原子层沉积镀膜系统项目专项扶持资金申请报告-（模板参考）

泓域咨询 /原子层沉积镀膜系统项目专项扶持资金申请报告 目录 一、 项目名称及项目单位 6 二、 项目建设地点 6 三、 编制依据和技术原则 6 主要经济指标一览表 8 四、 主要结论及建议 9 五、 背景和必要性 10 六、 公司基本信息 14 七、 建筑工程建设指标 14 建筑工程投资一览表 15 八、 产业发展方向 16 九、 保障措施 17 十、 机会分析（O） 19 十一、 董事 20 十二、 环境保护综述 24 十三、 项目建设期原辅材料供应情况 25 十四、 能源消费种类和数量分析 25 能耗分析一览表 26 十五、 人力资源配置 26 劳动定员一览表 27 十六、 项目总投资 27 总投资及构成一览表 27 十七、 资金筹措与投资计划 28 项目投资计划与资金筹措一览表 28 十八、 经济评价财务测算 29 十九、 项目盈利能力分析 31 二十、 招标组织方式 32 二十一、 项目风险分析项目风险评估 37 二十二、 总结 37 二十三、 附表 37 主要经济指标一览表 37 建设投资估算表 38 建设期利息估算表 39 固定资产投资估算表 40 流动资金估算表 41 总投资及构成一览表 42 项目投资计划与资金筹措一览表 43 营业收入、税金及附加和增值税估算表 44 综合总成本费用估算表 44 利润及利润分配表 45 项目投资现金流量表 46 借款还本付息计划表 47 报告说明 薄膜沉积技术是以各类化学反应源在外加能量（包括热、光、等离子体等）的驱动下激活，将由此形成的原子、离子、活性反应基团等在衬底表面进行吸附，并在适当的位置发生化学反应或聚结，渐渐形成几纳米至几微米不等厚度的金属、介质、或半导体材料薄膜。作为芯片衬底之上的微米或纳米级薄膜，是构成了制作电路的功能材料层。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更小制程发展。 随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。根据MaximizeMarketResearch数据统计，2017-2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模分别为125亿美元、145亿美元、155亿美元和172亿美元，2021年扩大至约190亿美元，年复合增长率为11．04%。预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2021年的190亿美元扩大至340亿美元，保持年复合15．7%的增长速度。 近年来，下游产业新技术、新产品快速发展，正迎来市场快速增长期。5G手机、新能源汽车、工业电子等包含的半导体产品数量较传统产品大比例提高；人工智能、可穿戴设备和物联网等新业态的出现，对于半导体产品产生了新需求。经过不断发展，根据不同的应用演化出了PECVD、LPCVD、溅射PVD、ALD等不同的设备用于晶圆制造的不同工艺。其中，PECVD是薄膜设备中占比最高的设备类型，占整体薄膜沉积设备市场的33%；ALD设备目前占据薄膜沉积设备市场的11%；SACVD是新兴的设备类型，属于其他薄膜沉积设备类目下的产品，占比较小。 在晶圆制造过程中，薄膜起到产生导电层或绝缘层、阻挡污染物和杂质渗透、提高吸光率、临时阻挡刻蚀等重要作用。随着集成电路的持续发展，晶圆制造工艺不断走向精密化，芯片结构的复杂度也不断提高，需要在更微小的线宽上制造。制造商要求制备的薄膜品种随之增加，最终用户对薄膜性能的要求也日益提高。这一趋势对薄膜沉积设备产生了更高的技术要求，市场对于高性能薄膜设备的依赖逐渐增加。 