江苏省盐城市青墩职业高级中学2023年高三物理月考试卷含解析

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江苏省盐城市青墩职业高级中学2023年高三物理月考试卷含解析 一、 选择题:本题共5小题,每小题3分,共计15分.每小题只有一个选项符合题意 1. 神舟号载人飞船在发射至返回的过程中,以下哪些阶段返回舱的机械能是守恒的     A.飞船升空的阶段     B.飞船在椭圆轨道上绕地球运行的阶段     C.返回舱在大气层外向着地球做无动力飞行阶段     D.降落伞张开后,返回舱下降的阶段 参考答案: BC 2. 如图所示,矩形闭合线圈放置在水平薄板上,有两块相同的蹄形磁铁,四个磁极之间的距离相等(其间距略大于矩形线圈的宽度),当两块磁铁匀速向右通过线圈时,线圈仍静止不动,那么线圈受到薄板的摩擦力方向和线圈中产生感应电流的方向是   (A)摩擦力方向一直向左. (B)摩擦力方向先向左、后向右. (C)感应电流的方向顺时针→逆时针→逆时针→顺时针,共经历两次这样的变化. (D)感应电流的方向顺时针→逆时针,共经历四次这样的变化. 参考答案: 答案:AC 3. 四个质点作直线运动,它们的速度一时间图象分别如下图所示,在2s未能加到出发点的是 参考答案: AD 4. (多选)由于某种原因,人造地球卫星的轨道半径减小了,那么 A.卫星受到的万有引力增大,线速度减小 B.卫星的向心加速度增大,周期减小 C.卫星的动能、重力势能和机械能都减小 D.卫星的动能增大,重力势能减小,机械能减小 参考答案: 答案:BD :人造地球卫星万有引力提供向心力,半径减少,万有引力增加,加速度增加,运行速度增加,周期减少,重力做正功,重力势能减少,速度增加,动能增加,半径减小的原因应是有阻力作用,所以机械能减少,AC错误;BD正确。 5. (单选)在如图所示电路中,已知电表均为理想仪表,且小灯泡的电阻小于电源的内阻,电流表A、电压表V1、电压表V2的读数分别为I、U1和U2,P为被细线悬挂在两平行金属板间的带电小球,细线与竖直方向间的夹角为θ,则当滑动变阻器的滑片向右滑动一小段距离的过程中,电流表A、电压表V1、电压表V2读数变化量大小分别是△I、△U1和△U2,下列说法中正确的是(  )   A. △U2大于△U1   B. 灯泡变亮、细线与竖直方向间的夹角θ变大   C. 电源的输出功率变大   D. 变大、变大 参考答案: : 解:A、滑动变阻器电阻增大,总电流减小,r1电压减小,r2电压增大,而U外又增大,明显r2电压增大要超过r1电压减小,则A错误;   B、滑动变阻器的滑片向右滑动一小段距离R2的电阻变大,则总电阻变大,总电流变小,外压增大,通过灯泡的电流变大,则R1电流变小,则其分压变小,电容器的电压变小,细线与竖直方向间的夹角θ变小,则B错误 C、小灯泡的电阻小于电源的内阻,那么再并联r1r2就更小了,当外电阻小于内电阻时,由p出的图象可知,p出增大,则C正确; D、为外阻,变大,为内阻,不变,则D错误 故选:C 二、 填空题:本题共8小题,每小题2分,共计16分 6. 如图(a)所示,宽为L=0.3m的矩形线框水平放置,一根金属棒放在线框上与线框所围的面积为0.06m2,且良好接触,线框左边接一电阻R=2Ω,其余电阻均不计.现让匀强磁场垂直穿过线框,磁感应强度B随时间变化的关系如图(b)所示,最初磁场方向竖直向下.在0.6s时金属棒刚要滑动,此时棒受的安培力的大小为____________N;加速度的方向向_______.(填“左”、“右”)   参考答案:     答案:0.3   左 7. (1)为研究某一电学元件的导电规律,将该元件两端的电压、元件中的电流及通电时间记录在下表中,通过分析表中数据可以判断出该元件所用的材料是         (填“金属”或“半导体”)。 通电时间 t/s 5 10 15 20 25 30 电压    u/v 0.40 0.62 1.02 1.26 1.52 1.64 电流   i/m A 0.20 0.43 0.81 1.82 2.81 3.22          (2) 如图甲是某金属材料制成的电阻R随摄氏温度t变化的图象,图中R0表示0℃时的电阻,k表示图线的斜率.若用该电阻与电池(电动势E、内阻r)、电流表A(内阻Rg)、滑动变阻器R′ 串联起来,连接成如图乙所示的电路,用该电阻做测温探头,把电流表的电流刻度改为相应的温度刻度,就得到了一个简单的“金属电阻温度计”.使用“金属电阻温度计”前,先要把电流表的刻度值改为相应的温度刻度值,若温度t1<t2,则t1的刻度应在t2的         侧(填“左”或“右”);在标识“金属电阻温度计”的温度刻度时,需要弄清所测温度和电流的对应关系.请用E、R0、k等物理量表示所测温度t与电流I的关系式t=         。 参考答案: ①,由表中数据U、I比值随温度升高而明显减小,可知元件所用材料为半导体。 ②温度t1
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