基准电压源器件公司企业创新与创新管理【范文】

泓域/基准电压源器件公司企业创新与创新管理 基准电压源器件公司 企业创新与创新管理 目录 一、 公司概况 1 公司合并资产负债表主要数据 2 公司合并利润表主要数据 2 二、 产业环境分析 3 三、 半导体细分行业概况 3 四、 必要性分析 12 五、 制度创新 13 六、 市场创新 16 七、 知识管理 19 八、 创立期企业的人才管理 19 九、 项目基本情况 20 十、 SWOT分析 28 十一、 人力资源分析 37 劳动定员一览表 37 十二、 法人治理 39 十三、 项目风险分析 56 十四、 项目风险对策 58 一、 公司概况 （一）公司基本信息 1、公司名称：xxx有限公司 2、法定代表人：严xx 3、注册资本：1340万元 4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx 5、登记机关：xxx市场监督管理局 6、成立日期：2014-3-17 7、营业期限：2014-3-17至无固定期限 8、注册地址：xx市xx区xx （二）公司主要财务数据 公司合并资产负债表主要数据 项目 2020年12月 2019年12月 2018年12月 资产总额 9767.51 7814.01 7325.63 负债总额 3252.97 2602.38 2439.73 股东权益合计 6514.54 5211.63 4885.90 公司合并利润表主要数据 项目 2020年度 2019年度 2018年度 营业收入 23650.48 18920.38 17737.86 营业利润 4043.63 3234.90 3032.72 利润总额 3617.64 2894.11 2713.23 净利润 2713.23 2116.32 1953.53 归属于母公司所有者的净利润 2713.23 2116.32 1953.53 二、 产业环境分析 综合判断，在经济发展新常态下，我区发展机遇与挑战并存，机遇大于挑战，发展形势总体向好有利，将通过全面的调整、转型、升级，步入发展的新阶段。知识经济、服务经济、消费经济将成为经济增长的主要特征，中心城区的集聚、辐射和创新功能不断强化，产业发展进入新阶段。 三、 半导体细分行业概况 （一）分立器件行业概况 分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，如二极管、晶体管等，主要实现电能的处理与变换，是半导体市场重要的细分领域。 受益于国家产业政策对新兴产业的大力支持和对传统行业的升级改造，我国半导体分立器件行业的市场规模稳步增长。2018年度至2020年度，我国半导体分立器件市场销售规模持续增长。根据中国半导体行业协会统计，2020年度我国半导体分立器件销售额达2，966．3亿元，同比增长7．0%。根据中国半导体行业协会预测，我国半导体分立器件市场销售规模将在2021年至2023年度继续保持增长，2021年度、2022年度和2023年度预测销售额分别为3，371．5亿元、3，879．6亿元和4，427．7亿元，分别较上年同期增加13．7%、15．1%和14．1%。 （二）功率半导体行业概况 能够进行功率处理的半导体器件为功率半导体器件，功率半导体是电子装置中电能转换与电路控制的核心，典型的功率处理功能包括变频、变压、变流、功率放大和功率管理等。功率半导体器件主要用于电力设备的电能变换和电路控制，是弱电控制与强电运行间的桥梁。除保证设备正常运行以外，功率半导体器件还起到有效的节能作用。功率半导体可以分为功率IC和功率分立器件两大类，其中功率分立器件主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品。 根据MordorIntelligence统计，2020年度，全球功率半导体市场规模为379．0亿美元，并且预计到2026年度，全球功率半导体市场规模将达到460．2亿美元，2020年度至2026年度，全球功率半导体市场规模年华增长率为3．17%。MOSFET全称金属氧化物半导体场效应管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，应用范围涵盖电源管理、计算机及外设设备、通信、消费电子、汽车电子、工业控制等多个领域。 根据YoleDeveloppement统计，2020年度，全球MOSFET市场规模达到75亿美元，并且预测2020年度至2026年，全球MOSFET市场将会达到年化3．8%的增长。2020年度，用于消费品市场的MOSFET占据37%的市场份额，是目前占比最高的应用领域，但汽车应用市场，特别是电动汽车应用市场的爆发将会极大带动MOSFET的应用，预计截至2026年，用于包括电动汽车在内的汽车市场的MOSFET占比将达到32%。 IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管BJT和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，可以应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 根据YoleDeveloppement统计，2020年度，全球IGBT市场规模达到54亿美元，并且预测2020年度至2026年，全球IGBT市场将会达到年化7．5%的增长。2020年度，IGBT最大的应用领域为工业和家用领域。预计受益于碳减排等政府政策带来的电动汽车对内燃机汽车的替代趋势，应用于电动汽车领域的IGBT市场规模在2020年度至2026年度的年化增幅将达到23%，截至2026年，用于电动汽车的IGBT市场份额占比将超过2020年度市场规模占比的一倍占据37%的市场份额市场规模电动汽车，占比在2026年将超过2020年度占比的一倍。 （三）数字三极管行业概况 与普通三极管相比，数字三极管是将三极管和一个或两个偏置电阻R1和R2集成在同一款芯片上，类同于小规模集成电路。数字三极管的R1电阻主要用来稳定三极管的工作状态，R2电阻主要用来吸收降低输入端的漏电流和噪声，电阻R1和R2有不同的阻值搭配，形成了丰富的产品组合。 数字三极管以中小功率为主，当前市场上主流数字三极管产品的最大输出电流为500mA。数字三极管技术发展的趋势是芯片尺寸向小型化方向发展，产品的输出电流不断增大，电阻要求更加精准，同时增加R1和R2的电阻组合，以满足客户使用时不同输入电压和电流的要求。数字三极管使用方便，同时可以节省外围使用电路的空间，在手机等对内部空间要求比较严格的电子产品中应用广泛。 手机等移动终端对空间要求较高，为了节省空间，在电路设计时将更多选择将电阻集成在三极管内部，因此，随着手机等移动终端的发展，数字三极管的市场需求将越来越大。据公开资料显示，2019年全球包括三极管、MOSFET和IGBT在内整个晶体管市场规模约为138．27亿美元，2020年则为147．88亿美元，同比增长6．95%。从竞争格局看，数字三极管国内市场参与者主要包括燕东微、日本Phenitec、杭州友旺电子等，市场格局相对固定。 （四）ECM前置放大器行业概况 ECM（ElectretCondenserMicrophone，驻极体电容传声器）麦克风是一种将声音转换为电信号的电子器件，因外围电路结构简单、使用灵活、灵敏度高、指向性好和性价比高等特点，广泛应用于各类智能终端上，如耳机、音箱、遥控器和电视机等。 外界的声波信号使驻极体薄膜发生振动，振动使驻极体与另一极板的距离发生变化，进而使由驻极体振膜和另一极板组成的电容器两端的电压放生变化，ECM前置放大器将这一电压信号采集放大后输出。ECM前置放大器具有工作电压范围广、功耗低和外围配置简单等特点，是ECM麦克风的核心组成部分，其参数优劣决定了ECM麦克风的性能高低。 目前麦克风领域主要有两条技术路线，分别为ECM麦克风和MEMS（微型机电系统）麦克风。其中MEMS麦克风为新兴路线，其基于MEMS技术将电容器集成制造在硅芯片上，与ECM麦克风相比，具有体积小、一致性好、抗干扰能力强和可使用回流焊技术进行表面贴装等优点，近年来在智能手机和平板电脑等消费类电子产品中得到越来越多的应用。但由于二者各具特点，将在较长时期内共存。ECM麦克风由于其指向性强、工作电压范围广和性价比高等特点，广泛应用于专业音频、语音声控等领域。经过长期发展，ECM前置放大器业内已围绕放大器外形尺寸和电流大小等参数开发出一系列产品。ECM前置放大器今后将向更高的增益、更高的信噪比和更高的参数一致性等方向发展，以获得更高的拾音能力。同时，ECM前置放大器在技术上还呈现小型化趋势，以适应更小更薄的封装。 根据YoleDeveloppement预测，ECM麦克风、MEMS麦克风、微型扬声器和音频IC市场规模2017年-2022年复合年增长率将达到6%，到2022年市场规模将达到200亿美元。新兴的MEMS麦克风和ECM麦克风由于各具特点，将在较长时期内共存。由于ECM麦克风在专业音频和语音声控等领域具有的独特应用优势和性价比优势，以及TWS耳机、语音识别组件等下游市场发展带来的麦克风总体市场需求量的上升，根据取得的来自用户端的反馈，近年来ECM麦克风的需求量呈增长趋势。此外，ECM前置放大器市场集中度较高，主要供应商包括燕东微、韩国RFsemi等，随着行业成熟度的提高，市场集中度可能进一步提升，对于出货量较大，已形成规模经济优势的厂商，将占据越来越大的市场份额。 （五）浪涌保护器件行业概况 浪涌保护器件，是一种为各种电子设备、仪器仪表、通讯线路提供安全防护的半导体器件。TVS是一种二极管形式的高效能浪涌保护器件。当TVS的两极受到反向瞬态高能量冲击时，它能在极短的时间内将其两极间的高阻抗变为低阻抗，吸收高达数千瓦的浪涌功率，使两极间的电压钳位于一个预定值，有效地保护电子线路中的精密元器件，使其免受各种浪涌脉冲的损坏。 普通的TVS在20世纪80年代开始出现，由单个PN结构成，结构单一，工艺简单。与大多数二极管正向导通的特性不同，其基于反向击穿特性，通过对浪涌的快速泄放，可以起到对电子产品的保护作用，对初级浪涌防护效果较好。普通TVS主要采用台面结构技术。 21世纪初期以来，普通的TVS因性能、精度、灵敏度等方面的限制已无法满足集成电路芯片发展中不断提高的防静电和浪涌冲击保护要求，于是兼具漏电小、钳位电压低、响应时间快、抗静电能力强且能够防浪涌等特点的新型TVS在近十几年开始出现并不断创新与升级。新型TVS对结构设计和工艺要求更高，结构更加复杂，一般设计成多路PN结集成结构，采用多次外延、双面扩结或沟槽设计。新型TVS能够确保小型化的集成电路芯片得到有效保护，代表着TVS小型化、更强的浪涌保护能力、更低的电容、多路集成的技术发展方向。 随着半导体芯片制程的发展，集成电路芯片呈现出小型化趋势，线宽变窄，同时追求更高的集成度和更低的工作电压，致使集成电路芯片变得更加敏感，极易受到静电和浪涌冲击，造成损坏。TVS通常具有响应时间短、静电防护和浪涌吸收能力强等优点，可用于保护设备电路免受各类静电及浪涌的损伤，顺应了集成电路芯片发展的趋势和需要，广泛应用于移动通讯、个人电脑、工业电子、汽车电子等。随着下游市场需求的增长，TVS市场前景广阔。 根据OMDIA发布的研究报告《TVS-ESDComponentsMarketAnalysis2021》，2020年全球TVS市场规模约为16．21亿美元，2021年全球TVS市场规模预计约为18．19亿美元。国内市场来看，TVS主要厂商包括安世半导体、英飞凌（Infineon）、安森美（ONSemiconductor）、商升特半导体（Semtech）、韦尔股份、乐山无线电、燕东微等。 （六）射频功率器件行业概况 射频（RF）是RadioFrequency的缩写，表示可以辐射到空