随着集成电路的持续发展，产线逐渐升级，晶圆厂对薄膜沉积设备数量和性能的需求将继续随之提升。越先进制程的产线所需的薄膜沉积设备数量越多。先进制程使得晶圆制造的复杂度和工序量都大大提升，为保证产能，产线上需要更多的设备。 随着当前存储器性能瓶颈的出现，主流工艺方式不断拓展，精密结构加工所需的设备性能要求不断增加。在FLASH存储芯片领域，随着主流制造工艺由2DNAND发展为3DNAND结构，相关产线中薄膜设备支出占比由18%提升至26%，结构的复杂化导致对于薄膜沉积设备的需求量也逐步增加。 半导体设备属于高新技术领域，相关厂商均在各自专业技术领域耕耘几十年。从全球市场份额来看，薄膜沉积设备行业呈现出高度垄断的竞争局面，行业基本由应用材料（AMAT）、先晶半导体（ASMI）、泛林半导体（Lam）、东京电子（TEL）等国际巨头垄断。2019年，ALD设备龙头东京电子和先晶半导体分别占据了31%和29%的市场份额，剩下40%的份额由其他厂商占据；而应用材料则基本垄断了PVD市场，占85%的比重，处于绝对龙头地位；在CVD市场中，应用材料全球占比约为30%，连同泛林半导体的21%和TEL的19%，三大厂商占据了全球70%的市场份额。 CVD设备需求量大，设备种类较多。国内从事CVD设备开发销售的公司主要有北方华创、中微公司和拓荆科技。北方华创主要研发PVD、LPCVD和APCVD设备，中微公司主要研发MOCVD设备，和拓荆科技的PECVD以及SACVD设备无直接竞争关系。各公司专注于不同细分领域，共同发展弥补国内企业在相关行业的短板。 除了光刻、薄膜沉积以及刻蚀三大核心工艺外，其他前道设备虽然占比不高，但同样不可或缺。从芯片制造工艺来看，包括涂胶显影设备、清洗设备、离子注入设备以及扩散设备。其中涂胶显影设备与光刻机共同完成光刻工艺；清洗机与CMP共同完成芯片的各步骤的清洗与抛光；离子注入机和扩散炉则专注于掺杂工艺。 根据谨慎财务估算，项目总投资20708.92万元，其中：建设投资16664.06万元，占项目总投资的80.47%；建设期利息237.32万元，占项目总投资的1.15%；流动资金3807.54万元，占项目总投资的18.39%。 项目正常运营每年营业收入44300.00万元，综合总成本费用35561.52万元，净利润6388.20万元，财务内部收益率24.79%，财务净现值9441.53万元，全部投资回收期5.17年。本期项目具有较强的财务盈利能力，其财务净现值良好，投资回收期合理。 一、 项目名称及项目单位 项目名称：原子层沉积镀膜系统项目 项目单位：xxx（集团）有限公司 二、 项目建设地点 本期项目选址位于xxx（待定），占地面积约62.00亩。项目拟定建设区域地理位置优越，交通便利，规划电力、给排水、通讯等公用设施条件完备，非常适宜本期项目建设。 三、 编制依据和技术原则 （一）编制依据 1、国家和地方关于促进产业结构调整的有关政策决定； 2、《建设项目经济评价方法与参数》； 3、《投资项目可行性研究指南》； 4、项目建设地国民经济发展规划； 5、其他相关资料。 （二）技术原则 1、项目建设必须遵循国家的各项政策、法规和法令，符合国家产业政策、投资方向及行业和地区的规划。 2、采用的工艺技术要先进适用、操作运行稳定可靠、能耗低、三废排放少、产品质量好、安全卫生。 3、以市场为导向，以提高竞争力为出发点，产品无论在质量性能上，还是在价格上均应具有较强的竞争力。 4、项目建设必须高度重视环境保护、工业卫生和安全生产。环保、消防、安全设施和劳动保护措施必须与主体装置同时设计，同时建设，同时投入使用。污染物的排放必须达到国家规定标准，并保证工厂安全运行和操作人员的健康。 5、将节能减排与企业发展有机结合起来，正确处理企业发展与节能减排的关系，以企业发展提高节能减排水平，以节能减排促进企业更好更快发展。 