单片集成稳压电路公司企业管理评估【参考】

泓域/单片集成稳压电路公司企业管理评估 单片集成稳压电路公司 企业管理评估 目录 一、 公司简介 2 公司合并资产负债表主要数据 3 公司合并利润表主要数据 3 二、 产业环境分析 4 三、 半导体材料景气持续，市场空间广阔 9 四、 必要性分析 12 五、 管理体系的标准化 13 六、 体系与管理体系 16 七、 企业实施管理体系一体化的必要性 19 八、 企业实施管理体系一体化的可行性 20 九、 OHSAS18000职业健康安全管理体系系列标准 21 十、 ISO14000环境管理体系系列标准 25 十一、 企业变革的原因 32 十二、 企业发展的方向 33 十三、 有效组织管理的基本原则 35 十四、 权变组织理论考虑的影响因素 37 十五、 直线制 40 十六、 事业部制 40 十七、 行业环境分析 41 十八、 可持续竞争优势 47 十九、 企业战略评价的标准 49 二十、 战略评价中的绩效度量 51 二十一、 项目简介 53 二十二、 法人治理结构 58 二十三、 发展规划分析 70 一、 公司简介 （一）基本信息 1、公司名称：xxx（集团）有限公司 2、法定代表人：黎xx 3、注册资本：1320万元 4、统一社会信用代码：xxxxxxxxxxxxx 5、登记机关：xxx市场监督管理局 6、成立日期：2015-1-23 7、营业期限：2015-1-23至无固定期限 8、注册地址：xx市xx区xx （二）公司简介 公司按照“布局合理、产业协同、资源节约、生态环保”的原则，加强规划引导，推动智慧集群建设，带动形成一批产业集聚度高、创新能力强、信息化基础好、引导带动作用大的重点产业集群。加强产业集群对外合作交流，发挥产业集群在对外产能合作中的载体作用。通过建立企业跨区域交流合作机制，承担社会责任，营造和谐发展环境。 未来，在保持健康、稳定、快速、持续发展的同时，公司以“和谐发展”为目标，践行社会责任，秉承“责任、公平、开放、求实”的企业责任，服务全国。 （三）公司主要财务数据 公司合并资产负债表主要数据 项目 2020年12月 2019年12月 2018年12月 资产总额 13459.42 10767.54 10094.57 负债总额 6086.21 4868.97 4564.66 股东权益合计 7373.21 5898.57 5529.91 公司合并利润表主要数据 项目 2020年度 2019年度 2018年度 营业收入 53734.07 42987.26 40300.55 营业利润 11883.51 9506.81 8912.63 利润总额 10693.62 8554.90 8020.22 净利润 8020.22 6255.77 5774.56 归属于母公司所有者的净利润 8020.22 6255.77 5774.56 二、 产业环境分析 （一）高水平发展旅游业 推动旅游业向更高层次发展，加速旅游要素国际化改造，创新旅游业态与旅游产品，深度开发富有魅力的度假休闲旅游产品和精品线路，推进旅游与免税购物、医疗康体养生、演艺娱乐、邮轮游艇、高尔夫、文体会展、婚礼节庆等融合发展，加快构建“旅游+”，强力优化旅游环境，努力建设旅游业改革创新的试验区和世界一流的海岛休闲度假旅游目的地。到2020年，全年接待旅游总人数超过8000万人次，接待入境游客达到120万人次以上；旅游总收入达到1000亿元以上；过夜游客人均停留4.2天，过夜游客人均消费3500元；旅游业直接从业人数达50万，带动间接从业人员达200万人。 （二）做强做优热带特色高效农业 坚持把农业作为农村奔小康、特色城镇化及农民持续增收的重要产业支撑不动摇。高标准建设国家冬季瓜菜基地、南繁育制种基地、热带水果基地、天然橡胶基地、海洋渔业基地和无规定动物疫病区“五基地一区”，力争五年内创办100个高标准的省级现代农业示范基地。