了很大进步，但总体技术水平和制造能力相对发达国家还存在着一定差距。如果行业内企业在半导体硅片方面的技术更新无法追赶国际领先水平，或不能快速将行业的新技术运用于产品的开发和升级，导致与国际领先技术
13、水平的差距将被会进一步拉大。（三）半导体硅片人才竞争风险我国半导体硅片产业起步较晚，国内关键技术人才非常稀缺。企业核心技术人员的技术水平和研发能力是企业得以长期保持技术优势的关键。国内半导体硅片行业的持续发展亦会导致人才竞争不断加剧，因此，若行业内企业关键技术人才大量流失，将对行业内企业的研发技术和盈利能力造成重大不利影响。（四）半导体硅片原材料价格波动风险硅片企业的主要原材料有多晶硅、石英坩埚、石墨件、包装盒、切磨材料、抛光材料等，其价格波动将直接影响行业产品的生产成本，继而影响行业毛利率水平。虽然行业内企业可通过采取技术创新、生产流程优化以及扩大产能实现规模经济等措施化解原材料成本上涨的压
14、力，但仍存在原材料上升的风险，这对行业企业的正常生产与盈利能力将产生不利影响。二、 半导体硅片：半导体产业的基石半导体硅片是生产集成电路、分立器件、传感器等半导体产品的关键材料。在众多半导体原材料中，硅具有明显的优势，硅熔点高、禁带宽度大，可广泛运用于高温、高压器件。此外，硅具有天然优质绝缘氧化层，在晶圆制造时可减少沉积绝缘体工序，从而减少了生产步骤并降低了生产成本。硅在自然界中的储量丰富，在地壳中约占27%，硅材料的成本显著低于其他类型半导体材料。由于硅的技术和成本优势，硅片成为了目前产量最大、应用范围最广的半导体材料，占据全部产品的90%以上，是半导体产业链基础性的一环。半导体硅片的生产流
15、程复杂，涉及工艺众多，主要生产环节包含晶体生长、硅片成型、外延生长等工艺。多晶硅经过熔化，接入籽晶，再通过旋转拉晶或者区域熔融的方式得到高纯度的单晶硅棒。单晶硅棒经过切、磨、抛等步骤形成抛光片，抛光片还可以进一步加工形成外延片。长晶是硅片生产最核心的环节，单晶制备阶段决定了硅片的直径、晶向、掺杂导电类型、电阻率范围及分布、碳氧浓度、晶格缺陷等技术参数。单晶硅制备方法包括直拉法（CZ法）和区熔法（FZ法）两类，直拉法市占率高。直拉法的原理是将高纯度的多晶硅原料放置在石英坩埚中，在高纯惰性气体的保护下加热熔化，再将单晶硅籽晶插入熔体表面，待籽晶与熔体找寻到熔化点后，随着籽晶的提拉晶体逐渐生长形成单晶硅棒；区熔法是把多晶硅棒放在熔炉里，放入一个籽晶，然后用高频加热线圈加热籽晶与多晶接触区域生长单晶硅，区熔法因为没有坩埚的污染，生产的硅片纯度较高，碳、氧含量