6、按照现代企业的管理理念和全新的建设模式进行规划建设，要统筹考虑未来的发展，为今后企业规模扩大留有一定的空间。 7、以经济救益为中心，加强项目的市场调研。按照少投入、多产出、快速发展的原则和项目设计模式改革要求，尽可能地节省项目建设投资。在稳定可靠的前提下，实事求是地优化各成本要素，最大限度地降低项目的目标成本，提高项目的经济效益，增强项目的市场竞争力。 8、以科学、实事求是的态度，公正、客观的反映本项目建设的实际情况，工程投资坚持“求是、客观”的原则。 主要经济指标一览表 序号 项目 单位 指标 备注 1 占地面积 ㎡ 41333.00 约62.00亩 1.1 总建筑面积 ㎡ 67941.25 1.2 基底面积 ㎡ 26039.79 1.3 投资强度 万元/亩 251.73 2 总投资 万元 20708.92 2.1 建设投资 万元 16664.06 2.1.1 工程费用 万元 14092.88 2.1.2 其他费用 万元 2091.04 2.1.3 预备费 万元 480.14 2.2 建设期利息 万元 237.32 2.3 流动资金 万元 3807.54 3 资金筹措 万元 20708.92 3.1 自筹资金 万元 11022.47 3.2 银行贷款 万元 9686.45 4 营业收入 万元 44300.00 正常运营年份 5 总成本费用 万元 35561.52 "" 6 利润总额 万元 8517.60 "" 7 净利润 万元 6388.20 "" 8 所得税 万元 2129.40 "" 9 增值税 万元 1840.68 "" 10 税金及附加 万元 220.88 "" 11 纳税总额 万元 4190.96 "" 12 工业增加值 万元 14229.23 "" 13 盈亏平衡点 万元 17046.02 产值 14 回收期 年 5.17 15 内部收益率 24.79% 所得税后 16 财务净现值 万元 9441.53 所得税后 四、 主要结论及建议 该项目工艺技术方案先进合理，原材料国内市场供应充足，生产规模适宜，产品质量可靠，产品价格具有较强的竞争能力。该项目经济效益、社会效益显著，抗风险能力强，盈利能力强。综上所述，本项目是可行的。 五、 背景和必要性 薄膜沉积技术是以各类化学反应源在外加能量（包括热、光、等离子体等）的驱动下激活，将由此形成的原子、离子、活性反应基团等在衬底表面进行吸附，并在适当的位置发生化学反应或聚结，渐渐形成几纳米至几微米不等厚度的金属、介质、或半导体材料薄膜。作为芯片衬底之上的微米或纳米级薄膜，是构成了制作电路的功能材料层。随着集成电路制造不断向更先进工艺发展，单位面积集成的电路规模不断扩大，芯片内部立体结构日趋复杂，所需要的薄膜层数越来越多，对绝缘介质薄膜、导电金属薄膜的材料种类和性能参数不断提出新的要求。薄膜设备的发展支撑了集成电路制造工艺向更小制程发展。 随着半导体行业整体景气度的提升，全球半导体设备市场呈现快速增长态势，拉动市场对薄膜沉积设备需求的增加。根据MaximizeMarketResearch数据统计，2017-2020年全球半导体薄膜沉积设备市场规模分别为125亿美元、145亿美元、155亿美元和172亿美元，2021年扩大至约190亿美元，年复合增长率为11．04%。预计全球半导体薄膜沉积设备市场规模在2025年将从2021年的190亿美元扩大至340亿美元，保持年复合15．7%的增长速度。 近年来，下游产业新技术、新产品快速发展，正迎来市场快速增长期。5G手机、新能源汽车、工业电子等包含的半导体产品数量较传统产品大比例提高；人工智能、可穿戴设备和物联网等新业态的出现，对于半导体产品产生了新需求。经过不断发展，根据不同的应用演化出了PECVD、