把热带特色高效农业打造成海南富足农民、服务全国的王牌产业。 （三）全力推进互联网产业 实施网络强省战略和“互联网+”行动计划，重点发展电子商务、游戏动漫和服务外包等应用服务产业，大数据、研发设计、数字内容、物联网和卫星导航等平台支撑产业和“互联网+”产业集群，加快海南互联网产业升级，加强互联网人才引进和培养，引进国际国内互联网龙头企业，搭建产业平台，建立孵化体系，培育标杆企业，加强与企业的科研开发、产业合作，打造独具海南特色的互联网产业发展高地。 （四）培育发展医疗健康产业 推动医疗健康产业跨越发展，加快开放医疗健康服务市场，用足用好国家赋予博鳌乐城国际医疗旅游先行区特殊政策并逐步扩大到全岛，培育医疗健康产业集群。鼓励社会资本投资健康体检、健康咨询、健康文化、健康旅游、健康保险、体育健身等多样化的健康产业，逐步建立覆盖全生命周期、业态丰富、结构合理的健康产业体系。在海口、三亚、儋州等城市开展医养结合试点示范工作。到2020年，医疗健康产业总产值达到1000亿元。 （五）加快发展金融服务业 加快金融创新步伐，完善金融市场体系，优化金融生态环境，着力推动海洋金融、普惠金融、互联网金融、消费金融和跨境金融加快发展，增强金融业对实体经济的支撑力和渗透力，全面提升金融服务国际旅游岛建设的能力和水平。到2020年，金融资源配置效率和水平明显提升，金融服务实体经济能力显著增强，力争全省金融业增加值占地区生产总值比重达10%左右，全省银行业各项贷款余额超过1万亿元，直接融资比重提高到45%左右。 （六）发展壮大会展业 加快会展业的升级改造，推进会展业服务标准化，培育会展品牌，将会展业打造成扩大内需、拉动消费的重要产业。引进一批国际知名会展机构，继续巩固和做强现有的会展品牌并打造一批新的知名会展品牌，培育一批会展龙头企业。到2020年，海南省会展产业总产值达到400亿元。 （七）发展现代物流业 加强物流通道建设，完善物流网络空间布局，推动物流服务设施建设，支持各类型物流业态及经营主体健康发展，提升物流业信息化水平，提高物流业服务中心城市、产业园区、现代农业生产基地和城乡居民生活的能力，逐步形成具有海南特色的现代物流业发展模式。到2020年，全省物流业增加值达到345亿元，形成2—3个营业额超100亿元的大型物流园区。 （八）发展油气产业 发挥我省区位优势，抓住“一带一路”建设、南海开发等机遇，以更加严格的环保标准发展油气产业。以油气加工产业优化、化工新能源、化工新材料、传统化工产业升级作为主要发展方向，不断优化产业结构，走“专精特新”的道路，往下延伸产业链，配套发展高端精细化工、油品和化工品储备及工业服务业。 （九）发展医药产业 抓住国家实施医改、博鳌乐城国际医疗旅游先行区等重要机遇，创新我省医药企业的经营模式，提升企业自主研发、质量管理和市场营销能力，培育龙头企业，做大优势品种，壮大医药产业规模。到2020年，实现医药产业产值500亿元左右，年均增速达到20%以上。 （十）发展低碳制造业 坚持集约、集群、低碳、节能、园区化、高技术的发展方向，着力发展新能源汽车制造、新兴绿色食品加工、新能源新材料、海洋装备制造、新型网络化制造等低碳制造业。 （十一）转型升级房地产业 积极调整房地产产品结构，科学安排房地产开发时序，促进房地产业提质增效、转型发展。以本岛长居型居住地产为基本、经营性房地产为主导，构建多元化、多层次的房地产产品供应体系与住房保障体系。力争到2020年末，全省经营性房地产占新开工面积比重不低于33%，房地产产品结构调整取得明显成效。 （十二）培育发展高新技术教育文化体育产业 高新技术产业。积极培育和壮大高新技术企业队伍，加强科技支撑条件和创新能力建设，加大关键技术攻关和科技成果产业化力度，加大科技创新资源、高新技术企业和高新技术项目引进，优化产业结构，培育新的经济增长点，促进高新技术产业高速发展，高新技术产业产值占全省规模以上工业总产值的50%以上。 （十三）加快六类产业园区建设 规范高效运营旅游园区、高新技术及信息产业园区、物流园区、临空产业园区、工业园区、健康教育园区等六类省级重点产业园区，引导向关联产业集聚集群发展、形成产业优化升级的主要平台。推动园区复制自贸区优惠政策，实施园区“准入清单”，逐步实现重点园区建设项目零审批，构建高效运转的园区运行体制。把海南生态软件园、博鳌乐城国际医疗旅游先行区、海口美安科技新城作为试点园区，大胆进行制度创新，积极探索可复制、可推广的经验，逐步应用到六类产业园区。 三、 半导体材料景气持续，市场空间广阔 半导体是指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。无论从科技或经济发展的角度来看，半导体都至关重要。2010年以来，全球半导体行业从PC时代进入智能手机时代，成为全球创新最为活跃的领域，广泛应用于计算机、消费类电子、网络通信和汽车电子等核心领域。半导体产业主要由集成电路、光电子、分立器件和传感器组成，据WSTS世界半导体贸易统计组织预测，到2022年全球集成电路占比84．22%，光电子器件、分立器件、传感器占比分别为7．41%、5．10%和3．26%。 半导体工艺复杂，技术壁垒极高。芯片生产大体可分为硅片制造、芯片制造和封装测试三个流程。其中硅片制造包括提纯、拉单晶、磨外圆、切片、倒角、磨削、CMP、外延生长等工艺，芯片制造包括清洗、沉积、氧化、光刻、刻蚀、掺杂、CMP、金属化等工艺，封装测试包括减薄、切割、贴片、引线键合、模塑、电镀、切筋成型、终测等工艺。整体而言，硅片制造和芯片制造两个环节技术壁垒极高。硅提纯：目前多晶硅厂商多采用三氯氢硅改良西门子法进行多晶硅生产。具体工艺是将氯化氢和工业硅粉在沸腾炉内合成三氯氢硅，通过精馏进一步提纯高纯三氯氢硅，后在1100℃左右用高纯氢还原高纯三氯氢硅，生成多晶硅沉积在硅芯上，进而得到电子级多晶硅。拉单晶：目前8寸和12寸硅片大多通过直拉法制备，部分6寸和8寸硅片则通过区熔法制得。直拉法是将高纯多晶硅放入石英坩埚内，通过外围的石墨加热器加热至1400℃，随后坩埚带着多晶硅融化物旋转，将一颗籽晶浸入其中后，由控制棒带着籽晶作反方向旋转，同时慢慢地、垂直地由硅融化物中向上拉出，并在拉出后和冷却后生长成了与籽晶内部晶格方向相同的单晶硅棒。区熔法利用高频线圈在多晶硅棒靠近籽晶一端形成熔化区，移动硅棒或线圈使熔化区超晶体生长方向不断移动，向下拉出得到单晶硅棒。切片：单晶硅棒研磨成相同直径，然后根据客户要求的电阻率，多采用线切割将晶棒切成约1mm厚的晶圆薄片。倒角：用具备特定形状的砂轮磨去硅片边缘锋利的崩边、棱角和裂缝等，可防止晶圆边缘碎裂，增加外延层和光刻胶层在晶圆边缘的平坦度。磨削：在研磨机上用磨料将切片抛光到所需的厚度，同时提高表面平整度。其目的在于去除切片工序中硅片表面因切割产生的机械应力损伤层和各种金属离子等杂质污染。清洗：为了解决硅片表面的沾污问题，实现工艺洁净表面，多采用强氧化剂、强酸和去离子水进行清洗。薄膜沉积：即通过晶核形成、聚集成束、形成连续的膜沉积在硅片沉底上。薄膜沉积按照原理可分为物理工艺（PVD）和化学工艺（CVD）。集成电路制造中使用最广泛的PVD技术是溅射镀膜，其基本原理是在反应腔高真空度背景下带正电的氩离子在电场作用下，轰击到靶材的表面，撞击出靶材的原子或分子，沉积在硅片表面。化学气相沉积技术主要是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质、在衬底表面上进行化学反应生成薄膜。氧化：清洁完成后将晶圆置于800-1200℃的高温环境下，通过氧气或蒸气在晶圆表面形成二氧化硅层，以保护晶圆不受化学杂质影响、避免漏电流进入电路、预防离子植入过程中的扩散以及防止晶圆在刻蚀时滑落。光刻：光刻技术用于电路图形生成和复制，是半导体制造最为关键的技术，耗时占IC制造50%，成本占IC制造1/3。其主要流程包括