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1、SJ/T XXXXXXXX 附 录 A （规范性）硅衬底蓝光小功率 LED 芯片的外观检验 A.1 目的 检验功率半导体发光二极管芯片的结构和工艺质量是否符合要求，发现和剔除有缺陷的芯片。A.2 设备 本检验所需设备包括具有规定放大倍数的光学仪器和作为目检判据的标准样品或图样、照片等，使操作者能对受检芯片的接收与否做出客观的判断。此外还需要有利于芯片检查而又不使芯片受到损伤的合适夹具。A.3 程序 A.3.1 通则 A.3.1.1 环境要求 芯片应在温度15 35，相对湿度45%75%的ISO 8级的净化环境，且有相应级别静电防护条件的环境中进行目检。A.3.1.2 放大倍数 除另有规定外，采
2、用放大倍数20倍40倍的单目、双目或立体显微镜进行检验，操作人员使用不损坏芯片的工具，在适当的照明下进行检验，以确定芯片是否符合规定的要求。A.3.2 芯片检验 适用于芯片的正面外观检验。探针测试点不作为缺陷。具体芯片外观检验项目参考表A.1。A.3.2.1 外形尺寸 芯片为垂直电极结构，N电极朝上。芯片结构示意图见图A.1，芯片的上部为N电极，用于键合引线，背部为P电极。规格 尺寸符号 L/mil W/mil a/m H/m 0808 8 8 96 175 0505 5 5 46 135 0404 4.3 4.3 46 120 注：1 mil=0.0254 mm，1 m=0.001 mm。图 A.1 芯片结构示意图 9 SJ/T XXXXXXXX A.3.2.2 键合区 键合区见图A.1。A.3.2.3 外观质量 芯片外观检验见表A.1 表A.1 芯片外观检验 序号 项 目 不 合 格 图 例 判 定 标 准 1 裂纹 划伤 不应有 2 芯片污染 15%3 电极污染 15%4 电极刮伤 15%5 镀层脱落 15%6 排列不齐 相邻芯片不相连 7 倾斜 15 8 间隔 不大于 6 颗 10
